一种基于环硼氮烷的化合物及在有机电子器件中的应用

一种基于环硼氮烷的化合物及在有机电子器件中的应用

所属技术领域:

本发明涉及一种新型基于环硼氮烷的化合物,至少包含有一供电子基及一吸电子基，及其在 有机电子器件，特别是有机发光器件中的应用,及相应的有机电子器件的生产方法及其在照明 和显示技术及其他场合中的应用。

背景技术:

有机发光器件，特别是有机发光二极管(OLED)(参见TANG等Appl.Phys.Lett.1987,51, p913),由于其自主发光,高亮度,丰富的通过化学合成对颜的可调性,柔性等成为目前最有希 望的下一代显示及照明技术。特别是它们可能通过打印的方法,如喷墨打印(InkJet Printing), 丝网印刷(Screen Printing)等技术从溶液中成膜,从而可大大降低制造成本,因此对大屏幕显示 器和照明器就特别有吸引力。

基于小分子的OLED性能已有长足的进步，已达到商业化的阶段。但整体OLED的性能，特别 是效率，寿命仍需提高。对通常的有机化合物，根据量子自旋统计原理，载流子复合产生单 线态和三线态激子的比例预计在1:3。由于只有单线态激子对发光有贡献，所以最高内部量子 效率为25％。目前高效率的OLED一般通过磷光发光材料来实现。磷光发光材料一般是金属 有机络合物，但它合成复杂，且需要Ir，Pt等稀有金属，存在成本高的问题。另外，稳定的 蓝光，特别是深蓝磷光发光材料还没有。Adachi等最近报道了(Nature Vol492,234,(2012)) 有机热激发延迟荧光材料(thermally activated delayed fluorescence以下简称TADF)。这是 技术上的一大进步，并为解决磷光发光材料的高成本提供了一条新路。但Adachi等报道得 TADF材料只限于浅蓝，较深蓝或深蓝材料仍需开发。

发明内容

为了解决综上所述的问题，本发明提供一种新型的基于环硼氮烷的化合物,其至少包含 有一供电子基及一吸电子基。根据本发明的化合物,具有大的能隙，且易于具有较小的 Δ(S1-T1)，从而易于实现TADF，扩展了可用于有机发光器件，特别是蓝光器件的材料选项。 本发明涉及一组合物，包含有至少一种按照本发明的化合物和至少一种有机溶剂。本发明的 第三个目的是提供一种有机电子器件，特别是有机发光器件，包含有一层或多层有机功能薄 膜，其中至少有一层薄膜包含有至少一种按照本发明的化合物。

发明的详细描述

应当认识到，以下所做的描述和显示的具体实施是本发明的实例，并不意味着以任何方式另 外限制本发明的范围。实际上，出于简洁的目的，在此可能没有详细描述常规电子器件、制 造方法、半导体器件，以及相关的有机材料，以及系统的其它功能。

本发明提供一种新型的基于环硼氮烷的化合物，具有以下通式0

其中D为供电子基，A为吸电子基，核B为一包含有环硼氮烷的基团，m,n为1-6的整数。

在一个优选的实施例中，核B选自包含有如下结构的基团，其中任意两个H可以被吸电子基A 或供电子基D或其他基团取代。

在本发明中，小分子有机材料是指分子量至多为5000g/mol的材料，分子量高于5000g/mol的 材料统称为高聚物。

在本发明中，有机功能材料是指具有一电子或光学性能的有机材料，空穴(也称电洞)注入或 传输材料(HIM/HTM)，空穴阻挡材料(HBM),电子注入或传输材料(EIM/ETM)，电子阻挡材料 (EBM),有机基质材料(Host)，单重态发光体(荧光发光体)，三重态发光体(磷光发光体)，特 别是发光有机金属络合物，及染料。在本发明中，Host，主体材料，基体材料和基质材料具 有相同的含义，它们可以互换。有机功能材料的结构式，特别是其核心结构式称为相应的有 机功能结构单元。适合的有机功能材料，及功能结构单元在本文后面有详细的说明。

在一个优选的实施例中，按照本发明的化合物，具有以下通式1

其中:R¹-R⁶分别独立选自氢原子，苯环，供电子基，吸电子基或其他取代基，但至少有一个 选自供电子基，至少有一个选自吸电子基。

在一个优先的实施方案中，通式1中R¹-R⁶中至少有两个是吸电子基。

在另一个优先的实施方案中，通式1中R¹-R⁶中至少有两个是供电子基。

在一个很优先的实施方案中，通式1中R¹-R⁶中至少有两个是吸电子基，且至少有两个是吸 电子基。

在一个很优先的实施方案中，通式1所表达的化合物不包含任何金属元素。

通式1中所述的供电子基可选自具有以下通式2-4中任一骨架的基团:

其中:Z¹＝H,O,S或Si,A¹及A²可分别独立形成芳香环，杂芳香环，脂肪环或非芳香族杂环； 通式3中，R²⁰表示H,芳基，或形成A⁴所示之环所必需的原子，A³及A⁴也可分别独立 形成杂芳香环或非杂芳香环；通式4中，Z²,Z³,Z⁴,Z⁵分别独立表示O或S。

