一种晶圆用超声减薄设备的制作方法

1.本发明涉及半导体产品加工设备技术领域，特别涉及一种晶圆用超声减薄设备。

背景技术：

2.半导体加工行业中，经切片后晶圆厚度较厚，达不到产品使用要求，通常需要对晶圆进行减薄，通过减薄设备将晶圆减薄到一定厚度，磨削减薄是晶圆减薄的常用手段之一，主要通过研磨设备对晶圆片进行磨削减薄，超声研磨设备是在研磨头上设置超声换能器使研磨头在旋转研磨的同时产生振动提高对工件的研磨效果，由于超声研磨设备具有研磨后表面质量好，磨粒不易堵塞等优点，被逐渐应用于晶圆减薄工序。
3.现有的晶圆减薄设备在晶圆减薄时，通常是将晶圆吸附固定在吸盘上再对晶圆进行研磨减薄，由于超声研磨设备的研磨头存在高频振动，在磨削时对晶圆片产生更多方向的扰动，因此抽真空设备需要产生更大的吸附力以防止晶圆片在进行超声振动减薄时脱离吸盘，当将待减薄晶圆片放置在吸盘上并运行抽真空设备时，这种大吸力的抽真空设备会对放置在吸盘上的晶圆片瞬间产生较大吸附力，这种瞬间产生的大吸附力会对晶圆片产生冲击，在晶圆片被吸附的瞬间容易使晶圆片变形甚至碎裂。

技术实现要素：

4.针对上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种晶圆用超声减薄设备，用以对晶圆片进行磨削减薄并有效防止晶圆片变形或碎裂。
5.为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种晶圆用超声减薄设备，包括用于固定晶圆片的吸附单元和对晶圆片表面进行磨削的磨削单元，所述吸附单元包括用于吸附晶圆片的真空吸盘，所述真空吸盘通过气管与外部抽真空机连通，所述磨削单元包括竖直设置于所述真空吸盘上方的超声磨削头；
6.所述真空吸盘包括盘体，所述盘体内均布多个气流道和吸附孔，多个所述气流道水平设置并具有共同进气口，所述进气口通过所述气管与抽真空机密封连通，多个所述吸附孔竖直设置，吸附孔的下端与所述气流道连通，吸附孔的上端与盘体外部空间连通，所述吸附孔内密封滑动设置支撑柱，所述支撑柱为上部直径小于下部直径的阶梯柱，支撑柱下方设置第一弹簧，第一弹簧的上端与支撑柱固定连接，第一弹簧的下端与气流道内壁固定连接，当未对所述真空吸盘抽真空时，在所述第一弹簧的弹力下，所述支撑柱的上端向上伸出所述盘体的上表面；
7.盘体内设置锁止机构，当对所述真空吸盘抽真空使晶圆片贴合在所述盘体的上表面时，所述支撑柱的上端面位于所述盘体上表面的下方，所述锁止机构将所述支撑柱锁定并使所述吸附孔的上部内腔与所述气流道连通以使抽真空机保持对晶圆片的吸附。
8.上述设置使用时，使气流道与抽真空机断开连通，在第一弹簧的弹力下支撑柱上端位于盘体上表面上方，将晶圆片正确放置于所述真空吸盘上时，晶圆片与支撑柱接触使得晶圆片与盘体上表面间留有间隙，当将气流道与抽真空机连通使抽真空机对气流道抽真
空时，在抽真空机产生的负压力下支撑柱克服第一弹簧弹力向下滑动，晶圆片向下移动直至接触盘体上表面，在抽真空机的负压力下支撑柱继续向下滑动使支撑柱的上端面离开晶圆片，当支撑柱继续下滑时，吸附孔上部内腔将产生负压将晶圆片吸附在盘体上表面，由于有第一弹簧的支撑，支撑柱的下滑速度受到限制，因此吸附孔上部内腔对晶圆片产生的吸附力是渐进增加的，当支撑柱的上端面离开晶圆片一定距离时，所述锁止机构将所述支撑柱与所述盘体锁止并使吸附孔的上部内腔与所述气流道连通以使抽真空机保持对晶圆片的吸附，这时便可运行超声磨削头进给对晶圆片进行研磨减薄。
