非易失性存储器的参考单元模块及参考单元修复方法与流程

1.本发明涉及存储器技术领域，特别涉及非易失性存储器的参考单元模块及参考单元修复方法。

背景技术：

2.非易失性存储器是一种断电后仍能保存数据的非易失性固态存储技术，它具有了低功耗、读写速度快等优越性，被广泛的应用于移动终端设备和数据中心领域等。不同领域的应用对非易失性存储器的性能要求也不一样。
3.非易失性存储芯片的存储单元在进行读操作时，通常采用比较参考单元与存储单元的电流大小来获得存储单元存储的数据。例如，存储单元的读出电流大于参考单元的电流时，表示存储数据为1，存储单元的读出电流小于参考单元的电流时，表示存储数据为0。
4.通常情况下，非易失性存储器的芯片在生产过程中，为保证芯片工作的可靠性，需要在测试过程中剔除有缺陷的芯片，例如由于生产工艺或压力测试导致参考单元有缺陷的芯片。如图1所示的是一片晶圆，这片晶圆上的所有非易失性存储器裸片都会经过一系列的晶圆测试，通过测试的裸片1会被封装成为非易失性存储器芯片并进入封装测试环节，在封装测试环节合格芯片才有可能最终应用到移动终端或数据中心领域等，而那些没有通过测试(例如参考单元损坏)的裸片2或封装后的芯片会被剔除。晶圆良率就是该片晶圆上通过所有测试的非易失性存储器裸片数目与该片晶圆上非易失性存储器裸片总数的比值。良率较低的晶圆，不仅会提高制造成本，还会造成对裸片资源的浪费，以及对环境的污染。

技术实现要素：

5.鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种非易失性存储器的参考单元模块及参考单元修复方法，其中，在晶圆测试环节及封装测试环节通过对损坏的参考单元进行修复，从而提升芯片良率。
6.根据本发明的一方面，提供一种非易失性存储器的参考单元修复方法，包括：在晶圆测试阶段进行第一次参考单元修复；以及在封装测试阶段进行第二次参考单元修复，其中，所述非易性存储器的参考单元模块包括第一子阵列和第二子阵列，所述参考单元修复包括在存在缺陷的所述第一子阵列的第一参考单元与阈值电压相同且不存在缺陷的所述第二子阵列的第二参考单元之间形成地址映射。
7.可选地，所述第一子阵列包括多个所述第一参考单元，所述第二子阵列包括多个所述第二参考单元，且所述第一参考单元与所述第二参考单元数量相同。
8.可选地，所述第一次参考单元修复包括：调节所述第一参考单元的阈值电压为设计值；对晶圆进行老化测试；根据所述第一参考单元的阈值电压是否发生变化判断所述第一参考单元是否存在缺陷；在所述第一参考单元存在缺陷时将所述第二参考单元的阈值电压调节为所述设计值；以及在所述第二参考单元与存在缺陷的所述第一参考单元形成地址映射并记录映射信息。
9.可选地，所述老化测试包括将所述晶圆置于250℃环境下24小时。
10.可选地，所述第二次参考单元修复包括：根据所述第一参考单元的阈值电压是否发生变化判断所述第一参考单元是否存在缺陷；在所述第一参考单元存在缺陷时将所述第二参考单元的阈值电压调节为所述设计值；以及在所述第二参考单元与存在缺陷的所述第一参考单元形成地址映射并记录映射信息。
11.可选地，所述第一次参考单元修复包括：调节所述第一参考单元的阈值电压为设计值；调节所述第二参考单元的阈值电压为所述设计值；对晶圆进行老化测试；根据所述第一参考单元的阈值电压是否发生变化判断所述第一参考单元是否存在缺陷；在所述第一参考单元存在缺陷时根据所述第二参考单元的阈值电压是否发生变化判断所述第二参考单元是否存在缺陷；以及在所述第二参考单元不存在缺陷时在所述第二参考单元与存在缺陷的所述第一参考单元形成地址映射并记录映射信息。
12.可选地，所述老化测试包括将所述晶圆置于250℃环境下24小时。
13.可选地，所述第二次参考单元修复包括：根据所述映射信息判断是否存在所述第一次参考单元修复；当不存在所述第一次参考单元修复时，根据所述第一参考单元的阈值电压是否发生变化判断所述第一参考单元是否存在缺陷；在所述第一参考单元存在缺陷时根据所述第二参考单元的阈值电压是否发生变化判断所述第二参考单元是否存在缺陷；以及在所述第二参考单元不存在缺陷时在所述第二参考单元与存在缺陷的所述第一参考单元形成地址映射并记录映射信息。