在一个优先的实施方案中，通式1中所述的供电子基选自包含有以下通式D1-D30中任一骨架 的基团:

通式1中所述的吸电子基可选自F，氰基或具有以下通式中任一骨架的基团:

其中n是一个从1到3的整数；X¹-X⁸选于CH或N，其中至少有一个是N。

在一个优先的实施方案中，通式1中所述的吸电子基选自氰基或包含有如下基团:

有机材料的三线态能级T1可通过低温时间分辨光谱来测量，或通过量子模拟计算(如通过 Time-dependent DFT)得到，如通过商业软件Gaussian03W(Gaussian Inc.).具体的模拟方法可 参见WO2011141110。有机材料的单线态能级S1，可通过吸收光谱，或发射光谱来确定，也 可通过量子模拟计算(如Time-dependent DFT)得到。应该注意，T1及S1的值取决于所用的测 量或计算方法。有意义的比较应该基于同样的方法。本发明的描述中，T1及S1的值是基于 Time-dependent DFT的模拟。但不影响其他测量或计算方法的应用。

在一个特别优先的实施方案中，按照本发明的化合物，其Δ(S1-T1)≦0.30eV,较好是 ≦0.25eV，更好是≦0.20eV，最好是≦0.10eV。

本发明也涉及一混合物，其中包含有至少一种按照本发明的化合物，及至少一种的有机功能 材料。有机功能材料可选自空穴注入材料(HIM)或是空穴传输材料(HTM)或是电子阻挡材料 (EBM)，电子注入材料(EIM)或是电子传输材料(ETM)或是空穴阻挡材料(HBM)，主体材料 (Host)，荧光发光体或磷光发光体，或是它们的各种组合。合适的有机功能材料将在本文后 面描述。

在一个优先的实施方案中，所述的混合物包含有至少一种按照本发明的化合物，及至少一种 的有机主体材料，其中有机主体材料的T1大于按照本发明的化合物的T1。

在一个更加优先的实施方案中，所述的混合物包含有至少一种按照本发明的化合物，及至少 一种的有机主体材料，其中有机主体材料的T1大于按照本发明的化合物的S1。

在某些实施例中，所述的混合物也包含有高聚物材料。所有包含有本文所述的小分子材料的 结构作为重复单元的高聚物材料都是合适的材料。在一个优先的实施方案中，本发明中的组 合物包含有共轭高聚物，合适的共轭高聚物有聚芴(polyfluorene),聚螺-联芴 (poly(spiro-bifluorene))，聚茚并芴(polyindenofluorene)，聚(对-亚苯基-亚乙烯基) (poly(p-phenylen-vinylene))，聚(对亚苯基)(poly(para-phenylene)),极其衍生物。

本发明还涉及一组合物，其中包含有至少一种按照本发明的化合物，至少一种有机溶剂。有 机溶剂的例子，包括(但不限于)，甲醇，乙醇，2-甲氧基乙醇，二氯甲烷，，氯苯， 邻二氯苯，四氢呋喃，苯甲醚，吗啉，甲苯，邻二甲苯，间二甲苯，对二甲苯，1,4二氧杂环 己烷，丙酮，，1,2二氯乙烷，3-苯氧基甲苯，1,1,1-三氯乙烷，1,1,2,2-四氯 乙烷，醋酸乙酯，醋酸丁酯，二甲基甲酰胺，二甲基乙酰胺，二甲基亚砜，四氢萘，萘烷， 茚和/或它们的混合物。

在一个优先的实施方案中，按照本发明的组合物是一溶液。

在另一个的实施方案中，按照本发明的组合物是一悬浮液。

本发明的组合物能够包括0.01至20wt％、优选0.1至15wt％,更优选0.2至10wt％,最优选0.25 至5wt％的有机功能材料。所述百分比数据涉及100％的溶剂或溶剂混合物。

本发明还涉及所述组合物作为涂料或印刷油墨在制备有机电子器件时的用途，特别优先的是通 过打印或涂布的制备方法。

适合的打印或涂布技术包括(但不限于)喷墨打印，活版印刷，丝网印刷，浸涂，旋转涂布， 刮刀涂布，辊筒印花，扭转辊印刷，平版印刷，柔版印刷，轮转印刷，喷涂，刷涂或移印， 狭缝型挤压式涂布等。首选的是凹版印刷，丝网印刷及喷墨印刷。凹版印刷，喷墨印刷将在 本发明的实施例中应用。溶液或悬浮液可以另外包括一个或多个组份例如表面活性化合物， 润滑剂，润湿剂，分散剂，疏水剂，粘接剂等，用于调节粘度，成膜性能，提高附着性等。 有关打印技术，及其对有关溶液的相关要求，如溶剂及浓度，粘度等，的详细信息请参见 Helmut Kipphan主编的《印刷媒体手册:技术和生产方法》(Handbook of Print Media: Technologies and Production Methods),ISBN3-540-67326-1。