9.由于有第一弹簧的缓冲，因此晶圆片被吸附在盘体上表面是一个渐进过程，因此抽真空机对晶圆片的吸附不会造成瞬间大力冲击，有效防止晶圆片的碎裂和变形。
10.进一步的，所述锁止机构包括形成于所述盘体内的第一通道、第二通道、横向滑道和设置于所述横向滑道内的锁止件；
11.所述第二通道竖直设置，第二通道的下端与所述气流道连通，第二通道的上端与所述吸附孔的上部内腔连通；
12.所述横向滑道水平设置，横向滑道与所述第二通道交叉连通，横向滑道的一端与所述吸附孔的中部内腔连通，当未对真空吸盘抽真空时，所述支撑柱的下部侧壁将横向滑道与吸附孔的中部内腔连通的一端封堵，横向滑道的另一端为封闭端，横向滑道的封闭端设置有将横向通道内腔与盘体外部空间连通的气孔；
13.所述锁止件包括与所述横向滑道密封滑动连接的滑块和固设于所述滑块的靠近所述吸附孔一端的锁杆，所述锁杆与所述横向滑道间隙设置，所述滑块上竖直贯穿滑块设置竖流孔，所述横向滑道的封闭端设置拉簧，所述拉簧的一端与所述滑块固定连接，拉簧的另一端与横向滑道的封闭端内壁固定连接，当未对真空吸盘抽真空时，在所述拉簧的拉力下，所述竖流孔与所述第二通道错开使得所述滑块将所述第二通道隔断封堵并使所述锁杆完全位于所述横向滑道内；
14.所述第一通道竖直设置于所述锁杆下方，第一通道的下端与所述气流道连通，第一通道的上端与所述横向滑道连通；
15.所述支撑柱的上部侧壁设置有与所述锁杆配合的锁孔，当所述支撑柱向下滑动使得所述锁孔与所述锁杆对齐时，所述支撑柱的上端面位于所述盘体的上表面下方，当所述锁杆插入所述锁孔时，滑块上的竖流孔与所述第二通道对齐使第二通道导通。
16.当对真空吸盘抽真空时，支撑柱向下滑动，与气流道连通的第一通道使得滑块被吸附向靠近吸附孔一端移动使锁杆挤压支撑柱侧壁，当所述支撑柱向下滑动使得所述锁孔与所述锁杆对齐时，锁杆插入所述锁孔时，滑块上的竖流孔与所述第二通道对齐使第二通道导通，进而使得气流道与吸附孔上部内腔连通使抽真空机对晶圆片产生持续吸附，抽真空机对晶圆片产生持续吸附时锁杆插入锁孔后支撑柱被固定不能上下滑动。
17.当研磨结束后停止抽真空，滑块靠近吸附孔一侧空间的吸附力减小，在拉簧的拉力下滑块带动锁杆向远离吸附孔方向滑动使锁杆脱离锁孔，滑块上的竖流孔与第二通道再度错开使第二通道被隔断，在第一弹簧的弹力下支撑柱向上滑动使晶圆片离开盘体上表面。
18.进一步的，沿所述支撑柱的轴线贯穿支撑柱设置吸附细孔，支撑柱的下方与所述吸附细孔同轴设置塞杆，所述塞杆的下端与所述气流道的底壁固定连接，塞杆的上端与所
述支撑柱的底部间隙设置，当所述支撑柱向下滑动使晶圆片的下表面接近盘体的上表面时，所述塞杆插入所述吸附细孔内与吸附细孔密封滑动连接将吸附细孔封堵。
19.吸附细孔可以在抽真空使支撑柱下滑时将晶圆片吸附在支撑柱上端面，防止支撑柱下滑时晶圆片脱离支撑柱滑移，由于吸附细孔直径较小产生的吸附力较小不会对晶圆片产生冲击，塞杆插入吸附细孔可以防止当支撑柱的上端面离开晶圆片时支撑柱上下方空间的气压相等造成的支撑柱不再向下滑动，进而造成锁杆不能对齐锁孔无法将支撑柱锁止固定，当支撑柱无法被锁止固定时，支撑柱可能会在吸附孔里上下来回滑动造成盘体抖动。
20.进一步的，多个所述气流道呈放射状设置且相互连通，所述进气口位于盘体底部中心，多个所述吸附孔均布于多个同心圆上，盘体表面对应设置多个与吸附孔连通的环形槽，在盘体上设置使气流道内腔与盘体外部空间连通的进气道，所述盘体上设置控制所述进气道通断的电磁阀。