14.可选地，每个所述第一参考单元均存在阈值电压与之相同的所述第二参考单元。
15.根据本发明的再一方面，提供一种非易失性存储器的参考单元模块，包括：第一子阵列，所述第一子阵列包括多个第一参考单元；第二子阵列，所述第二子阵列包括多个第二参考单元；其中，参考电流产生模块根据读取条件选择所述第一参考单元产生参考电流，并在所述第一参考单元存在缺陷时，选择对应的所述第二参考单元产生所述参考电流。
16.可选地，所述参考单元还包括：修复信息存储模块，用于存储所述第一参考单元及所述第二参考单元的地址映射信息；修复信息读取模块，与所述修复信息存储模块相连，将所述地址映射信息提供给所述参考电流产生模块。
17.根据本发明实施例的参考单元修复方法，通过在晶圆测试环节及封装测试环节对第一参考单元设定的阈值电压进行检测判断参考单元是否损坏，以及根据检测结果在存在缺陷的第一参考单元与阈值电压相同且不存在缺陷的第二参考单元之间形成地址映射，从而降低由于生产或测试过程导致的参考单元损坏，以提升芯片良率。
附图说明
18.通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
19.图1示出晶圆示意图；
20.图2示出现有技术中非易失性存储器系统的示意性框图；
21.图3示出根据本发明实施例的非易失性存储器系统的示意性框图；
22.图4示出根据本发明实施例的参考单元修复方法的流程图；
23.图5示出根据本发明第一实施例的参考单元修复方法的具体流程图；
24.图6示出根据本发明第二实施例的参考单元修复方法的具体流程图。
具体实施方式
25.以下将参照附图更详细地描述本发明。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。
26.以下基于实施例对本发明进行描述，但是本发明并不仅仅限于这些实施例。在下文对本发明的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本发明。为了避免混淆本发明的实质，公知的方法、过程、流程、元件和电路并没有详细叙述。
27.除非上下文明确要求，否则整个说明书和权利要求书中的“包括”、“包含”等类似词语应当解释为包含的含义而不是排他或穷举的含义；也就是说，是“包括但不限于”的含义。在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
28.下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。
29.图2示出现有技术中非易失性存储器系统100的示意性框图。
30.非易失性存储器系统100包括非易失性存储器的存储芯片110及存储器控制器120。存储器控制器120在主机和存储芯片110之间传送指令和数据。
31.存储芯片110包括存储单元阵列111和参考单元阵列112。存储单元阵列111例如包括nand闪存结构或nor闪存结构的多个存储单元。参考单元阵列112例如包括nor闪存结构的多个参考单元。与nand闪存结构相比，nor闪存结构中的晶体管可以独立寻址。因此，在参考单元阵列112中，可以选择单个参考单元，以及设置单个参考单元的阈值电压，以及获取单个参考单元产生的参考电流。
32.存储芯片110还包括参考电流产生模块113和读取电路114。读取电路114包括多个感测模块114-1至114-m。参考电流产生模块113根据不同读取条件的数据读取(例如，预编程校验，编程校验，擦校验，弱编程校验)，输出选择信号至参考单元阵列112，选择相应阈值电压的参考单元施加电压以产生相应的参考电流iref。感测模块将存储单元阵列111中的存储单元的检测电流isen与参考电流iref进行比较。读取电路114根据检测电流isen与参考电流iref的比较结果判断存储单元中的电荷状态，从而在相应条件下读取存储单元中存储的数据。