本发明进一步涉及一有机电子器件，包含有一层或多层有机功能薄膜，其中至少有一层薄膜 包含有按照本发明的化合物。

合适的有机电子器件包括但不限于有机发光二极管，有机发光电池，有机光伏电池，有机场效 应管，有机发光场效应管，有机传感器及有机等离激元发射二极管(Organic Plasmon Emitting Diode)。优选的有机电子器件有有机发光二极管，有机发光电池。

以上所述的发光器件中，包括一基片，一阳极，至少一发光层，一阴极。基片可以是不透明 或透明。一个透明的基板可以用来制造一个透明的发光元器件。例如可参见，Bulovic等Nature 1996,380,p29，和Gu等，Appl.Phys.Lett.1996,68,p2606。基材可以是刚性的或弹性的。 基片可以是塑料，金属，半导体晶片或玻璃。最好是基片有一个平滑的表面。无表面缺陷的 基板是特别理想的选择。在一个优先的实施例中，基片可选于聚合物薄膜或塑料，其玻璃化 温度Tg为150℃以上，较好是超过200℃，更好是超过250℃，最好是超过300℃。合适的基 板的例子有聚(对苯二甲酸乙二醇酯)(PET)和聚乙二醇(2,6-萘)(PEN)。

阳极可包括一导电金属或金属氧化物，或导电聚合物。阳极可以容易地注入空穴到HIL或HTL 或发光层中。在一个的实施例中，阳极的功函数和发光层中无机半导体发光体或作为HIL或HTL 或EBL的p型半导体材料的HOMO能级或价带能级的差的绝对值小于0.5eV，较好是小于0.3 eV,最好是小于0.2eV。阳极材料的例子包括但不限于，Al,Cu,Au,Ag,Mg,Fe,Co,Ni,Mn, Pd,Pt，ITO，铝掺杂氧化锌(AZO)等。其他合适的阳极材料是已知的，本领域普通技术人 员可容易地选择使用。阳极材料可以使用任何合适的技术沉积，如一合适的物理气相沉积法， 包括射频磁控溅射，真空热蒸发，电子束(e-beam)等。

在某些实施例中，阳极是图案结构化的。图案化的ITO导电基板可在市场上买到，并且可以用 来制备根据本发明的器件。

阴极可包括一导电金属或金属氧化物。阴极可以容易地注入电子到EIL或ETL或直接到发光层 中。在一个的实施例中，阴极的功函数和发光层中无机半导体发光体或作为EIL或ETL或HBL 的n型半导体材料的LUMO能级或导带能级的差的绝对值小于0.5eV，较好是小于0.3eV,最 好是小于0.2eV。原则上，所有可用作OLED的阴极的材料都可能作为本发明器件的阴极材料。 阴极材料的例子包括但不限于，Al,Au,Ag,Ca,Ba,Mg,LiF/Al,MgAg合金,BaF₂/Al，Cu,Fe, Co,Ni,Mn,Pd,Pt，ITO等。阴极材料可以使用任何合适的技术沉积，如一合适的物理气相沉 积法，包括射频磁控溅射，真空热蒸发，电子束(e-beam)等。

在一个优先的实施例中，按照本发明的发光器件中，其发光层是通过打印本发明的组合物制 备而成。

本发明还涉及按照本发明的发光器件在各种电子设备中的应用，包括，但不限于，显示设备, 照明设备,光源,传感器等等。

本发明还涉及包含有按照本发明的发光器件的电子设备，包括，但不限于，显示设备,照明设 备,光源,传感器等等。

下面对有机功能材料作一些较详细的描述(但不限于此)。原则上，所有的用于OLEDs的有 机功能材料，包括空穴(也称电洞)注入或传输材料(HIM/HTM)，空穴阻挡材料(HBM),电子注 入或传输材料(EIM/ETM)，电子阻挡材料(EBM),有机基质材料(Host)，单重态发光体(荧光发 光体)，重态发光体(磷光发光体)，特别是发光有机金属络合物，染料(Dye)，都可用于本发明 的发光器件中。例如在WO2010135519A1,US20090134784A1和WO2011110277A1中对各种 有机功能材料有详细的描述，特此将此3专利文件中的全部内容并入本文作为参考。

1.HIM/HTM

合适的有机HTM材料可选包含有如下结构单元的化合物:酞菁(phthlocyanine),卟啉 (porphyrine)，胺(amine),芳香胺，联苯类三芳胺(triarylamine),噻吩(thiophene),并噻吩 (fused thiophene)如二噻吩并噻吩(dithienothiophene)和并噻吩(dibenzothiphene),吡咯 (pyrrole),苯胺(aniline),咔唑(carbazole),氮茚并氮芴(indolocarbazole),及它们的衍生物。另 位的合适的HTM也包括含有氟烃(fluorohydrocarbon)的聚合物；含有导电掺杂的聚合物； 导电聚合物，如PEDOT/PSS；自组装单体,如含有膦酸和sliane衍生物的化合物；金属氧化 物，如MoOx；金属络合物，和交联化合物等。

