存储器装置缺陷管理的制作方法

1.本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体地说，涉及存储器子系统中的存储器装置缺陷管理。

背景技术：

2.存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。所述存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以将数据存储在存储器装置且从存储器装置检索数据。

技术实现要素：

3.在一方面，本公开提供一种系统，其包括：存储器装置，其包括存储器阵列；以及处理装置，其与所述存储器装置以操作方式耦合，以执行包括以下各者的操作：促使从所述存储器装置获得缺陷管理信息，其中所述缺陷管理信息包括关于所述存储器阵列的状态的状态信息以及与相对于所述存储器阵列执行的媒体存取操作相关联的补充缺陷管理信息；分析所述缺陷管理信息以确定相对于所述存储器阵列的缺陷的可能性；以及基于缺陷的所述可能性而识别所述存储器阵列的缺陷状态。
4.在另一方面，本公开进一步提供一种方法，其包括：通过处理装置促使从存储器装置获得缺陷管理信息，其中所述缺陷管理信息包括关于存储器阵列的状态的状态信息以及与相对于所述存储器阵列执行的媒体存取操作相关联的补充缺陷管理信息；通过所述处理装置分析所述缺陷管理信息以确定相对于所述存储器阵列的缺陷的可能性；以及通过所述处理装置基于缺陷的所述可能性而识别所述存储器阵列的缺陷状态。
5.在又一方面，本公开进一步提供一种存储器装置，其包括：存储器阵列；状态寄存器；补充缺陷管理信息存储装置；以及控制逻辑，其与所述存储器阵列、所述状态寄存器和所述补充缺陷管理信息存储装置以操作方式耦合，以执行包括以下各者的操作：存储与相对于所述存储器阵列执行的媒体存取操作相关联的缺陷管理信息，包含将状态信息存储在所述状态寄存器中且将补充缺陷管理信息存储在所述补充缺陷管理信息存储装置中；从可通信地耦合到所述存储器装置的存储器子系统控制器接收缺陷管理命令；以及响应于接收到所述缺陷管理命令，将所述缺陷管理信息提供到所述存储器子系统控制器。
附图说明
6.将从下文给出的详细描述和从本公开的各种实施例的附图更完整地理解本公开。然而，各图不应视为将本公开限于特定实施例，而是仅用于解释和理解。
7.图1示出根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
8.图2为根据本公开的一些实施例的与存储器子系统的存储器子系统控制器进行通信的存储器装置的框图。
9.图3为根据本公开的一些实施例的用以执行存储器装置缺陷管理的系统的框图。
10.图4为根据本公开的一些实施例的由本地媒体控制器执行以执行缺陷管理的实例方法的流程图。
11.图5为根据本公开的一些实施例的由存储器子系统控制器执行以执行缺陷管理的实例方法的流程图。
12.图6为根据本公开的一些实施例的实例三维(3d)替换栅极存储器装置的图。
13.图7为其中可操作本公开的实施例的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
14.本公开的各方面涉及存储器装置缺陷管理。存储器子系统可为存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的组合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用存储器子系统，所述存储器子系统包含一或多个组件，例如存储数据的存储器装置。主机系统可提供待存储在存储器子系统处的数据，且可请求待从存储器子系统检索的数据。
15.存储器子系统可包含高密度非易失性存储器装置，其中当没有电力供应到存储器装置时期望保持数据。非易失性存储器装置的一个实例是与非(nand)存储器装置。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。非易失性存储器装置是一或多个裸片的封装。每一裸片可由一或多个平面组成。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，nand装置)，每一平面由物理块组成。每一块由一组页组成。每一页由一组存储器单元组成。存储器单元是存储信息的电子电路。取决于存储器单元类型，存储器单元可存储二进制信息的一或多个位，且具有与正存储的位数目相关的各种逻辑状态。逻辑状态可由例如“0”和“1”等二进制值或此类值的组合表示。
16.存储器装置可包含以二维或三维网格布置的多个存储器单元。存储器单元形成于列(下文也称为位线)和行(下文也称为字线)的阵列中的硅晶片上。字线可指代与一或多个位线一起使用以产生每一存储器单元的地址的存储器装置的一或多个导电线。位线和字线的交叉点构成存储器单元的地址。下文中，块是指用于存储数据的存储器装置的单元，且可包含存储器单元组、字线组、字线或个别存储器单元。可将一或多个块分组在一起以形成存储器装置的平面，以便允许在每一平面上进行并发操作。存储器装置可包含执行两个或更多个存储器平面的并发存储器页存取的电路系统。举例来说，存储器装置可包含用于存储器装置的每一平面的相应存取线驱动器电路和电力电路以促进对包含不同页类型的两个或更多个存储器平面的页进行并发存取。为易于描述，这些电路通常可称为独立平面驱动器电路。存储器装置上的控制逻辑包含多个单独处理线程以执行并发存储器存取操作(例如，读取操作、编程操作和擦除操作)。举例来说，每一处理线程对应于存储器平面中的相应一者且利用相关联独立平面驱动器电路以执行相应存储器平面上的存储器存取操作。当这些处理线程独立地操作时，与每一处理线程相关联的电力使用和要求也发生改变。