33.存储芯片110还包括控制模块117、列译码器115、行译码器116。控制模块117在主机或存储器控制器的地址与存储单元阵列111中的硬件地址之间提供地址接口。控制模块117与列译码器115和行译码器116相连接，列译码器115经由位线对存储单元寻址，行译码器116经由字线对存储单元寻址。控制模块117还提供数据操作中的字线电压和位线电压，以及与读取电路114相连接以获得从存储单元中读取的数据。
34.图3示出根据本发明实施例的非易失性存储器系统200的示意性框图。
35.非易失性存储器系统200包括非易失性存储器的存储芯片210及存储器控制器220。存储器控制器220在主机和存储芯片210之间传送指令和数据。
36.存储芯片210包括存储单元阵列211、参考单元模块20、参考电流产生模块213和读取电路214。存储单元阵列211例如包括nand闪存结构或nor闪存结构的多个存储单元。
37.参考单元模块20包括第一子阵列21以及第二子阵列22。第一子阵列21例如包括nor闪存结构的多个第一参考单元，第二子阵列22例如包括nor闪存结构的多个第二参考单元，与nand闪存结构相比，nor闪存结构中的晶体管可以独立寻址。因此，可以选择单个第一参考单元或对应的第二参考单元，以及设置单个阈值电压，以及获取单个第一参考单元或第二参考单元产生的参考电流。进一步地，由于根据读取条件可能存在多个阈值电压不同的第一参考单元，需要数量与第一参考单元相同的第二参考单元以确保可以实现对所有存在缺陷的第一参考单元进行修复。
38.读取电路214包括多个感测模块214-1至214-m。参考电流产生模块213根据不同读取条件的数据读取(例如，预编程校验，编程校验，擦校验，弱编程校验)，输出选择信号至参考单元模块20，选择相应阈值的第一参考单元施加电压以产生相应的参考电流iref。并且在第一参考单元存在缺陷的形况下，选择对应的第二参考单元产生参考电流iref。感测模块将存储单元阵列211中的存储单元的检测电流isen与参考电流iref进行比较。读取电路214根据检测电流isen与参考电流iref的比较结果判断存储单元中的电荷状态，从而在相应条件下读取存储单元中存储的数据。
39.存储芯片210还包括控制模块217、列译码器215、行译码器216，其组成结构及功能均与现有技术存储芯片110中的控制模块117、列译码器115以及行译码器116基本相同，在此省去其详细描述。
40.进一步地，参考单元模块20还包括修复信息存储模块23以及修复信息读取模块24。修复信息存储模块23用于存储地址映射信息，在晶圆测试阶段或封装片测试阶段，检测到第一子阵列21中的任意第一参考单元存在缺陷时，会将其与不存在缺陷的第二子阵列22中对应的第二参考单元形成地址映射，并将地址映射信息存储在修复信息存储模块23中，其中，第一参考单元与对应的第二参考单元阈值电压相同；
41.修复信息读取模块24在芯片上电时会读出修复信息存储模块23中的地址映射信息，在解析信息后输出给参考电流产生模块213；
42.参考电流产生模块接收修复信息读取模块24解析后的地址映射信息，选择第一子阵列21中的第一参考单元或者第二子阵列22中的第二参考单元产生参考电流。具体来说，根据参考电流产生模块213输出的选择信号会存在对应阈值电压的第一参考单元，若该被选第一参考单元不存在地址映射信息，则将该第一参考单元提供给参考电流产生模块213；若该第一参考单元存在地址映射信息，则选择对应的第二参考单元提供给参考电流产生模块213。
43.图4示出根据本发明的参考单元修复方法的流程图，包括
44.s1：晶圆制造；
45.s2：在晶圆测试阶段第一次修复参考单元；
46.在该步骤中，对裸片进行测试，判断第一子阵列21中的第一参考单元是否存在缺陷，若第一参考单元存在缺陷，则在缺陷的第一参考单元与阈值电压相同且不存在缺陷的第二参考单元之间形成地址映射，并记录地址映射信息。
47.s2：芯片封装；