可用作HIM或HTM的环芳香胺衍生化合物的例子包括(但不限于)如下的一般结构：

每个Ar¹到Ar⁹可独立选自环芳香烃化合物，如苯，联苯，三苯基，苯并，萘，蒽，phenalene， 菲，芴，芘，屈，苝，薁；芳香杂环化合物，如二苯并噻吩，二苯并呋喃，呋喃，噻吩，苯 并呋喃，苯并噻吩，咔唑，吡唑，咪唑，三氮唑，异恶唑，噻唑，恶二唑，oxatriazole，二 恶唑，噻二唑，吡啶，哒嗪，嘧啶，吡嗪，三嗪，恶嗪，oxathiazine，oxadiazine，吲哚， 苯并咪唑，吲唑，indoxazine，苯并恶唑，benzisoxazole，苯并噻唑，喹啉，异喹啉，邻二 氮(杂)萘，喹唑啉，喹喔啉，萘，酞，蝶啶，氧杂蒽，吖啶，吩嗪，吩噻嗪，吩恶嗪， dibenzoselenophene，benzoselenophene，benzofuropyridine，indolocarbazole， pyridylindole，pyrrolodipyridine，furodipyridine，benzothienopyridine，thienodipyridine， benzoselenophenopyridine和selenophenodipyridine；包含有2至10环结构的基团，它们 可以是相同或不同类型的环芳香烃基团或芳香杂环基团，并彼此直接或通过至少一个以下的 基团连结在一起,如氧原子，氮原子，硫原子，硅原子，磷原子，硼原子，链结构单元和脂 肪环基团。其中，每个Ar可以进一步被取代，取代基可选为氢，烷基，烷氧基，氨基，烯， 炔，芳烷基，杂烷基，芳基和杂芳基。

在一个方面，Ar¹到Ar⁹可独立选自包含如下组的基团:

n是1到20的整数；X¹到X⁸是CH或N；Ar¹是芳基或杂芳基。

环芳香胺衍生化合物的另外的例子可参见US3567450,US4720432,US5061569, US3615404,和US5061569.

可用作HTM或HIM的金属络合物的例子包括(但不限于)如下的一般结构:

M是一金属,有大于40的原子量；

(Y¹-Y²)是一两齿配体,Y¹和Y²独立地选自C,N,O,P,和S；L是一个辅助配体；m是一整 数，其值从1到此金属的最大配位数；m+n是此金属的最大配位数。

在一个实施例中，(Y¹-Y²)是一2-苯基吡啶衍生物.

在另一个实施例中,(Y¹-Y²)是一卡宾配体.

在另一个实施例中,M选于Ir,Pt,Os,和Zn.

在另一个方面，金属络合物的HOMO大于-5.5eV(相对于真空能级).

在下面的表中列出合适的可作为HIM/HTM化合物的例子:

2.EIM/ETM

原则上，合适的n型有机半导体材料可选于所有的用于OLEDs的EIM/ETM。EIM/ETM材料 的例子并不受特别的限制，任何金属络合物或有机化合物都可能被用作为ETM,只要它们可以传输电子。 优先的有机ETM材料可选自三(8-羟基喹啉)铝(AlQ₃),吩嗪(Phenazine),菲罗啉 (Phenanthroline),蒽(Anthracene),菲(Phenanthrene),芴(Fluorene),二芴(Bifluorene),螺 二芴(Spiro-bifluorene),对苯乙炔(Phenylene-vinylene),三嗪(triazine),三唑(triazole),咪唑 (imidazole)，芘(Pyrene),苝(Perylene),反茚并芴(trans-Indenofluorene),顺茚并 (cis-Indenonfluorene),二苯并-茚并芴(Dibenzol-indenofluorene),茚并萘 (Indenonaphthalene),苯并蒽(benzanthracene)及它们的衍生物.

另一方面,可用作EIM/ETM的化合物是至少包含一个以下基团的分子:

R¹可选于如下的基团:氢，烷基，烷氧基，氨基，烯，炔，芳烷基，杂烷基，芳基和杂芳基， 当它们是芳基或杂芳基时，它们与上述HTM中的Ar¹和Ar²意义相同；

Ar¹-Ar⁵与在HTM中所描述的Ar¹意义相同；

n是一个从0到20的整数；

X¹-X⁸选于CH或N，其中至少有一个是N.