17.三维(3d)替换栅极存储器装置(例如，3d替换栅极nand)是具有使用字线堆叠的替换栅极结构的存储器装置。举例来说，3d替换栅极存储器装置可包含包夹在包含支柱(例如，多晶硅支柱)、隧道氧化物层、电荷阱(ct)层和介电(例如，氧化物)层的层集合之间的字线、选择栅极等。3d替换栅极存储器装置可具有对应于第一侧的“顶部叠组”和对应于第二侧的“底部叠组”。举例来说，第一侧可为漏极侧，且第二侧可为源极侧。3d替换栅极存储器
装置中的数据可被存储为1位/存储器单元(slc)、2位/存储器单元(mlc)、3位/存储器单元(tlc)等。对应于阈值电压分布的谷值之间的距离的读取窗口预算(rwb)容限可随着位/存储器单元的数目增加而减小。
18.在例如3d替换栅极存储器装置(例如，3d替换栅极nand装置)之类的特定存储器装置中，裸片可通过至少一个寄存器(例如，8位寄存器)提供其状态。更具体地说，所述至少一个状态寄存器可包含状态寄存器和扩展状态寄存器。关于编程操作状态或擦除操作状态，状态寄存器可包含用以指示编程操作或擦除操作是否已通过或失败的位。也就是说，当设定成一个特定状态时，所述位可指示在编程操作或擦除操作期间发生错误。然而，对于包含多个平面的多平面装置，所述位可不指示哪个平面已失败。为了解决此，可将命令(例如，78h命令)发送到每一平面以确定哪一平面已失败。
19.情况可能是：存储器装置可包含一或多个缺陷。缺陷可在例如擦除操作、编程操作或读取操作等存储器装置操作期间引起失败。举例来说，存储器子系统的存储器装置的本地媒体控制器(例如，nand存储器装置的nand控制器)可在以下情况下返回编程失败：编程电压超出阈值编程电压、编程循环超出最大编程循环、在应用编程脉冲期间(例如，通过使用电荷泵时钟监测(cpcm)检测方法)检测到wl泄漏电流、在(例如，通过使用wl短传感器检测方法)编程验证期间通过wl读取-验证电压(v
wlrv
)调节器检测到wl泄漏。作为另一实例，如果例如在擦除操作期间执行的擦除循环的数目超出擦除循环的阈值数目，那么存储器装置可返回擦除失败。
20.然而，可存在由本地媒体控制器作出的通过/失败错误判断的可能性。举例来说，本地媒体控制器所使用的信息可能不足以进行准确的通过/失败确定。另外，例如早期阶段中的缺陷等缺陷仍可返回为通过。举例来说，在缺陷的早期阶段期间的泄漏电流可足够小，以使得存储器阵列可仍通过读取或编程操作，但随着使用量和/或应力的增加，缺陷可能会更加严重。此外，如上文相对于多平面装置所提及，失败平面可影响未失败或良好平面，且由用于编程操作或擦除操作的状态寄存器所指示的状态可能不准确地捕获多平面装置的状态。存储器子系统的存储器子系统控制器也可缺乏信息。举例来说，存储器子系统控制器可具有来自每一平面的1位通过/失败信息。
21.本公开的各方面通过在存储器子系统控制器中实施存储器装置缺陷管理来解决以上和其它不足。存储器子系统可包含存储器子系统控制器和存储器装置(例如，nand存储器装置)。存储器装置可包含：本地媒体控制器；存储器阵列；状态寄存器，其维持指示存储器装置的存储器阵列的通过/失败状态的状态信息；以及补充缺陷管理信息存储装置，其用于维持补充缺陷管理信息，所述补充缺陷管理信息可辅助存储器子系统控制器来检测相对于存储器装置的存储器阵列的缺陷。在一些实施例中，补充缺陷管理信息存储装置包含易失性存储器装置。举例来说，补充缺陷管理信息存储装置可包含静态随机存取存储器(sram)装置。
22.补充缺陷管理信息可包含可经分析以确定存储器阵列的缺陷的风险的信息。补充缺陷管理信息可包含关于相对于存储器阵列执行的媒体存取操作的信息。举例来说，补充缺陷管理信息可包含关于相对于存储器阵列执行的编程操作、擦除操作或读取操作的信息。与编程操作相关的信息的实例可包含动态(wl)起始编程电压(dsv)、每一阈值电压电平的编程脉冲的数目、每一编程验证电平的检查或计数失败字节(cfbyte)、编程循环的数目、
与在编程操作期间检测短路或泄漏相关的信息(例如，每一编程脉冲的电荷泵时钟监测(cpcm)计数、每一编程验证电平的wl短传感器读数)等。与擦除操作相关的信息的实例可包含数个擦除脉冲、每一擦除验证电平的cfbyte、与在擦除操作期间检测相对于wl或源极线的短路或泄漏相关的信息(例如，每一擦除脉冲的cpcm计数、每一擦除验证电平的wl短传感器读数)等。与读取操作相关的信息的实例可包含与检测相对于wl、wl斜升时间的短路或泄漏相关的信息等。通常基于存储器装置的错误校正码(ecc)能力而决定cfbyte阈值，且可在每一编程/擦除验证电平期间确定cfbyte数目。如果在特定编程/擦除电平期间存储器单元的cfbyte数目低于cfbyte阈值，那么可进一步禁止这些存储器单元在所有后续编程/擦除脉冲中进一步编程/擦除，且本地存储器控制器可进一步停止发出编程/擦除验证脉冲以用于所有后续编程/擦除循环中的所述特定编程/擦除验证电平。