48.在该步骤中，将不存在第一参考单元缺陷的裸片及完成第一次参考单元修复后的裸片封装为存储芯片。
49.s3：在封装测试阶段第二次修复参考单元。
50.在该步骤中，对封装后的存储芯片进行测试，判断封装过程中是否造成第一参考单元的损坏，若第一参考单元存在缺陷，则在缺陷的第一参考单元与阈值电压相同且不存在缺陷的第二参考单元之间形成地址映射，并记录地址映射信息。
51.图5和图6示出了根据本发明的参考单元修复方法中，不同实施例的详细流程图，下面将结合图6及图5对第一参考单元修复方法进行具体说明。
52.图5示出了根据本发明的第一实施例的参考单元修复方法的详细流程图。在该实施例中，步骤s101至s105对应于图5所示的步骤s2，即在晶圆测试阶段第一次修复参考单元；步骤s107至s109对应于图5所示的步骤s4，即在封装测试阶段第二次修复参考单元。具体步骤包括：
53.s101：调节第一参考单元为设计值；
54.在该步骤中，对裸片进行设计，具体为调节第一子阵列21中第一参考单元的设计值，在本实施例中该设计值例如为调节第一参考单元的阈值电压。由于在不同读取条件下(例如，预编程校验，编程校验，擦校验，弱编程校验)，需要选择不同阈值电压的第一参考单元施加电压以产生相应的参考电流，因此，在第一子阵列21中，可能需要同时设计若干组不同阈值电压的第一参考单元。
55.s102：老化测试：
56.在该步骤中，将设计好的晶圆及裸片置于高温环境下一定时间，例如将裸片置于250℃高温环境下24小时，以加速裸片老化。
57.s103：测量第一参考单元设计值是否发生变化；
58.在该步骤中，对老化后的裸片进行测试，测量各第一参考单元的阈值电压是否发生变化，若各第一参考单元均未发生变化，则执行步骤s106及后续步骤，若存在至少一个第一参考单元阈值电压发生变化，则在步骤s106前先执行步骤s104及步骤s105。
59.s104：调节第二参考单元为设计值；
60.在该步骤中，在第二子阵列22中选择第二参考单元并调节其阈值电压为存在缺陷的第一参考单元的设计值。进一步地，在有多个存在缺陷的第一参考单元时，为每一个存在缺陷的第一参考单元都设置阈值电压与之相同的第二参考单元。
61.s105：地址映射；
62.在该步骤中，在缺陷的第一参考单元与阈值电压相同且不存在缺陷的第二参考单元之间形成地址映射，并将映射信息存储在修复信息存储单元23中。其中，第二参考单元的数量与存在缺陷的第一参考单元数量应保持一致，以确保各缺陷第一参考单元均被修复。
63.s106：芯片封装；
64.在该步骤中，将各第一参考单元阈值电压均未发生变化的裸片及完成第一次参考单元修复的裸片进行封装，获得封装片。
65.s107：测量第一参考单元设计值是否发生变化；
66.在该步骤中，对封装片进行测试，测量各第一参考单元的阈值电压是否发生变化，若各第一参考单元均未发生变化，则结束测试且该封装片合格；若存在至少一个第一参考
单元阈值电压发生变化，则执行步骤s108和步骤s109。
67.s108：调节第二参考单元为设计值；
68.在该步骤中，在第二子阵列22中选择第二参考单元并调节其阈值电压为存在缺陷的第一参考单元的设计值。进一步地，在有多个存在缺陷的第一参考单元时，为每一个存在缺陷的第一参考单元都设置阈值电压与之相同的第二参考单元。
69.s109：地址映射
70.在该步骤中，在缺陷的第一参考单元与阈值电压相同且不存在缺陷的第二参考单元之间形成地址映射，并将映射信息存储在修复信息存储单元23中。其中，第二参考单元的数量与存在缺陷的第一参考单元数量应保持一致，以确保各缺陷第一参考单元均被修复。
71.图5所示实施例是在测量发现第一参考单元不符合要求时，再对第二参考单元进行设置及替换。因此，第二参考单元不需要在设计时固定给特定的第一参考单元，提高了第二参考单元的使用率；同时，由于在需要替换时再对第二参考单元进行设置，降低了测试时间。