21.晶圆片研磨结束后断开气流道与抽真空机的连接，控制电磁阀打开进气道使气流道与盘体外部空间连通使气体流入盘体内部，不需要采用设备向盘体内充入气体即可实现在第一弹簧和拉簧的回弹力下使晶圆片脱离盘体表面和使滑块复位。
22.进一步的，所述真空吸盘设置在分度盘上，所述分度盘固定连接在机架上，所述分度盘上周向均布3个所述真空吸盘，所述机架上竖直固定连接竖向支架，所述磨削单元包括用于对晶圆片进行粗加工的第一超声磨削头和进行精加工的第二超声磨削头，所述竖向支架上竖直设置分别供所述第一超声磨削头和所述第二超声磨削头竖直滑动的滑轨，竖向支架上固定连接分别驱动所述第一超声磨削头和所述第二超声磨削头沿所述滑轨滑动进给的第一进给气缸和第二进给气缸。
23.进一步的，所述机架上设置用于保护所述分度盘的外壳。
24.进一步的，所述机架上固定连接龙门架，所述龙门架上固定连接水平工作台，所述水平工作台上设置有用于对晶圆片进行上料的上料单元、用于对晶圆进行定中心和定相位的定位单元和用于转运晶圆的机械手。
25.进一步的，所述进气口处设置旋转气动接头，所述气管的一端与所述气动旋转接头密封连通，气管的另一端与抽真空机密封连通。
26.进一步的，在所述气管上设置控制气管通断的阀体开关。
27.进一步的，多个所述吸附孔均布于3个同心圆上，所述气流道有6根，6根所述气流道呈放射状均布且相互连通。
附图说明
28.此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本技术的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
29.图1为本发明立体图。
30.图2为分度盘与机架结合示意图。
31.图3为水平工作台与外壳示意图。
32.图4为安装了磨削头的竖向支架示意图。
33.图5为真空吸盘结构示意图。
34.图6为真空吸盘俯视图。
35.图7为图5中a部放大图。
36.图8为支撑柱锁止后的真空吸盘结构示意图。
37.图9为图8中b部放大图。
38.图10为盘体内气流道布置示意图。
39.附图中各标号的含义为：
40.机架-10；龙门架-101；竖向支架-102；水平工作台-103；上料单元-104；定位单元-105；机械手-106；真空吸盘-20；盘体-201；气流道-202；吸附孔-203；进气口-204；气管-205；支撑柱-206；锁孔-2061；吸附细孔-2062；第一弹簧-207；塞杆-208；环形槽-209；第一通道-301；第二通道-302；横向滑道-303；气孔-304；滑块-305；竖流孔-3051；锁杆-306；拉簧-307；进气道-401；电磁阀-402；分度盘-50；第一超声磨削头-501；第二超声磨削头-502；滑轨-503；第一进给气缸-504；第二进给气缸-505；外壳-60；晶圆片-70。
具体实施方式
41.为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术具体实施例及相应的附图对本技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
42.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