23.为了在存储器子系统控制器处实施缺陷管理，存储器子系统控制器可任选地发出启用缺陷管理的命令，例如“设定特征”命令(例如，efh命令)。在相对于存储器阵列执行的媒体存取操作期间，本地媒体控制器可将补充缺陷管理信息存储在补充缺陷管理信息存储装置中。在完成媒体存取操作之后，代替仅从状态寄存器获得1位通过/失败状态信息，存储器子系统控制器还可通过发出“获得特征”命令(例如，eeh命令)或其它合适命令来获得存储在补充存储器装置中的补充缺陷管理信息。存储器子系统控制器可随后分析状态信息与补充缺陷管理信息的组合以确定是否应将块视为有缺陷的块或不良的块。举例来说，如果状态信息指示“通过”且补充缺陷管理信息的分析指示不存在块有缺陷的风险，那么存储器子系统控制器可将所述块识别为通过且不需要执行进一步筛选。如果状态信息指示通过，但补充缺陷管理信息的分析指示存在块有缺陷的低风险，那么存储器子系统可指定所述块以供进行进一步筛选(例如，进行应力、短路和/或泄漏检测)。如果状态信息指示“失败”，或者状态信息指示“通过”且补充缺陷管理信息的分析指示存在块有缺陷的高风险，那么存储器子系统可使所述块的数据迁移到另一块，且存储器子系统可将所述块识别为有缺陷的块或不良的块。因此，通过将缺陷管理分担到存储器子系统控制器而非在存储器装置上局部地执行缺陷管理，存储器装置性能可得到改进，且存储器装置裸片大小不必增加。
24.本公开的优点包含但不限于改进的存储器装置缺陷检测，以及改进的存储器装置性能和可靠性。
25.图1示出根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统110的实例计算系统100。存储器子系统110可包含媒体，例如一或多个易失性存储器装置(例如，存储器装置140)、一或多个非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)或这些的组合。
26.存储器子系统110可为存储装置、存储器模块或存储装置和存储器模块的组合。存储装置的实例包含固态驱动器(ssd)、快闪驱动器、通用串行总线(usb)快闪驱动器、嵌入式多媒体控制器(emmc)驱动器、通用快闪存储(ufs)驱动器、安全数字(sd)卡，以及硬盘驱动器(hdd)。存储器模块的实例包含双列直插式存储器模块(dimm)、小型dimm(so-dimm)和各种类型的非易失性双列直插式存储器模块(nvdimm)。
27.计算系统100可为计算装置，例如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置、交通工具(例如，飞机、无人驾驶飞机、火车、汽车或其它运输工具)、启用物联网(iot)的装置、嵌入式计算机(例如，包含于交通工具、工业装备或联网的商业装置中的一者)，或包含存储器和处理装置的此类计算装置。
28.计算系统100可包含耦合到一或多个存储器子系统110的主机系统120。在一些实施例中，主机系统120耦合到不同类型的多个存储器子系统110。图1示出耦合到一个存储器子系统110的主机系统120的一个实例。如本文所使用，“耦合到”或“与
……
耦合”通常是指组件之间的连接，其可为间接通信连接或直接通信连接(例如，无介入组件)，无论有线或无线，包含例如电、光学、磁性等的连接。
29.主机系统120可包含处理器芯片组和由处理器芯片组执行的软件栈。处理器芯片组可包含一或多个核心、一或多个高速缓存器、存储器控制器(例如，nvdimm控制器)以及存储协议控制器(例如，pcie控制器、sata控制器)。主机系统120使用存储器子系统110，例如以将数据写入到存储器子系统110以及从存储器子系统110读取数据。
30.主机系统120可经由物理主机接口耦合到存储器子系统110。物理主机接口的实例包含但不限于串行高级技术附件(sata)接口、外围组件互连高速(pcie)接口、通用串行总线(usb)接口、光纤柱、串行连接的scsi(sas)、双数据速率(ddr)存储器总线、小型计算机系统接口(scsi)、双列直插式存储器模块(dimm)接口(例如，支持双数据速率(ddr)的dimm套接接口)等。物理主机接口可用以在主机系统120与存储器子系统110之间传输数据。在存储器子系统110通过物理主机接口(例如，pcie总线)与主机系统120耦合时，主机系统120可进一步利用nvm高速(nvme)接口来存取组件(例如，存储器装置130)。物理主机接口可提供接口以用于在存储器子系统110与主机系统120之间传递控制、地址、数据以及其它信号。图1示出存储器子系统110作为实例。一般来说，主机系统120可经由同一通信连接、多个单独通信连接和/或通信连接的组合来存取多个存储器子系统。
31.存储器装置130、140可包含不同类型的非易失性存储器装置和/或易失性存储器装置的任何组合。易失性存储器装置(例如，存储器装置140)可为但不限于随机存取存储器(ram)，例如动态随机存取存储器(dram)和同步动态随机存取存储器(sdram)。
32.非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)的一些实例包含与非(nand)类型快闪存储器和就地写入存储器，例如三维交叉点(“3d交叉点”)存储器装置，其为非易失性存储器单元的交叉点阵列。非易失性存储器单元的交叉点阵列可结合可堆叠交叉网格化数据存取阵列而基于体电阻的变化来执行位存储。另外，与许多基于快闪的存储器相比，交叉点非易失性存储器可执行就地写入操作，在所述操作中可在不事先擦除非易失性存储器单元的情况下对非易失性存储器单元进行编程。nand类型快闪存储器包含例如二维nand(2d nand)和三维nand(3d nand)。
33.存储器装置130中的每一者可包含一或多个存储器单元阵列。一种类型的存储器单元，例如单层级存储器单元(slc)可每存储器单元存储一个位。其它类型的存储器单元，例如多层级存储器单元(mlc)、三层级存储器单元(tlc)、四层级存储器单元(qlc)和五层级存储器单元(plc)可每存储器单元存储多个位。在一些实施例中，存储器装置130中的每一者可包含一或多个存储器单元阵列，例如slc、mlc、tlc、qlc、plc或这些的任何组合。在一些实施例中，特定存储器装置可包含存储器单元的slc部分，以及mlc部分、tlc部分、qlc部分或plc部分。存储器装置130的存储器单元可分组为可指代用以存储数据的存储器装置的逻辑单元的页。在一些类型的存储器(例如，nand)的情况下，可将页分组以形成块。