另一方面,可用作EIM/ETM的金属络合物的例子包括(但不限于)如下的一般结构:

(O-N)或(N-N)是一两齿配体,其中金属与O,N或N,N配位；L是一个辅助配体；m是一 整数，其值从1到此金属的最大配位数。

在另一个优先的实施方案中,有机碱金属化合物可用作EIM。在本发明中,有机碱金属化合 物可以理解挖为如下的化合物，其中至少有一个碱金属，即锂，钠，钾，铷，铯，并进一步 包含至少一个有机配体。

合适的有机碱金属化合物，包括US7767317B2，EP1941562B1和EP1144543B1中所描述的 化合物。

优先选择的有机碱金属化合物是下列化学式的化合物:

其中R¹的含义如上所述，弧线代表两个或三个原子及键接，以便必要时的与金属M形成5 元或六元环，其中原子也可以由一个或多个R¹取代，M为碱金属，选自锂，钠，钾，铷，铯。 有机碱金属化合物可以有单体的形式，如以上所述的，或有聚集体的形式，例如，两碱金属 离子与两个配体,4碱金属离子和4配体，6碱金属离子和6配体或在其他的形式。

特别优先选择的有机碱金属化合物是下列化学式的化合物:

其中使用的符号与前述定义的相同,另外：M是碱金属元素

o，每次出现时可以是相同或不同，是0，1，2，3或4；

p，每次出现时可以是相同或不同，是0，1，2或3；

在一个优先的实施方案中,碱金属M选自锂，钠，钾，更好是锂或钠，最好是锂。

在一个优先的实施方案中,有机碱金属化合物电子注入层中.更好地,电子注入层由有机碱 金属化合物组成。

在另一个优先的实施方案中,有机碱金属化合物掺杂到其他ETM中形成电子传输层或电子 注入层中.更好地,是电子传输层。

在下面的表中列出合适的有机碱金属化合物的例子:

3.三重态基质材料(Triplet Host):

三重态基质材料的例子并不受特别的限制，任何金属络合物或有机化合物都可能被用作为基质, 只要其三重态能量比发光体,特别是三重态发光体或磷光发光体更高。

可用作三重态基质(Host)的金属络合物的例子包括(但不限于)如下的一般结构:

M是一金属；(Y³-Y⁴)是一两齿配体,Y³和Y⁴独立地选自C,N,O,P,和S；L是一个辅助配 体；m是一整数，其值从1到此金属的最大配位数；m+n是此金属的最大配位数。

在一个优先的实施方案中，可用作三重态基质的金属络合物有如下形式：

(O-N)是一两齿配体,其中金属与O和N原子配位.

在某一个实施方案中,M可选于Ir和Pt.

可作为三重态基质的有机化合物的例子选自包含有环芳香烃基的化合物,碍如苯，联苯，三苯 基，苯并，芴；测试；包含有芳香杂环基的化合物,如二苯并噻吩，二苯并呋喃， dibenzoselenophene，呋喃，噻吩，苯并呋喃,苯并噻吩，benzoselenophene，咔唑， indolocarbazole，pyridylindole，pyrrolodipyridine，吡唑，咪唑，三唑类，恶唑，噻唑，恶 二唑，oxatriazole，二恶唑，噻二唑，吡啶，哒嗪，嘧啶，吡嗪，三嗪类，oxazines，oxathiazines， oxadiazines，吲哚，苯并咪唑，吲唑，indoxazine，bisbenzoxazoles，benzisoxazole，苯 并噻唑，喹啉，异喹啉，cinnoline，喹唑啉，喹喔啉，萘，酞，蝶啶，氧杂蒽，吖啶，吩嗪， 吩噻嗪，phenoxazines，benzofuropyridine，furodipyridine，benzothienopyridine， thienodipyridine，benzoselenophenopyridine和selenophenodipyridine；包含有2至10环 结构的基团，它们可以是相同或不同类型的环芳香烃基团或芳香杂环基团，并彼此直接或通 过至少一个以下的基团连结在一起,如氧原子，氮原子，硫原子，硅原子，磷原子，硼原子， 链结构单元和脂肪环基团。其中，每个Ar可以进一步被取代，取代基可选为氢，烷基，烷氧 基，氨基，烯，炔，芳烷基，杂烷基，芳基和杂芳基。

在一个优先的实施方案中,三重态基质材料可选于包含至少一个以下基团的化合物:

R¹-R⁷可相互独立地选于如下的基团:氢，烷基，烷氧基，氨基，烯，炔，芳烷基，杂烷基， 芳基和杂芳基，当它们是芳基或杂芳基时，它们与上述HIM/HTM中的Ar¹和Ar²意义相同； n是一个从0到20的整数；X¹-X⁸选于CH或N；X⁹选于CR¹R²或NR¹。

4.单重态基质材料(Singlet Host):

单重态基质材料的例子并不受特别的限制，任何有机化合物都可能被用作为基质,只要其单 重态能量比发光体,特别是单重态发光体或荧光发光体更高。

作为单重态基质材料使用的有机化合物的例子可选自含有环芳香烃化合物，如苯，联苯，三 苯基，苯并，萘，蒽，phenalene，菲，芴，芘，屈，苝，薁；芳香杂环化合物，如二苯并噻 吩，二苯并呋喃，dibenzoselenophene，呋喃，噻吩，苯并呋喃，苯并噻吩，benzoselenophene， 咔唑，indolocarbazole，pyridylindole，Pyrrolodipyridine，吡唑，咪唑，三氮唑，异恶唑， 噻唑，恶二唑，oxatriazole，二恶唑，噻二唑，吡啶，哒嗪，嘧啶，吡嗪，三嗪，恶嗪，oxathiazine， oxadiazine，吲哚，苯并咪唑，吲唑，indoxazine，苯并恶唑，benzisoxazole，苯并噻唑， 喹啉，异喹啉，cinnoline，喹唑啉，喹喔啉，萘，酞，蝶啶，氧杂蒽，吖啶，吩嗪，吩噻嗪， 吩恶嗪，benzofuropyridine，furodipyridine，benzothienopyridine，thienodipyridine， benzoselenophenopyridine和selenophenodipyridine；包含有2至10环结构的基团，它们 可以是相同或不同类型的环芳香烃基团或芳香杂环基团，并彼此直接或通过至少一个以下的 基团连结在一起,如氧原子，氮原子，硫原子，硅原子，磷原子，硼原子，链结构单元和脂 肪环基团。