43.如图1-图4所示，本公开的晶圆用超声减薄设备，用以对晶圆片进行磨削减薄并有效防止晶圆片变形或碎裂，包括机架10，所述机架10上固定连接分度盘50、龙门架101和竖向支架102。
44.所述分度盘50上周向均布有3个真空吸盘20，所述龙门架101上固定连接水平工作台103，所述水平工作台103上设置有用于对晶圆片70进行上料的上料单元104、用于对晶圆片70进行定中心和定相位的定位单元105和用于转运晶圆片70的机械手106，所述竖向支架102竖直设置，竖向支架102上设置对晶圆片70进行粗加工的第一超声磨削头501和进行精加工的第二超声磨削头502，所述竖向支架102上竖直设置分别供所述第一超声磨削头501和所述第二超声磨削头502竖直滑动的滑轨503，竖向支架102上固定连接分别驱动所述第一超声磨削头501和所述第二超声磨削头502沿所述滑轨503滑动进给的第一进给气缸504和第二进给气缸505，机架10上设置用于保护所述分度盘50的外壳60。
45.如图5、图6、图10所示，所述真空吸盘20包括盘体201，所述盘体201内均布多个气流道202和吸附孔203，在本实施例中，所述气流道202有6根，6根所述气流道202呈放射状均布且相互连通并具有共同进气口204，所述进气口204位于盘体201底部中心，进气口204通过气管205与抽真空机密封连通，具体可在进气口204处密封连接气动旋转接头，所述气管205的一端与所述气动旋转接头密封连通，气管205的另一端与抽真空机密封连通，在气管205上设置控制气管205通断的阀体开关。
46.所述吸附孔203竖直设置，本实施例中，多个所述吸附孔203均布于3个同心圆上，盘体201表面对应设置多个与吸附孔203连通的环形槽209，在盘体201上设置使气流道202
内腔与盘体201外部空间连通的进气道401，所述盘体201上设置控制所述进气道401通断的电磁阀402。吸附孔203的下端与所述气流道202连通，吸附孔203的上端与盘体201外部空间连通，所述吸附孔203内密封滑动设置支撑柱206，所述支撑柱206为上部直径小于下部直径的阶梯柱使得支撑柱206上部外壁与所述吸附孔203内壁间隙设置，支撑柱206的下方设置第一弹簧207，第一弹簧207的上端与支撑柱206固定连接，第一弹簧207的下端与气流道202内壁固定连接，当未对所述真空吸盘20抽真空时，在所述第一弹簧207的弹力下，所述支撑柱206的上端向上伸出所述盘体201的上表面；
47.沿所述支撑柱206的轴线贯穿支撑柱206设置吸附细孔2062，支撑柱206的下方与所述吸附细孔2062同轴设置塞杆208，所述塞杆208的下端与所述气流道202的底壁固定连接，塞杆208的上端与所述支撑柱206的底部间隙设置，当所述支撑柱206向下滑动使晶圆片70的下表面接近盘体201的上表面时，所述塞杆208插入所述吸附细孔2062内与吸附细孔2062密封滑动连接将吸附细孔2062封堵。
48.盘体201内设置锁止机构，当对所述真空吸盘20抽真空使晶圆片70贴合在所述盘体201的上表面时，所述支撑柱206的上端面位于所述盘体201上表面的下方，所述锁止机构将所述支撑柱206锁定并使所述吸附孔203的上部内腔与所述气流道202连通以使抽真空机保持对晶圆片70的吸附。
49.结合图7、图9所示，所述锁止机构包括形成于所述盘体201内的第一通道301、第二通道302、横向滑道303和设置于所述横向滑道303内的锁止件；