34.尽管描述了例如非易失性存储器单元的3d交叉点阵列和nand类型快闪存储器(例如，2d nand、3d nand)之类的非易失性存储器组件，但存储器装置130可基于任何其它类型
的非易失性存储器，例如只读存储器(rom)、相变存储器(pcm)、自选存储器、其它硫属化物类存储器、铁电晶体管随机存取存储器(fetram)、铁电随机存取存储器(feram)、磁性随机存取存储器(mram)、自旋转移力矩(stt)-mram、导电桥接ram(cbram)、电阻性随机存取存储器(rram)、氧化物类rram(oxram)、或非(nor)快闪存储器，或电可擦除可编程只读存储器(eeprom)。
35.存储器子系统控制器115(或为简单起见，控制器115)可与存储器装置130进行通信以执行例如在存储器装置130处读取数据、写入数据或擦除数据之类的操作以及其它此类操作。存储器子系统控制器115可包含硬件，例如一或多个集成电路和/或离散组件、缓冲存储器或其组合。硬件可包含具有用以执行本文中所描述的操作的专用(即，硬译码)逻辑的数字电路系统。存储器子系统控制器115可为微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(fpga)、专用集成电路(asic)等)或其它合适的处理器。
36.存储器子系统控制器115可包含处理装置，所述处理装置包含被配置成执行存储在本地存储器119中的指令的一或多个处理器(例如，处理器117)。在所示出的实例中，存储器子系统控制器115的本地存储器119包含被配置成存储指令的嵌入式存储器，所述指令用于执行控制包含处置存储器子系统110与主机系统120之间的通信等的存储器子系统110的操作的各种过程、操作、逻辑流以及例程。
37.在一些实施例中，本地存储器119可包含存储存储器指针、所提取的数据等的存储器寄存器。本地存储器119还可包含用于存储微码的只读存储器(rom)。虽然图1中的实例存储器子系统110已示出为包含存储器子系统控制器115，但是在本公开的另一实施例中，存储器子系统110不包含存储器子系统控制器115，而是可依赖于外部控制(例如，由外部主机提供，或由与存储器子系统分离的处理器或控制器提供)。
38.一般来说，存储器子系统控制器115可从主机系统120接收命令或操作，且可将命令或操作转换为指令或适当命令以实现对存储器装置130的期望存取。存储器子系统控制器115可负责其它操作，例如耗损均衡操作、垃圾回收操作、错误检测和错误校正码(ecc)操作、加密操作、高速缓存操作以及与存储器装置130相关联的逻辑地址(例如，逻辑块地址(lba)、名称空间)与物理地址(例如，物理块地址)之间的地址转换。存储器子系统控制器115可进一步包含主机接口电路系统以经由物理主机接口与主机系统120进行通信。主机接口电路系统可将从主机系统接收的命令转换成命令指令以存取存储器装置130以及将与存储器装置130相关联的响应转换成主机系统120的信息。
39.存储器子系统110还可包含未示出的额外电路系统或组件。在一些实施例中，存储器子系统110可包含高速缓存器或缓冲器(例如，dram)和地址电路系统(例如，行解码器和列解码器)，所述地址电路系统可从存储器子系统控制器115接收地址并对所述地址进行解码以存取存储器装置130。
40.在一些实施例中，存储器装置130包含本地媒体控制器135，所述本地媒体控制器结合存储器子系统控制器115进行操作以对存储器装置130的一或多个存储器单元执行操作。外部控制器(例如，存储器子系统控制器115)可在外部管理存储器装置130(例如，对存储器装置130执行媒体管理操作)。在一些实施例中，存储器子系统110是受管理存储器装置，其为具有裸片上的控制逻辑(例如，本地控制器135)的原始存储器装置130和用于相同存储器装置封装内的媒体管理的控制器(例如，存储器子系统控制器115)。受管理存储器装
置的实例是受管理nand(mnand)装置。
41.存储器子系统控制器115可实施可在媒体存取操作期间执行缺陷检测和管理的缺陷管理(dm)组件113。举例来说，dm组件113可结合本地媒体控制器135执行相对于存储器装置130的缺陷存储器装置缺陷管理。举例来说，dm组件113可促使从存储器装置130获得缺陷管理，分析缺陷管理信息以确定相对于存储器装置130的存储器阵列的缺陷的可能性，且基于缺陷的可能性而识别存储器阵列的缺陷状态。更具体地说，缺陷管理信息可包含关于存储器装置130的存储器阵列的状态的状态信息，以及与相对于存储器装置130的存储器阵列执行的媒体存取操作相关联的补充缺陷管理信息。状态信息可包含指示如由本地媒体控制器135识别的存储器装置130的存储器阵列的状态的位，且可维持于存储器装置130的状态寄存器上。补充缺陷管理信息可包含关于相对于存储器装置130的存储器阵列执行的例如编程操作、写入操作或读取操作的数据，且补充缺陷管理信息可维持在存储器装置130的易失性存储器(例如，静态随机存取存储器(sram))上。下文将参考图3至5描述关于dm组件113的操作、状态信息和补充缺陷管理信息的其它细节。