72.图6示出了根据本发明的第二实施例的第一参考单元修复方法的详细流程图。在该实施例中，步骤s201至s206对应于图5所示的步骤s2，即在晶圆测试阶段第一次修复参考单元；步骤s208至s211对应于图5所示的步骤s4，即在封装测试阶段第二次修复参考单元。具体步骤包括：
73.s201：调节第一参考单元为设计值；
74.在该步骤中，对裸片进行设计，具体为设计第一子阵列21中第一参考单元的设计值，在本实施例中，该设计值以阈值电压为例。由于在不同读取条件下(例如，预编程校验，编程校验，擦校验，弱编程校验)，需要选择不同阈值电压的第一参考单元施加电压以产生相应的参考电流，因此，在第一子阵列21中，可能需要同时设计若干组不同阈值电压的第一参考单元。
75.s202：调节第二参考单元为设计值；
76.在该步骤中，对裸片进行设计，具体为设计第二子阵列22中第二参考单元的设计值，在本实施例中，该设计值以阈值电压为例。使得每一个阈值电压都有对应的第一子阵列21中的第一参考单元和第二子阵列22中的第二参考单元。
77.s203：老化测试：
78.在该步骤中，将设计好的晶圆及裸片置于高温环境下一定时间，例如将裸片置于250℃高温环境下24小时，以加速裸片老化。
79.s204：测量第一参考单元设计值是否发生变化；
80.在该步骤中，对老化后的裸片进行测试，测量各第一参考单元的阈值电压是否发生变化，若各第一参考单元均未发生变化，则执行步骤s207及后续步骤，若存在至少一个第一参考单元阈值电压发生变化，则在步骤s207前先执行步骤s205及步骤s206。
81.s205：测量第二参考单元设计值是否发生变化；
82.在该步骤中，对老化后的裸片进行测试，测量缺陷第一参考单元对应的第二参考单元的阈值电压是否发生变化，若缺陷第一参考单元对应的第二参考单元均未发生变化，则执行步骤s206及后续步骤，若存在至少一个第二参考单元的阈值电压发生变化，则结束测试且该封装片不合格。
83.s206：地址映射；
84.在该步骤中，在缺陷的第一参考单元与阈值电压相同且不存在缺陷的第二参考单元之间形成地址映射，并将映射信息存储在修复信息存储单元23中。
85.s207：芯片封装；
86.在该步骤中，将各第一参考单元设计值未发生变化的裸片及完成第一参考单元替换的裸片进行封装，获得封装片。
87.s208：是否发生替换：
88.在该步骤中，根据修复信息存储单元23中的地址映射信息判断在裸片测试阶段是否发生第一参考单元的替换，若发生替换，则执行步骤s210及后续步骤；若未发生替换，则在步骤s210前执行步骤s209。
89.s209：测量第一参考单元设计值是否发生变化。
90.在该步骤中，对封装片进行测试，判断在裸片阶段测试中未发生替换的封装片中第一参考单元阈值电压是否发生变化，若各第一参考单元阈值电压均未发生变化，则结束测试且该封装片为合格芯片；若存在至少一个第一参考单元设计值发生变化，则执行步骤s210及后续步骤。
91.s210：测量第二参考单元设计值是否发生变化。
92.在该步骤中，对已经发生替换的第二参考单元进行测试，判断其设计值是否发生变化，若存在至少一个第二参考单元设计值发生变化，则结束测试，且该封装片不合格；若各缺陷第一参考单元对应的第二参考单元设计值均未发生变化，则执行步骤s211。
93.s211：地址映射：
94.在缺陷的第一参考单元与阈值电压相同且不存在缺陷的第二参考单元之间形成地址映射，并将映射信息存储在修复信息存储单元23中。
95.如图所示的第一参考单元修复方法，在裸片阶段，第一参考单元和第二参考单元都需要设置并进行裸片阶段及封装片阶段的测试，判断第一参考单元和第二参考单元的设计值是否发生变化，若第一参考单元设计值未发生变化，则芯片通过测试；若仅第一参考单元设计值发生变化，则将缺陷第一参考单元替换为对应的第二参考单元；若第一参考单元及对应的第二参考单元设计值均发生变化，则该芯片未通过测试，从而可以保证通过测试的每颗芯片都是符合要求的。
96.依照本发明的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

技术特征：