在一个优先的实施方案中,单重态基质材料可选于包含至少一个以下基团的化合物:

R¹-R⁷可相互独立地选于如下的基团:氢，烷基，烷氧基，氨基，烯，炔，芳烷基，杂烷基， 芳基和杂芳基，当它们是芳基或杂芳基时，它们与上述的Ar¹和Ar²意义相同；

n是一个从0到20的整数；X¹-X⁸选于CH或N；X⁹，X¹⁰选于CR¹R²或NR¹。

5.空穴阻挡材料(HBM)

空穴阻挡层(HBL)通常用来阻挡来自相邻功能层,特别是发光层的空穴。对比一个没有阻挡层的 OLED,HBL的存在通常会导致发光效率的提高。空穴阻挡层(HBL)的空穴阻挡材料(HBM)需要有比 相邻功能层,如发光层更低的HOMO.在一个优先的实施方案中,HBM有比相邻发光层更大的激发态 能级,如单重态或三重态,取决于发光体.在另一个优先的实施方案中,HBM有电子传输功能.

在一个的实施方案中，用作HBM含有与发光层中基质材料相同的分子。

在另一个优先的实施方案中,HBM可选于包含至少一个以下基团的化合物:

n是一个从0到20的整数；L是一个辅助配体；m是一个从1到3的整数。

6.单重态发光体(Singlet Emitter)

单重态发光体往往有较长的共轭π电子系统。迄今,已有许多例子，例如在JP2913116B和 WO2001021729A1中公开的苯乙烯胺(styrylamine)及其衍生物，和在WO2008/006449和 WO2007/140847中公开的茚并芴(indenofluorene)及其衍生物。

在一个优先的实施方案中,单重态发光体可选自一元苯乙烯胺(monostyrylamines)，二元苯 乙烯胺(distyrylamines)，三元苯乙烯胺(tristyrylamines)，四元苯乙烯胺(tetrastyrylamines)， 苯乙烯膦(styrylphosphines)，苯乙烯醚(styryl ethers)和芳胺(arylamines)。

一个一元苯乙烯胺是指一化合物,它包含一个无取代或取代的苯乙烯基组和至少一个胺，最好 是芳香胺。一个二元苯乙烯胺是指一化合物,它包含二个无取代或取代的苯乙烯基组和至少一 个胺，最好是芳香胺。一个三元苯乙烯胺是指一化合物,它包含三个无取代或取代的苯乙烯基 组和至少一个胺，最好是芳香胺。一个四元苯乙烯胺是指一化合物,它包含四个无取代或取代 的苯乙烯基组和至少一个胺，最好是芳香胺。一个优选的苯乙烯是二苯乙烯,其可能会进一步 被取代。相应的膦类和醚类的定义与胺类相似。芳基胺或芳香胺是指一种化合物，包含三个 直接联接氮的无取代或取代的芳香环或杂环系统。这些芳香族或杂环的环系统中至少有一个 优先选于稠环系统，并最好有至少14个芳香环原子。其中优选的例子有芳香蒽胺，芳香蒽二 胺，芳香芘胺，芳香芘二胺，芳香屈胺和芳香屈二胺。一个芳香蒽胺是指一化合物，其中一 个二元芳基胺基团(diarylamino)直接联到蒽上,最好是在9的位置上。一个芳香蒽二胺是指一 化合物，其中二个二元芳基胺基团(diarylamino)直接联到蒽上,最好是在9,10的位置上。芳 香芘胺，芳香芘二胺，芳香屈胺和芳香屈二胺的定义类似,其中二元芳基胺基团最好联到芘 的1或1,6位置上。

基于乙烯胺及芳胺的单重态发光体的例子,也是优选的例子,可在下述专利文件中到: WO2006/000388,WO2006/058737,WO2006/000389,WO2007/065549,WO2007/115610, US7250532B2,DE102005058557A1,CN1583691A,JP08053397A,US6251531B1, US2006/210830A,EP1957606A1和US2008/0113101A1特此上述列出的专利文件中的全部内容 并入本文作为参考。

基于均二苯乙烯(distyrylbenzene)极其衍生物的单重态发光体的例子有US5121029.