42.图2为根据实施例的呈存储器装置130形式的第一设备与呈存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)的存储器子系统控制器115形式的第二设备进行通信的简化框图。电子系统的一些实例包含个人计算机、个人数字助理(pda)、数字相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电气设备、车辆、无线装置、移动电话等。存储器子系统控制器115(例如，存储器装置130外部的控制器)可为存储器控制器或其它外部主机装置。
43.存储器装置130包含逻辑上布置成行和列的存储器单元阵列204。逻辑行的存储器单元通常连接到相同存取线(例如，字线)，而逻辑列的存储器单元通常选择性地连接到相同数据线(例如，位线)。单个存取线可与存储器单元的多于一个逻辑行相关联，并且单个数据线可与多于一个逻辑列相关联。存储器单元阵列204的至少一部分的存储器单元(图2中未展示)能够被编程为至少两个目标数据状态中的一个。
44.提供行解码电路系统208和列解码电路系统210以对地址信号进行解码。接收地址信号且对其进行解码以存取存储器单元阵列204。存储器装置130还包含输入/输出(i/o)控制电路系统260以管理命令、地址和数据到存储器装置130的输入以及数据和状态信息从存储器装置130的输出。地址寄存器214与i/o控制电路系统260和行解码电路系统208以及列解码电路系统210进行通信以在解码之前锁存地址信号。命令寄存器224与i/o控制电路系统260和本地媒体控制器135进行通信以锁存传入命令。
45.控制器(例如，存储器装置130内部的本地媒体控制器135)响应于命令而控制对存储器单元阵列204的存取，且产生用于外部存储器子系统控制器115的状态信息，即，本地媒体控制器135被配置成对存储器单元阵列204执行存取操作(例如，读取操作、编程操作和/或擦除操作)。本地媒体控制器135与行解码电路系统208和列解码电路系统210进行通信以响应于地址而控制行解码电路系统208和列解码电路系统210。
46.本地媒体控制器135还与高速缓存寄存器218进行通信。高速缓存寄存器218锁存如由本地媒体控制器135引导的传入或传出数据以暂时存储数据，同时存储器单元阵列204正忙于分别写入或读取其它数据。在编程操作(例如，写入操作)期间，可将数据从高速缓存寄存器218传递到数据寄存器270以用于传送到存储器单元阵列204；接着可将新数据从i/o控制电路系统260锁存于高速缓存寄存器218中。在读取操作期间，可将数据从高速缓存寄
存器218传递到i/o控制电路系统260以用于输出到存储器子系统控制器115；接着可将新数据从数据寄存器270传递到高速缓存寄存器218。高速缓存寄存器218和/或数据寄存器270可形成存储器装置130的页缓冲器(例如，可形成其一部分)。页缓冲器可进一步包含感测装置(图2中未展示)以感测存储器单元阵列204的存储器单元的数据状态，例如通过感测连接到所述存储器单元的数据线的状态。状态寄存器222可与i/o控制电路系统260和本地存储器控制器135进行通信以锁存状态信息以用于输出到存储器子系统控制器115。在一个实施例中，存储器子系统控制器115包含dm组件113，所述dm组件可使用从存储器装置130接收到的状态信息来执行缺陷管理。
47.存储器装置130经由控制链路232从本地媒体控制器135接收存储器子系统控制器115处的控制信号。举例来说，控制信号可包含芯片启用信号ce#、命令锁存启用信号cle、地址锁存启用信号ale、写入启用信号we#、读取启用信号re#和写入保护信号wp#。取决于存储器装置130的本质，可进一步经由控制链路232接收额外或替代的控制信号(未展示)。在一个实施例中，存储器装置130经由多路复用的输入/输出(i/o)总线236从存储器子系统控制器115接收命令信号(其表示命令)、地址信号(其表示地址)和数据信号(其表示数据)，且经由i/o总线236将数据输出到存储器子系统控制器115。
48.举例来说，可在i/o控制电路系统260处经由i/o总线236的输入/输出(i/o)引脚[7:0]接收命令且接着可将所述命令写入到命令寄存器224中。可在i/o控制电路系统260处经由i/o总线236的输入/输出(i/o)引脚[7:0]接收地址且接着可将所述地址写入到地址寄存器214中。可在i/o控制电路系统260处经由用于8位装置的输入/输出(i/o)引脚[7:0]或用于16位装置的输入/输出(i/o)引脚[15:0]接收数据且接着可将所述数据写入到高速缓存寄存器218中。随后可将数据写入到数据寄存器270中以用于对存储器单元阵列204进行编程。
[0049]
在实施例中，可省略高速缓存寄存器218，且可将数据直接写入到数据寄存器270中。还可经由用于8位装置的输入/输出(i/o)引脚[7:0]或用于16位装置的输入/输出(i/o)引脚[15:0]输出数据。虽然可参考i/o引脚，但其可包含实现通过外部装置(例如，存储器子系统控制器115)电连接到存储器装置130的任何导电节点，例如常用的导电衬垫或导电凸块。
[0050]
所属领域的技术人员应了解，可提供额外的电路系统和信号并且已简化图2的存储器装置130。应认识到，参考图2所描述的各种块组件的功能性可不必与集成电路装置的不同组件或组件部分分离。举例来说，集成电路装置的单个组件或组件部分可适于执行图2的多于一个块组件的功能性。替代地，可组合集成电路装置的一或多个组件或组件部分以执行图2的单个块组件的功能性。此外，虽然根据用于各种信号的接收和输出的流行惯例来描述特定i/o引脚，但应注意，可在各种实施例中使用其它组合或数目个i/o引脚(或其它i/o节点结构)。