1.一种非易失性存储器的参考单元修复方法，包括：在晶圆测试阶段进行第一次参考单元修复；以及在封装测试阶段进行第二次参考单元修复，其中，所述非易性存储器的参考单元模块包括第一子阵列和第二子阵列，所述参考单元修复包括在存在缺陷的所述第一子阵列的第一参考单元与阈值电压相同且不存在缺陷的所述第二子阵列的第二参考单元之间形成地址映射。2.根据权利要求1所述的参考单元修复方法，其中，所述第一子阵列包括多个所述第一参考单元，所述第二子阵列包括多个所述第二参考单元，且所述第一参考单元与所述第二参考单元数量相同。3.根据权利要求1所述的参考单元修复方法，其中，所述第一次参考单元修复包括：调节所述第一参考单元的阈值电压为设计值；对晶圆进行老化测试；根据所述第一参考单元的阈值电压是否发生变化判断所述第一参考单元是否存在缺陷；在所述第一参考单元存在缺陷时将所述第二参考单元的阈值电压调节为所述设计值；以及在所述第二参考单元与存在缺陷的所述第一参考单元形成地址映射并记录映射信息。4.根据权利要求3所述的参考单元修复方法，其中，所述老化测试包括将所述晶圆置于250℃环境下24小时。5.根据权利要求4所述的参考单元修复方法，其中，所述第二次参考单元修复包括：根据所述第一参考单元的阈值电压是否发生变化判断所述第一参考单元是否存在缺陷；在所述第一参考单元存在缺陷时将所述第二参考单元的阈值电压调节为所述设计值；以及在所述第二参考单元与存在缺陷的所述第一参考单元形成地址映射并记录映射信息。6.根据权利要求1所述的参考单元修复方法，其中，所述第一次参考单元修复包括：调节所述第一参考单元的阈值电压为设计值；调节所述第二参考单元的阈值电压为所述设计值；对晶圆进行老化测试；根据所述第一参考单元的阈值电压是否发生变化判断所述第一参考单元是否存在缺陷；在所述第一参考单元存在缺陷时根据所述第二参考单元的阈值电压是否发生变化判断所述第二参考单元是否存在缺陷；以及在所述第二参考单元不存在缺陷时在所述第二参考单元与存在缺陷的所述第一参考单元形成地址映射并记录映射信息。7.根据权利要求6所述的参考单元修复方法，其中，所述老化测试包括将所述晶圆置于250℃环境下24小时。8.根据权利要求6所述的参考单元修复方法，其中，所述第二次参考单元修复包括：根据所述映射信息判断是否存在所述第一次参考单元修复；
当不存在所述第一次参考单元修复时，根据所述第一参考单元的阈值电压是否发生变化判断所述第一参考单元是否存在缺陷；在所述第一参考单元存在缺陷时根据所述第二参考单元的阈值电压是否发生变化判断所述第二参考单元是否存在缺陷；以及在所述第二参考单元不存在缺陷时在所述第二参考单元与存在缺陷的所述第一参考单元形成地址映射并记录映射信息。9.根据权利要求6至8任一项所述的参考单元修复方法，其中，每个所述第一参考单元均存在阈值电压与之相同的所述第二参考单元。10.一种非易失性存储器的参考单元模块，包括：第一子阵列，所述第一子阵列包括多个第一参考单元；第二子阵列，所述第二子阵列包括多个第二参考单元；其中，参考电流产生模块根据读取条件选择所述第一参考单元产生参考电流，并在所述第一参考单元存在缺陷时，选择对应的所述第二参考单元产生所述参考电流。11.根据权利要求10所述的参考单元模块，其中，所述参考单元还包括：修复信息存储模块，用于存储所述第一参考单元及所述第二参考单元的地址映射信息；修复信息读取模块，与所述修复信息存储模块相连，将所述地址映射信息提供给所述参考电流产生模块。

技术总结

本申请公开了非易失性存储器的参考单元模块及参考单元修复方法。所述参考单元修复方法包括：在晶圆测试阶段进行第一次参考单元修复；以及在封装测试阶段进行第二次参考单元修复，其中，所述非易性存储器的参考单元模块包括第一子阵列和第二子阵列，所述参考单元修复包括在存在缺陷的所述第一子阵列的第一参考单元与阈值电压相同且不存在缺陷的所述第二子阵列的第二参考单元之间形成地址映射。其中，在晶圆测试阶段及封装测试阶段通过对存在缺陷的第一参考单元进行修复，从而提升芯片良率。率。率。