一种存储器的擦除方法、装置、可读介质及电子设备与流程

1.本发明涉及计算机技术领域，尤其涉及一种存储器的擦除方法、装置、可读介质及电子设备。

背景技术：

2.非易失性存储器一般指非易失性内存，是一种计算机存储器，即使在断电后也能保留存储的信息，通常用于二级存储或长期持久存储的任务。
3.在使用非易失性存储器的工作过程中，经常需要对非易失性存储器进行擦除操作，以删除其中存储的旧数据，为新数据的后续写入提供空间。在进行擦除操作时，会向非易失性存储器施加一个特定的电信号，该电信号由对非易失性存储器进行擦除操作时的擦除电压和擦除时间两个要素组成。通常这一电信号中的擦除电压和擦除时间时固定不变的。
4.现有技术的缺陷在于，随着非易失性存储器的老化以及擦写次数的增加，导致非易失性存储器的性能发生改变，而固定的擦除电压和擦除时间会使非易失性存储器无法进行有效的擦除操作，减少了非易失性存储器的使用寿命，降低了非易失性存储器的可靠性。

技术实现要素：

5.本发明提供一种存储器的擦除方法、装置、可读介质及电子设备，通过适应性的调整非易失性存储器擦除操作中的擦除电压和擦除时间，以延长非易失性存储器的使用寿命。
6.第一方面，本发明提供了一种存储器的擦除方法，包括：在非易失性存储器中确定目标存储单元；确定所述目标存储单元的当前已擦除次数；根据所述当前已擦除次数，确定所述目标存储单元对应的擦除数据；根据所述擦除数据确定擦除指令，并根据所述擦除指令执行针对所述目标存储单元的擦除操作。
7.优选的，所述目标存储单元中包括擦除次数记录区域，所述确定所述目标存储单元的当前已擦除次数包括：从擦除次数记录区域中读取所述当前已擦除次数。
8.优选的，执行针对所述目标存储单元的擦除操作后，还包括：更新所述当前已擦除次数的数值。
9.优选的，所述根据所述当前已擦除次数，确定所述目标存储单元对应的擦除数据包括：根据所述当前已擦除次数，确定相应的擦除时间和擦除电压；将所述擦除时间和所述擦除电压作为所述擦除数据。
10.优选的，所述根据所述当前已擦除次数，确定相应的擦除时间和擦除电压包括：
利用预设的比例函数，根据所述当前已擦除次数，计算得到相应的擦除时间和擦除电压。
11.优选的，所述根据所述当前已擦除次数，确定相应的擦除时间和擦除电压包括：利用预设的比例关系表，根据所述当前已擦除次数，查询得到相应的擦除时间和擦除电压。
12.优选的，所述执行针对所述目标存储单元的擦除操作包括：向所述目标存储单元施加所述擦除操作，所述擦除操作对应的信号电压符合所述擦除电压，所述擦除操作的施加时长符合所述擦除时间。
13.第二方面，本发明提供了一种存储器擦除操作的实现装置，其特征在于，包括：目标确定模块，用于在非易失性存储器中确定目标存储单元；次数确定模块，用于确定所述目标存储单元的当前已擦除次数；数据确定模块，用于根据所述当前已擦除次数，确定所述目标存储单元对应的擦除数据；指令执行模块，用于根据所述擦除数据确定擦除指令，并根据所述擦除指令执行针对所述目标存储单元的擦除操作。
14.第三方面，本发明提供了一种可读介质，包括执行指令，当电子设备的处理器执行所述执行指令时，所述电子设备执行如第一方面中任一所述的方法。
15.第四方面，本发明提供了一种电子设备，包括处理器以及存储有执行指令的存储器，当所述处理器执行所述存储器存储的所述执行指令时，所述处理器执行如第一方面中任一所述的存储器的擦除方法。
16.本发明提供了一种存储器的擦除方法、装置、可读介质及电子设备，能够根据非易失性存储器中存储单元的擦除次数，相应的调整对所述目标存储单元进行擦除操作时所用的擦除电压和擦除时间，加强了非易失性存储器的可靠性，延长了非易失性存储器的使用寿命。
17.上述的非惯用的优选方式所具有的进一步效果将在下文中结合具体实施方式加以说明。
附图说明
18.为了更清楚地说明本发明实施例或现有的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
19.图1为本发明一实施例提供的一种存储器的擦除方法的流程示意图；图2为本发明一实施例提供的另一种存储器的擦除方法的流程示意图；图3为本发明一实施例提供的一种存储器擦除的实现装置的结构示意图；图4为本发明一实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
20.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合具体实施例及相应的
附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
21.现有的非易失性存储器在使用时，需要对非易事存储器上的存储单元进行大量的擦除和写入操作，且对存储单元进行擦除操作时，通常采用提前设定的不变的擦除时间和擦除电压，可能造成擦除次数较多的存储单元擦除效果不好，或造成擦除次数较少的存储单元器件损害较大。可见现有技术中缺少一种能够更加完善的存储器的擦除方法。