[0051]
图3为根据本公开的一些实施例的用以执行存储器装置缺陷管理的系统300的框图。如所展示，系统300包含上文参考图1和2所描述的存储器子系统控制器115和存储器装置130。举例来说，存储器子系统控制器115可包含上文参考图1和2所描述的dm组件113。存储器装置130可包含本地媒体控制器135、状态寄存器222和存储器单元阵列(“存储器阵列”)204。另外，存储器装置130可进一步包含补充缺陷管理信息存储装置(sdmis)320。
[0052]
存储器子系统控制器115通过dm组件113可与存储器装置130进行通信以执行缺陷管理。举例来说，存储器子系统控制器115可(任选地)启用缺陷管理。更具体地说，存储器子系统控制器115可将命令发出到存储器装置130以启用缺陷管理，例如“设定特征”命令(例如，efh命令)。本地媒体控制器115可接着执行存储器阵列操作，且将补充缺陷管理信息存储于在相对于存储器阵列204执行的媒体存取操作期间获得的sdmis 320中。补充缺陷管理信息可包含关于相对于存储器阵列204执行的媒体存取操作的信息。举例来说，如上文所描述，补充缺陷管理信息可包含关于相对于存储器阵列204执行的编程操作、擦除操作或读取操作的信息。
[0053]
dm组件113接着可将缺陷管理信息命令发出到存储器装置130以获得缺陷管理信息。举例来说，缺陷管理信息命令可为“获得特征”命令(例如，eeh命令)或其它合适命令。dm组件113可接收缺陷管理信息，且分析状态信息与补充缺陷管理信息的组合以确定相对于存储器阵列204的缺陷的可能性。举例来说，dm组件113可确定存储器阵列204是否应被视为有缺陷的或不良的存储器阵列(例如，有缺陷的或不良的块)。举例来说，如果状态信息指示“通过”且补充缺陷管理信息的分析指示不存在存储器阵列204有缺陷的风险，那么存储器子系统控制器可将存储器阵列204识别为通过且不需要执行进一步筛选。如果状态信息指示通过，但补充缺陷管理信息的分析指示存在存储器阵列204有缺陷的低风险，那么存储器子系统可指定存储器阵列204以供进行进一步筛选(例如，进行应力、短路和/或泄漏检测)。如果状态信息指示“失败”，或者状态信息指示“通过”且缺陷信息的分析指示存在存储器阵列204有缺陷的高风险，那么dm组件113可使存储器阵列204的数据迁移到另一块，且dm组件113可将存储器阵列204识别为有缺陷的或不良的存储器阵列204。因此，通过将缺陷管理分担到存储器子系统控制器115而非在存储器装置130上局部地执行缺陷管理，存储器装置性能可得到改进，且存储器装置裸片大小不必增加。下文将参考图4描述关于由本地媒体控制器135执行以执行缺陷管理的操作的其它细节，并且下文将参考图5描述关于由存储器子系统控制器115执行以执行缺陷管理的操作的其它细节。
[0054]
图4为根据本公开的一些实施例的由本地媒体控制器执行以执行缺陷管理的实例方法400的流程图。方法400可由可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合的控制逻辑来执行。在一些实施例中，由图1和2的本地媒体控制器135来执行方法400。虽然以特定顺序或次序来展示，但除非另外指定，否则可修改过程的次序。因此，示出的实施例应仅作为实例理解，且示出的过程可以不同次序执行，并且一些过程可并行执行。此外，在各种实施例中可省略一或多个过程。因此，每个实施例中并非需要所有过程。其它过程流程是可能的。
[0055]
在操作410处，存储缺陷管理信息。举例来说，控制逻辑(例如，本地媒体控制器135)可促使存储缺陷管理信息。缺陷管理信息可包含关于存储在存储器装置的状态寄存器中的存储器装置的存储器阵列的状态信息(例如，1位通过/失败状态信息)，以及存储在存储器装置的补充缺陷管理信息存储装置(例如，sram)中的补充缺陷管理信息。可在相对于存储器阵列执行的媒体存取操作期间获得补充缺陷管理信息。举例来说，补充缺陷管理信息可包含与编程操作、擦除操作或读取操作有关的信息。上文参考图3描述了关于存储补充缺陷管理信息的其它细节。
[0056]
在操作420处，接收缺陷管理命令。举例来说，控制逻辑可从存储器子系统控制器(例如，存储器子系统控制器115)接收缺陷管理命令。举例来说，命令可为“获得特征”命令(例如，eeh命令)或其它合适命令。上文参考图3描述了关于接收缺陷管理命令的其它细节。
[0057]
在操作430处，提供缺陷管理信息。举例来说，响应于接收到缺陷管理命令，控制逻辑可将缺陷管理信息提供到存储器子系统控制器。存储器子系统控制器可随后分析缺陷管理信息，包含状态信息和补充缺陷管理信息，以作出关于存储器阵列的缺陷状态的决策。上文参考图3描述了关于提供缺陷管理信息的其它细节。
[0058]
图5为根据本公开的一些实施例的由存储器子系统控制器执行以执行缺陷管理的实例方法500的流程图。方法500可由可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合的控制逻辑来执行。在一些实施例中，由图1和2的存储器子系统控制器115的dm组件113来执行方法500。虽然以特定顺序或次序来展示，但除非另外指定，否则可修改过程的次序。因此，示出的实施例应仅作为实例理解，且示出的过程可以不同次序执行，并且一些过程可并行执行。此外，在各种实施例中可省略一或多个过程。因此，每个实施例中并非需要所有过程。其它过程流程是可能的。
[0059]