进一步的优选的单重态发光体可选于茚并芴-胺和茚并芴-二胺，如WO2006/122630所公开的， 苯并茚并芴-胺(benzoindenofluorene-amine)和苯并茚并芴-二胺 (benzoindenofluorene-diamine)，如WO2008/006449所公开的，二苯并茚并芴-胺 (dibenzoindenofluorene-amine)和二苯并茚并芴-二胺(dibenzoindenofluorene-diamine)，如 WO2007/140847所公开的。

其他可用作单重态发光体的材料有多环芳烃化合物，特别是如下化合物的衍生物:蒽如9,10- 二(2-萘并蒽)(9,10-di(2-naphthylanthracene))，萘,四苯，氧杂蒽，菲(phenanthrene),芘 (perylene)如2,5,8,11-tetra-t-butylperylene，茚并芘(indenoperylene)，苯撑(phenylenes)如 (4,4’-(bis(9-ethyl-3-carbazovinylene)-1,1’-biphenyl)，periflanthene,十环烯(decacyclene), 六苯并苯(coronene),芴，螺二芴(spirofluorene),芳基芘(arylpyrene)(如US20060222886)， 亚芳香基乙烯(arylenevinylene)(如US5121029，US5130603),环戊二烯如四苯基环戊二 烯(tetraphenylcyclopentadiene),红荧烯(rubrene)，香豆素(coumarine)，若丹明(rhodamine)， 喹吖啶酮(quinacridone)，吡喃(pyrane)如4

(dicyanoethylene)-6-(4-dimethylaminostyryl-2-methyl)-4H-pyrane(DCM),噻喃(thiapyran), bis(azinyl)imine-boron化合物(US2007/0092753A1),bis(azinyl)methene化合 物,carbostyryl化合物,噁嗪酮(oxazone),苯并恶唑(benzoxazole),苯并噻唑(benzothiazole), 苯并咪唑(benzimidazole)及diketopyrrolopyrrole。一些单重态发光体的材料可在下述专利文 件中到:US20070252517A1,US4769292,US6020078,US2007/0252517A1, US2007/0252517A1。特此将上述列出的专利文件中的全部内容并入本文作为参考。

7.三重态发光体(Triplet Emitter)

三重态发光体也称磷光发光体。在一个优先的实施方案中,三重态发光体是有通式M(L)n的 金属络合物,其中M是一金属原子，L每次出现时可以是相同或不同，是一有机配体，它通 过一个或多个位置键接或配位连接到金属原子M上,n是一个大于1的整数，较好选是1，2， 3，4，5或6。可选地，这些金属络合物通过一个或多个位置联接到一个聚合物上，最好是通 过有机配体。

在一个优先的实施方案中,金属原子M选于过渡金属元素或镧系元素或锕系元素,优先选择 Ir,Pt,Pd,Au,Rh,Ru,Os,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Re,Cu或Ag，特别优先选择Os,Ir,Ru,Rh, Re,Pd,Pt。

优先地,三重态发光体包含有螯合配体，即配体，通过至少两个结合点与金属配位，特别优 先考虑的是三重态发光体包含有两个或三个相同或不同的双齿或多齿配体。螯合配体有利于 提高金属络合物的稳定性。

有机配体的例子可选自苯基吡啶(phenylpyridine)衍生物，7,8-苯并喹啉(7,8-benzoquinoline)衍 生物，2(2-噻吩基)吡啶(2(2-thienyl)pyridine)衍生物，2(1-萘基)吡啶(2(1-naphthyl)pyridine) 衍生物，或2苯基喹啉(2phenylquinoline)衍生物。所有这些有机配体都可能被取代，例如被 含氟或三氟甲基取代。辅助配体可优先选自乙酸丙酮(acetylacetonate)或。

在一个优先的实施方案中，可用作三重态发光体的金属络合物有如下形式：

其中M是一金属,选于过渡金属元素或镧系元素或锕系元素；

Ar¹每次出现时可以是相同或不同,是一个环状基团,其中至少包含有一个施主原子，即有一 孤对电子的原子，如氮或磷，通过它环状基团与金属配位连接；Ar²每次出现时可以是相同或 不同,是一个环状基团,其中至少包含有一个C原子,通过它环状基团与金属连接；Ar¹和Ar²由共价键联接在一起,可各自携带一个或多个取代基团，它们也可再通过取代基团联接在一 起；L每次出现时可以是相同或不同,是一个辅助配体,优选于双齿螯合配体，最好是单阴离 子双齿螯合配体；m是1,2或3,优先地是2或3,特别优先地是3；n是0,1,或2,优先地 是0或1,特别优先地是0。

一些三重态发光体的材料极其应用的例子可在下述专利文件和文献中到:WO200070655, WO200141512,WO200202714,WO200215645,EP1191613,EP1191612,EP1191614,WO 2005033244,WO2005019373,US2005/0258742,WO2009146770,WO2010015307,WO 2010031485,WO2010054731,WO2010054728,WO2010086089,WO2010099852,WO 2010102709,US20070087219A1,US20090061681A1,US20010053462A1,Baldo,Thompson  et al.Nature403,(2000),750-753,US20090061681A1,US20090061681A1,Adachi et al.Appl. Phys.Lett.78(2001),1622-1624,J.Kido et al.Appl.Phys.Lett.65(1994),2124,Kido et al.Chem. Lett.657,1990,US2007/0252517A1,Johnson et al.,JACS105,1983,1795,Wrighton,JACS96, 1974,998,Ma et al.,Synth.Metals94,1998,245,US6824895,US7029766,US6835469,US 6830828,US20010053462A1,WO2007095118A1,US2012004407A1,WO2012007088A1, WO2012007087A1,WO2012007086A1,US2008027220A1,WO2011157339A1,CN 102282150A,WO2009118087A1。特此将上述列出的专利文件和文献中的全部内容并入本文 作为参考。