50.所述第二通道302竖直设置，第二通道302的下端与所述气流道202连通，第二通道302的上端与所述吸附孔203的上部内腔连通；
51.所述横向滑道303为水平设置的方形滑道，横向滑道303与所述第二通道302交叉连通，横向滑道303的一端与所述吸附孔203的中部内腔连通，当未对真空吸盘20抽真空时，所述支撑柱206的下部侧壁将横向滑道303与吸附孔203的中部内腔连通的一端封堵，横向滑道303的另一端为封闭端，横向滑道303的封闭端设置有将横向通道内腔与盘体201外部空间连通的气孔304；
52.所述锁止件包括与所述横向滑道303密封滑动连接的滑块305和固设于所述滑块305的靠近所述吸附孔203一端的锁杆306，所述锁杆306与所述横向滑道303间隙设置，所述滑块305上竖直贯穿滑块305设置竖流孔3051，所述横向滑道303的封闭端设置拉簧307，所述拉簧307的一端与所述滑块305固定连接，拉簧307的另一端与横向滑道303的封闭端内壁固定连接，当未对真空吸盘20抽真空时，在所述拉簧307的拉力下，所述竖流孔3051与所述第二通道302错开使得所述滑块305将所述第二通道302隔断封堵并使所述锁杆306完全位于所述横向滑道303内；
53.所述第一通道301竖直设置于所述锁杆306下方，第一通道301的下端与所述气流道202连通，第一通道301的上端与所述横向滑道303连通；
54.如图7-图9所示，所述支撑柱206的上部侧壁设置有与所述锁杆306配合的锁孔2061，当所述支撑柱206向下滑动使得所述锁孔2061与所述锁杆306对齐时，所述支撑柱206的上端面位于所述盘体201的上表面下方，当所述锁杆306插入所述锁孔2061时，滑块305上的竖流孔3051与所述第二通道302对齐使第二通道302导通。
55.本发明在使用时，控制电磁阀402使进气道401关闭，气流道202与抽真空机断开连
接，此时在第一弹簧207的弹力下支撑柱206的上端向上伸出盘体201外，此时3个真空吸盘20中的2个正空吸盘分别位于所述第一超声磨削头501和所述第二超声磨削头502正下方，剩下一个真空吸盘20位于外壳60的外部，
56.位于控制机械手106将上料单元104中的晶圆片70转运至定位单元105进行定位，再将定位后的晶圆片70转运放置于位于外壳60外部的真空吸盘20的支撑柱206的上端面上，当将气流道202与抽真空机连通使抽真空机对气流道202抽真空时，晶圆片70被吸附细孔2062吸附在支撑柱206上端面，在抽真空机产生的负压力下支撑柱206克服第一弹簧207弹力向下滑动。晶圆片70向下移动直至接触盘体201上表面，支撑柱206继续向下滑动使支撑柱206的上端面离开晶圆片70，此时塞杆208插入吸附细孔2062内将吸附细孔2062封堵，当支撑柱206继续下滑时，吸附孔203上部内腔将产生负压将晶圆片70吸附在盘体201上表面，由于有第一弹簧207的支撑，支撑柱206的下滑速度受到限制，因此吸附孔203上部内腔对晶圆片70产生的吸附力是渐进增加的。