22.有鉴于此，本发明提供一种存储器的擦除方法。参见图1所示，为本发明提供的存储器的擦除方法的具体实施例。本实施例中，所述方法包括：步骤101、在非易失性存储器中确定目标存储单元，确定所述目标存储单元的当前已擦除次数。
23.所述非易失性存储器中可以包括大量的存储单元，所述存储单元可视为对所述非易失性存储器进行擦除或写入操作所针对的最小单元。通常，一个所述存储单元可以具有1k~4k比特的存储空间。当需要进行一次所述擦除操作时，所述擦除操作针对的存储单元，可称为目标存储单元。
24.由于所述存储单元是擦除或写入操作所针对的最小单元，所以所述存储单元中每个比特的存储空间被写入或擦除的次数都是相同的。因此可以在所述存储单元中划分出一部分特定的空间作为擦除次数记录区域，擦除次数记录区域用来记录所述存储单元的当前已擦除次数。在所述非易失性存储器是一个全新元件时，所述存储单元中的当前已擦除次数应为0，当所述存储单元在进行一次擦除操作后，所述当前已擦除次数变为1，即每次对所述存储单元进行擦除操作后，对所述当前已擦除次数进行更新。所述目标存储单元进行过擦除操作的次数可称为所述目标存储单元的当前已擦除次数。
25.当需要进行一次擦除操作时，先确定出本次擦除操作所针对的目标存储单元，在对所述目标存储单元进行擦除操作前，应该先从擦除次数记录区域中读取出所述目标存储单元的当前已擦除次数。
26.步骤102、根据所述当前已擦除次数，确定所述目标存储单元对应的擦除数据。
27.所述擦除数据是一组决定擦除操作中所有影响因素的数据。在本实施例中，擦除数据中可以包括擦除电压和擦除时间。进行擦除操作时，会向非易失性存储器施加一个特定的电信号。所述擦除电压是该电信号的电压，所述擦除时间是该电信号的持续时间。所述当前已擦除次数可以作为所述非易失性存储器使用程度上的具体体现，所以认为所述擦除数据可以根据所述当前已擦除次数决定。
28.现有技术中，对所述非易失性存储器进行擦除操作时一般采用固定不变的擦除电压和擦除时间，可能会对被擦写次数较少的存储单元造成损害，也可能对被擦写次数较多的存储单元无法有效的进行擦除。
29.本实施例中，所述擦除电压和擦除时间与所述当前已擦除次数成正比例相关。可以理解的是，所述目标存储单元在多次擦除后进行擦除操作时需要的擦除电压更大、擦除时间更久，才能确保对所述目标存储单元的擦除效果更好，同理，所述目标存储单元的所述当前已擦除次数较少时，只需要较小的擦除电压和擦除时间，就能完成对所述目标存储单元的擦除操作。
30.所以本实施例中，可以根据所述当前已擦除次数，确定相应的擦除时间和擦除电压；将所述擦除时间和所述擦除电压作为所述擦除数据。具体的，可以预先设定一个正相关的比例函数。然后利用预设的比例函数，根据所述当前已擦除次数，计算得到相应的擦除时间和擦除电压。本实施例中，对该比例函数具体不做限定，任何相关的正比例函数计算均可结合到本实施例整体方案中。
31.步骤103、根据所述擦除数据确定擦除指令，并根据所述擦除指令执行针对所述目标存储单元的擦除操作。
32.在确定擦除数据后，可以根据擦除数据下达所述擦除指令。执行所述擦除指令过程，也就是所述目标存储单元施加所述擦除操作，也就是会向所述目标存储单元施加上述的特定电信号。所述擦除操作对应的所述特定电信号电压符合所述擦除电压，所述擦除操作的施加时长符合所述擦除时间。至此，本实施例中方法实现了对所述目标存储单元的擦除操作。
33.通过以上技术方案可知，本实施例中至少存在的有益效果是：在所述存储单元中划分擦除次数记录区域，在所述擦除次数记录区域中记录所述目标存储单元的当前已擦除次数，通过适应性的调整非易失性存储器擦除操作中的擦除电压和擦除时间以确保擦除操作的可靠性，从而延长非易失性存储器的使用寿命。
34.图1所示仅为本发明所述方法的基础实施例，在其基础上进行一定的优化和拓展，还能够得到所述方法的其他优选实施例。
35.如图2所示，为本发明所述一种存储器的擦除方法的另一个具体实施例。本实施例在前述实施例的基础上进行进一步的叙述。本实施例中，所述方法包括以下步骤：步骤201、在非易失性存储器中确定目标存储单元。
36.步骤202、确定所述目标存储单元的当前已擦除次数。
37.上述步骤201~步骤202中内容，主要内容与前述实施例中相关步骤中的内容一致，前述实施例中相关描述同样适用于本实施例中。在此不重复叙述。
38.步骤203、利用预设的比例关系表，根据所述当前已擦除次数，查询得到相应的擦除时间和擦除电压。
39.不同于图1所示实施例利用比例函数建立所述当前已擦除次数和所述擦除时间、擦除电压的正比例关系，本实施例中可以利用比例关系表来建立该正比例关系。具体的，可以预先设定比例关系表，比例关系表中包括所述当前已擦除次数和所述擦除时间、擦除电压的对应关系。当前已擦除次数0~50005001~1000010001~20000大于等于20001擦除时间（秒）0.10.20.30.4擦除电压（伏特）0.51.01.52
40.例如，本实施例中的比例关系表可以如下所示：确定所述当前已擦除次数后，可以通过查询如上表所述的比例关系表，从而确定对所述目标存储单元进行擦除操作时的擦除时间和擦除电压。