8.染料(Dye)

原则上，所有的用于有机光伏电池，包括DSSC，的有机功能染料，都可用于本发明的电子器 件中。合适的染料选自过渡金属的多吡啶配合物，优选钌，锇，铜的金属络合物染料。在一 个优选的实施例中，金属络合物染料的一般结构ML2(X)2，其中L优先选自2,2'-联吡啶-4， 4'-二羧酸中，M是过渡金属，优染料选自Ru,Os,Fe,V and Cu，X选自卤化物，，硫 氰酸盐，乙酰丙酮化合物，硫代氨基甲酸酯或水的取代基。这些金属络合染料在以下的文献 中被公开The Journal of Physical Chemistry C2009,113,2966-2973,US2009000658, WO2009107100,WO2009098643,US6245988,WO2010055471,JP2010084003,EP1622178, WO9850393,WO9529924,WO9404497,WO9214741,WO9116719。特此将上述列出的专利文件和 文献中的全部内容并入本文作为参考。

下面将结合优选实施例对本发明进行了说明,但本发明并不局限于下述实施例,应当理解,所 附权利要求概括了本发明的范围在本发明构思的引导下本领域的技术人员应意识到,对本发 明的各实施例所进行的一定的改变,都将被本发明的权利要求书的精神和范围所覆盖。

具体实施方式

1.化合物F1-F4的合成

一般合成路径，在室温(300K)下，咔唑的阴离子与氟化氰基硼氮烷在氮气氛下反应16小时。 所得产物在硅胶上通过柱谱法进行纯化，再沉淀。在测光致发光和电致发光光谱之前，化 合物进一步升华提纯。

2.化合物F1-F4的能量结构

化合物F1-F4的能量结构可通过量子计算得到，比如利用TD-DFT(含时密度泛函理论)通过 Gaussian03W(Gaussian Inc.)，具体的模拟方法可参见WO2011141110。首先用半经验方法 “Ground State/Semi-empirical/Default Spin/AM1”(Charge0/Spin Singlet)来优化分 子几何结构，然后有机分子的能量结构由TD-DFT(含时密度泛函理论)方法算得“TD-SCF/DFT/ Default Spin/B3PW91”与基组“6-31G(d)”(Charge0/Spin Singlet)。HOMO和LUMO能级 按照下面的校准公式计算，S1和T1直接使用。

HOMO(eV)＝((HOMO(Gaussian)×27.212)-0.9899)/1.1206

LUMO(eV)＝((LUMO(Gaussian)×27.212)-2.0041)/1.385

其中HOMO(Gaussian)和LUMO(Gaussian)是Gaussian03W的直接计算结果，单位为Hartree。结 果如表一所示：

表一

化合物 HOMO[eV] LUMO[eV] S1[eV] T1[eV] Δ(S1-T1)[eV]

F1 -5,98 -3,01 2,97 2,95 0,02

F2 -6,00 -2,95 3,09 3,06 0,03

F3 -6,07 -2,89 3,10 3,06 0,04

H1 -6,51 -2,21 3,70 3,12 0,59

其中F1，F2，F3的Δ(S1-T1)≦0.10eV。

3.光致发光光谱

F1，F2，F3光致发光光谱在甲苯中测得。F1的峰值大致在416nm,F2的峰值大致在407nm,F3 的峰值大致在404nm.

4.OLEDs的制备及测量

如下的主体材料H1被用作本发明的主体材料。H1的合成可参见Appl.Phys.Lett. Vol88,183503及其参考文献。H1的T1高于F1，F2，F3的S1。

OLEDs真空蒸镀而成，其结构如下:

ITO(50nm)/NPD(40nm)/H1:Fx(5wt％)(15nm)/TPBi(65nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)

OLED的电流电压(I-V)特性通过计算机控制的(Keithley2400source measurement unit)和 (Keithley2000multimeter)来记录，于此同时，亮度通过使用校准过的硅光电二极管 (Newport2112)测量。电致发光光谱通过光谱仪(Ocean Optics USB2000)来测量。OLED1-3 在3V以上的电压下，都发深蓝光，它们的性能总结在下面的表2中,其中EQE(External  Quantum Efficiency)表示外部量子效率。所有OLED1-3的EQE都超过9％，对于深蓝来说， 这非常高的值。

表2

器件 点亮电压(V) 最大EQE(％)

OLED1 3.05 11.2％

OLED2 3.10 9.4％

OLED3 2.97 9.1％