在操作510处，起始缺陷管理。举例来说，控制逻辑(例如，由存储器子系统控制器115实施的dm组件113)可起始相对于存储器装置的存储器阵列的缺陷管理。起始缺陷管理可包含将缺陷管理启用命令发出到存储器装置的本地媒体控制器(例如，本地媒体控制器135)以启用缺陷管理。在操作510处发出的缺陷管理启用命令可为“设定特征”命令(例如，efh命令)。上文参考图3和4描述了关于起始缺陷管理的其它细节。
[0060]
在操作520处，获得缺陷管理信息。举例来说，控制逻辑可促使从存储器装置获得缺陷管理信息。获得缺陷管理信息可包含将缺陷管理信息命令发出到存储器装置以获得缺陷管理信息。举例来说，缺陷管理信息命令可为“获得特征”命令(例如，eeh命令)或其它合适命令。缺陷管理信息可包含关于存储在存储器装置的状态寄存器中的存储器阵列的状态信息(例如，1位通过/失败状态信息)，以及存储在存储器装置的补充缺陷管理信息存储装置(例如，sram)中的补充缺陷管理信息。补充缺陷管理信息可对应于相对于存储器阵列执行的媒体存取操作。举例来说，补充缺陷管理信息可包含与编程操作、擦除操作或读取操作有关的信息。上文参考图3和4描述了关于存储补充缺陷管理信息的其它细节。
[0061]
在操作530处，分析缺陷管理信息。举例来说，控制逻辑可分析缺陷管理信息以确定相对于存储器阵列的缺陷的可能性。
[0062]
举例来说，在操作540处，确定状态信息是否指示存储器阵列为通过的存储器阵列。更具体地说，控制逻辑可分析状态信息以识别状态信息是指示通过的存储器阵列还是指示失败的存储器阵列。如果状态信息指示失败的存储器阵列，那么不需要执行进一步分析以将存储器阵列识别为失败的存储器阵列。因此，控制逻辑在操作550处将存储器阵列识别为失败的存储器阵列，且过程结束。将存储器阵列识别为失败的存储器阵列可包含以下中的至少一者：从失败的存储器阵列传送数据(例如，将数据迁移到不为失败的存储器阵列的另一存储器阵列)、将存储器阵列标记为失败的存储器阵列，或停用失败的存储器阵列。
[0063]
如果状态信息指示存储器阵列是通过的阵列，那么不保证存储器阵列不具有缺陷。举例来说，存储器阵列可具有在媒体存取操作(例如，编程操作、擦除操作、读取操作)期
间遗漏或忽略的潜在缺陷。为了解决此，在操作560处，确定存储器阵列是否具有缺陷风险。举例来说，控制逻辑可分析补充缺陷管理信息以识别存储器阵列的缺陷风险等级。
[0064]
如果不存在缺陷风险(例如，大体上低缺陷风险)，那么控制逻辑可在操作570处将存储器阵列识别为通过的存储器阵列，且过程结束。如果存在缺陷风险，那么控制逻辑可在操作580处确定缺陷风险是否为高缺陷风险。如果缺陷风险被确定为高缺陷风险，那么存储器阵列在操作550处被识别为失败的存储器阵列。
[0065]
可基于批量测试和数据检核来限定缺陷风险等级(例如，低、中或高)。举例来说，在大批量制造期间，可在大批量质量和/或可靠性测试期间有规律地取样至少一些存储器装置部分。在这些测试期间，失败可与早期信号相关。可通过将会基于大批量质量和/或可靠性测试的结果而发生缺陷的概率来确定风险等级。对风险等级的确定可取决于例如存储器的层、层次的数目等。
[0066]
举例来说，假设归因于wl至支柱短路缺陷，存储器阵列在第1000个编程循环处失败。然而，存储器阵列展示从第900个编程循环开始的升高的电流泄漏。升高的电流泄漏可为在第1000个编程循环处产生的失败的早期指示或信号。因此，升高的电流泄漏在此实例中是指示高缺陷风险的高风险信号。
[0067]
如果存在缺陷风险，但并非高缺陷风险，那么这意味着可能需要额外测试来确定存储器阵列是应被视为通过的存储器阵列还是应被视为失败的存储器阵列。假设良好的组件将不会随着由于测试而添加的应力而改变太多，但有缺陷的组件将因所添加的应力而劣化。在操作590处，执行进一步筛选。举例来说，控制逻辑可起始一或多个测试以确定存储器阵列是否有缺陷。测试的实例包含应力测试、电流泄漏测试和/或短路测试。举例来说，可通过测量在媒体存取操作期间存储器阵列的组件之间的电流差(例如，字线与支柱之间的字线之间的电流差)来执行测试。
[0068]
随后基于进一步筛选而在操作595处确定是否存在高缺陷风险。如果不是，那么在操作570处认为继续使用存储器阵列且将存储器阵列识别为通过的存储器是安全的。如果进一步筛选确定存储器阵列具有高缺陷风险，那么存储器阵列在操作550处被识别为失败的存储器阵列。
[0069]
作为另一实例，升高的电流泄漏可能不一定意味着存储器阵列将失败(例如，一些存储器阵列可甚至在升高的电流泄漏的情况下继续起作用)。在此情况下，升高的电流泄漏可对应于中等缺陷风险。
[0070]
图6为根据本公开的一些实施例的包含存储器阵列的实例存储器装置(“装置”)600的图。举例来说，装置600可为包含具有一或多个叠组或层次的存储器阵列的三维(3d)替换栅极存储器装置。然而，此实例不应被视为具有限制性。
[0071]
如所展示，装置600包含位线610、支柱620-1和620-2、选择栅极(sg)630-1和630-2、源极线(src)640以及字线(wl)组650-1、650-2、660-1和660-2。更具体地说，wl组650-1和650-2是虚拟wl组，且wl组660-1和660-2是有源wl组。wl组650-1包含虚拟wl 652-1至566-1，wl组650-2包含虚拟wl 652-2至656-2，wl组660-1包含有源wl 662-1和664-1，且wl组660-2包含有源wl 662-2、664-2和666-2。然而，此实例不应被视为具有限制性。虚拟wl对应于并不存储数据且被包含以满足处理容限的存储器单元，而有源wl对应于存储数据的存储器单元。