57.与气流道202连通的第一通道301使得滑块305被吸附向靠近吸附孔203一端移动使锁杆306挤压支撑柱206侧壁，当所述支撑柱206向下滑动使得所述锁孔2061与所述锁杆306对齐时，锁杆306插入所述锁孔2061时，滑块305上的竖流孔3051与所述第二通道302对齐使第二通道302导通，进而使得气流道202与吸附孔203上部内腔连通使抽真空机对晶圆片70产生持续吸附，抽真空机对晶圆片70产生持续吸附时锁杆306插入锁孔2061后支撑柱206被固定不能上下滑动，这时驱动分度盘50转动120度，使放置了晶圆片70的真空吸盘20位于第一超声磨削头501下方进行粗加工，接着在位于外壳60外的真空吸盘20上在放置上晶圆片70等待粗加工，粗加工结束后使分度盘50旋转120度使粗加工后的晶圆片70位于第二超声磨削头502下方进行精加工，精加工结束后将精加工后晶圆片70所在的真空吸盘与抽真空机断开，控制电磁阀402打开进气道401使气流道202与盘体201外部空间连通使气体流入盘体201内部，不需要采用设备向盘体201内充入气体即可实现在第一弹簧207和拉簧307的回弹力下使晶圆片70脱离盘体201表面和使滑块305复位。
58.由于有第一弹簧207的缓冲，因此晶圆片70被吸附在盘体201上表面是一个渐进过程，因此抽真空机对晶圆片70的吸附不会造成瞬间大力冲击，有效防止晶圆片70的碎裂和变形。
59.以上的仅是本发明的实施例，方案中公知的具体结构及特性等常识在此未作过多描述。应当指出，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本发明结构的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些也应该视为本发明的保护范围，这些都不会影响本发明实施的效果和专利的实用性。本技术要求的保护范围应当以其权利要求的内容为准，说明书中的具体实施方式等记载可以用于解释权利要求的内容。

技术特征：

1.一种晶圆用超声减薄设备，包括用于固定晶圆片的吸附单元和对晶圆片表面进行磨削的磨削单元，所述吸附单元包括用于吸附晶圆片的真空吸盘，所述真空吸盘通过气管与外部抽真空机连通，所述磨削单元包括竖直设置于所述真空吸盘上方的超声磨削头，其特征在于：所述真空吸盘包括盘体，所述盘体内均布多个气流道和吸附孔，多个所述气流道水平设置并具有共同进气口，所述进气口通过所述气管与抽真空机密封连通，多个所述吸附孔竖直设置，吸附孔的下端与所述气流道连通，吸附孔的上端与盘体外部空间连通，所述吸附孔内密封滑动设置支撑柱，所述支撑柱为上部直径小于下部直径的阶梯柱，支撑柱下方设置第一弹簧，第一弹簧的上端与支撑柱固定连接，第一弹簧的下端与气流道内壁固定连接，当未对所述真空吸盘抽真空时，在所述第一弹簧的弹力下，所述支撑柱的上端向上伸出所述盘体的上表面；盘体内设置锁止机构，当对所述真空吸盘抽真空使晶圆片贴合在所述盘体的上表面时，所述支撑柱的上端面位于所述盘体上表面的下方，所述锁止机构将所述支撑柱锁定并使所述吸附孔的上部内腔与所述气流道连通以使抽真空机保持对晶圆片的吸附。2.根据权利要求1所述的晶圆用超声减薄设备，其特征在于：所述锁止机构包括形成于所述盘体内的第一通道、第二通道、横向滑道和设置于所述横向滑道内的锁止件；所述第二通道竖直设置，第二通道的下端与所述气流道连通，第二通道的上端与所述吸附孔的上部内腔连通；所述横向滑道水平设置，横向滑道与所述第一通道交叉连通，横向滑道的一端与所述吸附孔的中部内腔连通，当未对真空吸盘抽真空时，所述支撑柱的下部侧壁将横向滑道与吸附孔的中部内腔连通的一端封堵，横向滑道的另一端为封闭端，横向滑道的封闭端设置有将横向通道内腔与盘体外部空间连通的气孔；所述锁止件包括与所述横向滑道密封滑动连接的滑块和固设于所述滑块的靠近所述吸附孔一端的锁杆，所述锁杆与所述横