41.例如读取到所述目标存储单元的当前已擦除次数为4500次，则查表可得应对所述目标存储单元施加擦除操作的所述擦除时间为0.1秒，施加擦除操作的所述擦除电压应为0.5伏特。
42.上述比例关系表仅为示例，所述比例关系表根据所述非易失性存储器的大小、型号等数据具体调整。
43.步骤204、根据所述擦除数据确定擦除指令，并根据所述擦除指令执行针对所述目标存储单元的擦除操作。
44.上述步骤204内容，主要内容与前述实施例中相关步骤中的内容一致，前述实施例中相关描述同样适用于本实施例中。在此不重复叙述。
45.如图3所示，为本发明所述一种存储器的擦除装置的一个具体实施例。本实施例所述装置，即用于执行图1~2所述方法的实体装置。其技术方案本质上与上述实施例一致，上述实施例中的相应描述同样适用于本实施例中。本实施例中所述装置包括：目标确定模块301，用于在非易失性存储器中确定目标存储单元。
46.次数确定模块302，用于确定所述目标存储单元的当前已擦除次数。
47.数据确定模块303，用于根据所述当前已擦除次数，确定所述目标存储单元对应的擦除数据。
48.指令执行模块304，用于根据所述擦除数据确定擦除指令，并根据所述擦除指令执行针对所述目标存储单元的擦除操作。
49.图4是本发明实施例提供的一种电子设备的结构示意图。在硬件层面，该电子设备包括处理器，可选地还包括内部总线、网络接口、存储器。其中，存储器可能包含内存，例如高速随机存取存储器(random-access memory，ram)，也可能还包括非易失性存储器（non-volatile memory），例如至少1个磁盘存储器等。当然，该电子设备还可能包括其他业务所需要的硬件。
50.处理器、网络接口和存储器可以通过内部总线相互连接，该内部总线可以是isa(industry standard architecture，工业标准体系结构）总线、pci(peripheral component interconnect，外设部件互连标准)总线或eisa(extended industry standard architecture，扩展工业标准结构）总线等。所述总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，图4中仅用一个双向箭头表示，但并不表示仅有一根总线或一种类型的总线。
51.存储器，用于存放执行指令。具体地，执行指令即可被执行的计算机程序。存储器可以包括内存和非易失性存储器，并向处理器提供执行指令和数据。
52.在一种可能实现的方式中，处理器从非易失性存储器中读取对应的执行指令到内存中然后运行，也可从其它设备上获取相应的执行指令，以在逻辑层面上形成存储器的擦除装置。处理器执行存储器所存放的执行指令，以通过执行的执行指令实现本发明任一实施例中提供的存储器的擦除方法。
53.上述如本发明图3所示实施例提供的存储器的擦除装置执行的方法可以应用于处理器中，或者由处理器实现。处理器可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器可以是通用处理器，包括中央处理器（central processing unit，cpu）、网络处理器（network processor，np）等；还可以是数字信号处理器（digital signal processor，dsp）、专用集成电路（application specific integrated circuit，asic）、现场可编程门阵列（field－programmable gate array，fpga）或者其他可编程逻辑器件、分
立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本发明实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
54.结合本发明实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器，处理器读取存储器中的信息，结合其硬件完成上述方法的步骤。
55.本发明实施例还提出了一种可读介质，该可读存储介质存储有执行指令，存储的执行指令被电子设备的处理器执行时，能够使该电子设备执行本发明任一实施例中提供的存储器的擦除方法，并具体用于执行如图1或图2所示的方法。
56.前述各个实施例中所述的电子设备可以为计算机。
57.本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例，或软件和硬件相结合的形式。
58.本发明中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于装置实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
59.还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
60.以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