向滑道间隙设置，所述滑块上竖直贯穿滑块设置竖流孔，所述横向滑道的封闭端设置拉簧，所述拉簧的一端与所述滑块固定连接，拉簧的另一端与横向滑道的封闭端内壁固定连接，当未对真空吸盘抽真空时，在所述拉簧的拉力下，所述竖流孔与所述第二通道错开使得所述滑块将所述第二通道隔断封堵并使所述锁杆完全位于所述横向滑道内；所述第一通道竖直设置于所述锁杆下方，第一通道的下端与所述气流道连通，第一通道的上端与所述横向滑道连通，所述支撑柱的上部侧壁设置有与所述锁杆配合的锁孔。3.根据权利要求2所述的晶圆用超声减薄设备，其特征在于：沿所述支撑柱的轴线贯穿支撑柱设置吸附细孔，支撑柱的下方与所述吸附细孔同轴设置塞杆，所述塞杆的下端与所述气流道的底壁固定连接，塞杆的上端与所述支撑柱的底部间隙设置，当所述支撑柱向下滑动使晶圆片的下表面接近盘体的上表面时，所述塞杆插入所述吸附细孔内与吸附细孔密封滑动连接将吸附细孔封堵。4.根据权利要求3所述的晶圆用超声减薄设备，其特征在于：多个所述气流道呈放射状设置且相互连通，所述进气口位于盘体底部中心，多个所述吸附孔均布于多个同心圆上，盘体表面对应设置多个与吸附孔连通的环形槽，在盘体上设置使气流道内腔与盘体外部空间连通的进气道，所述盘体上设置控制所述进气道通断的电磁阀。
5.根据权利要求4所述的晶圆用超声减薄设备，其特征在于：所述真空吸盘设置在分度盘上，所述分度盘固定连接在机架上，所述分度盘上周向均布3个所述真空吸盘，所述机架上竖直固定连接竖向支架，所述磨削单元包括用于对晶圆片进行粗加工的第一超声磨削头和进行精加工的第二超声磨削头，所述竖向支架上竖直设置分别供所述第一超声磨削头和所述第二超声磨削头竖直滑动的滑轨，竖向支架上固定连接分别驱动所述第一超声磨削头和所述第二超声磨削头沿所述滑轨滑动进给的第一进给气缸和第二进给气缸。6.根据权利要求5所述的晶圆用超声减薄设备，其特征在于：所述机架上设置用于保护所述分度盘的外壳。7.根据权利要求6所述的晶圆用超声减薄设备，其特征在于：所述机架上固定连接龙门架，所述龙门架上固定连接水平工作台，所述水平工作台上设置有用于对晶圆片进行上料的上料单元、用于对晶圆片进行定中心和定相位的定位单元和用于转运晶圆片的机械手。8.根据权利要求7所述的晶圆用超声减薄设备，其特征在于：所述进气口处设置旋转气动接头，所述气管的一端与所述气动旋转接头密封连通，气管的另一端与抽真空机密封连通。9.根据权利要求8所述的晶圆用超声减薄设备，其特征在于：在所述气管上设置控制气管通断的阀体开关。10.根据权利要求9所述的晶圆用超声减薄设备，其特征在于：多个所述吸附孔均布于3个同心圆上，所述气流道有6根，6根所述气流道呈放射状均布且相互连通。

技术总结

本发明涉及半导体产品加工设备技术领域，特别涉及一种晶圆用超声减薄设备，包括吸附单元和磨削单元，所述吸附单元包括真空吸盘，所述真空吸盘通过气管与外部抽真空机连通，所述磨削单元包括竖直设置于所述真空吸盘上方的超声磨削头，所述真空吸盘包括盘体，所述盘体内均布多个气流道和吸附孔，多个吸附孔竖直设置，所述吸附孔内密封滑动设置支撑柱，支撑柱下方设置第一弹簧，所述支撑柱的上端向上伸出所述盘体的上表面，盘体内设置锁止机构，当晶圆片贴合在所述盘体的上表面时，锁止机构将支撑柱锁定并使吸附孔的上部内腔与气流道连通以使抽真空机保持对晶圆片的吸附。本发明能有效防止晶圆片被吸附产生变形碎裂。效防止晶圆片被吸附产生变形碎裂。效防止晶圆片被吸附产生变形碎裂。