技术特征：

1.一种存储器的擦除方法，其特征在于，包括：在非易失性存储器中确定目标存储单元；确定所述目标存储单元的当前已擦除次数；根据所述当前已擦除次数，确定所述目标存储单元对应的擦除数据；根据所述擦除数据确定擦除指令，并根据所述擦除指令执行针对所述目标存储单元的擦除操作。2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述目标存储单元中包括擦除次数记录区域，所述确定所述目标存储单元的当前已擦除次数包括：从擦除次数记录区域中读取所述当前已擦除次数。3.根据权利要求2所述方法，其特征在于，执行针对所述目标存储单元的擦除操作后，还包括：更新所述擦除次数记录区域中的当前已擦除次数的数值。4.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述根据所述当前已擦除次数，确定所述目标存储单元对应的擦除数据包括：根据所述当前已擦除次数，确定相应的擦除时间和擦除电压；将所述擦除时间和所述擦除电压作为所述擦除数据。5.根据权利要求4所述方法，其特征在于，所述根据所述当前已擦除次数，确定相应的擦除时间和擦除电压包括：利用预设的比例函数，根据所述当前已擦除次数，计算得到相应的擦除时间和擦除电压。6.根据权利要求4所述方法，其特征在于，所述根据所述当前已擦除次数，确定相应的擦除时间和擦除电压包括：利用预设的比例关系表，根据所述当前已擦除次数，查询得到相应的擦除时间和擦除电压。7.根据权利要求4~6任意一项所述方法，其特征在于，所述执行针对所述目标存储单元的擦除操作包括：向所述目标存储单元施加所述擦除操作，所述擦除操作对应的信号电压符合所述擦除电压，所述擦除操作的施加时长符合所述擦除时间。8.一种存储器擦除操作的实现装置，其特征在于，包括：目标确定模块，用于在非易失性存储器中确定目标存储单元；次数确定模块，用于确定所述目标存储单元的当前已擦除次数；数据确定模块，用于根据所述当前已擦除次数，确定所述目标存储单元对应的擦除数据；指令执行模块，用于根据所述擦除数据确定擦除指令，并根据所述擦除指令执行针对所述目标存储单元的擦除操作。9.一种计算机可读存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序用于执行上述权利要求1-7任一所述的存储器的擦除方法。10.一种电子设备，所述电子设备包括：处理器；
用于存储所述处理器可执行指令的存储器；所述处理器，用于从所述存储器中读取所述可执行指令，并执行所述指令以实现上述权利要求1-7任一所述的存储器的擦除方法。

技术总结

本发明公开了一种存储器的擦除方法、装置、可读介质及电子设备，包括：在非易失性存储器中确定目标存储单元；确定所述目标存储单元的当前已擦除次数；根据所述当前已擦除次数，确定所述目标存储单元对应的擦除数据；根据所述擦除数据确定擦除指令，并根据所述擦除指令执行针对所述目标存储单元的擦除操作。执行针对所述目标存储单元的擦除操作。执行针对所述目标存储单元的擦除操作。