[0072]
如进一步展示，提供wl 670。在一些实施例中，装置600是多个叠组装置，其中wl组650-1和660-1与装置600的第一叠组(例如，上部叠组)相关联，且wl组650-2和660-2与装置600的第二叠组(例如，下部叠组)相关联，以使得wl 670对应于将wl组660-1和660-2分离的虚拟wl。在其它实施例中，装置600是“单个叠组”装置，其中wl组660-1和660-2不以叠组布置。此处，wl 670可为wl组660-1或660-2中的一者内的有源wl。
[0073]
图7示出计算机系统700的实例机器，在所述计算机系统内可执行用于使机器执行本文中所论述的方法中的任何一或多者的一组指令。在一些实施例中，计算机系统700可对应于主机系统(例如，图1的主机系统120)，所述主机系统包含、耦合到或利用存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)或可用于执行控制器的操作(例如，实行操作系统以执行对应于图1的dm组件113的操作)。在替代性实施例中，机器可连接(例如，联网)到lan、企业内部网、外联网和/或因特网中的其它机器。机器可作为对等(或分散式)网络环境中的对等机器或作为云计算基础设施或环境中的服务器或客户端机器而以客户端-服务器网络环境中的服务器或客户端机器的资格进行操作。
[0074]
机器可为个人计算机(pc)、平板pc、机顶盒(stb)、个人数字助理(pda)、存储器蜂窝式电话、网络器具、服务器、网络路由器、交换机或桥接器，或能够(依序或以其它方式)执行指定待由机器采取的动作的一组指令的任何所述机器。此外，尽管示出单个机器，但术语“机器”还应被理解为包含机器的任何合集，所述机器单独地或联合地执行一组(或多组)指令以执行本文中所论述的方法中的任何一或多者。
[0075]
实例计算机系统700包含处理装置702、主存储器704(例如，只读存储器(rom)、快闪存储器、动态随机存取存储器(dram)，例如同步dram(sdram)或rdram等)、静态存储器706(例如，快闪存储器、静态随机存取存储器(sram)等)，以及数据存储系统718，以上各者经由总线730彼此通信。
[0076]
处理装置702表示一或多个通用处理装置，例如微处理器、中央处理单元等。更确切地说，处理装置可为复杂指令集计算(cisc)微处理器、精简指令集计算(risc)微处理器、超长指令字(vliw)微处理器或实施其它指令集的处理器，或实施指令集的组合的处理器。处理装置702也可为一或多个专用处理装置，例如专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)、数字信号处理器(dsp)、网络处理器等。处理装置702被配置成执行指令726以用于执行本文中所论述的操作和步骤。计算机系统700可进一步包含网络接口装置708以经由网络720进行通信。
[0077]
数据存储系统718可包含机器可读存储媒体724(也称为计算机可读媒体)，所述机器可读存储媒体上存储有一或多组指令726或体现本文所描述的方法或功能中的任何一或多者的软件。指令726还可在其由计算机系统700执行期间完全或至少部分地驻留在主存储器704内和/或处理装置702内，主存储器704和处理装置702也构成机器可读存储媒体。机器可读存储媒体724、数据存储系统718和/或主存储器704可对应于图1的存储器子系统110。
[0078]
在一个实施例中，指令726包含用于实施对应于dm组件(例如，图1的dm组件113)的功能性的指令。尽管在实例实施例中将机器可读存储媒体724展示为单个媒体，但术语“机器可读存储媒体”应被认为包含单个媒体或存储一或多组指令的多个媒体。术语“机器可读存储媒体”还应被认为包含能够存储或编码供机器执行的一组指令且使机器执行本公开的方法中的任何一或多者的任何媒体。因此，应认为术语“机器可读存储媒体”包含但不限于
固态存储器、光学媒体和磁性媒体。
[0079]
已关于对计算机存储器内的数据位的操作的算法和符号表示而呈现先前详细描述的一些部分。这些算法描述和表示是数据处理领域的技术人员用以将其工作的主旨最有效地传达给所属领域的其它技术人员的方式。算法在这里并且通常被认为是产生期望结果的自洽的一系列操作。所述操作是需要对物理量进行物理操控的操作。这些量通常但未必呈能够被存储、组合、比较和以其它方式操控的电或磁信号的形式。有时，主要出于通用的原因，已证明将这些信号称为位、值、元件、符号、字符、项、编号等是方便的。
[0080]
然而，应牢记，所有这些和类似术语应与适当物理量相关联，且仅为应用于这些量的方便标记。本公开可指计算机系统或类似电子计算装置的动作和过程，其将表示为计算机系统的寄存器和存储器内的物理(电子)量的数据操控并变换为类似地表示为计算机系统存储器或寄存器或其它此类信息存储系统内的物理量的其它数据。
[0081]
本公开还涉及用于执行本文中的操作的设备。此设备可出于预期目的而专门构造，或其可包含通过存储在计算机中的计算机程序而被选择性地激活或重新配置的通用计算机。此类计算机程序可存储在计算机可读存储媒体中，例如任何类型的盘，包含软盘、光盘、cd-rom和磁性光盘、只读存储器(rom)、随机存取存储器(ram)、eprom、eeprom、磁卡或光卡，或适合于存储电子指令的任何类型的媒体，其各自耦合到计算机系统总线。
[0082]
本文中呈现的算法和显示器本质上并不与任何特定计算机或其它设备相关。各种通用系统可与根据本文中的教示的程序一起使用，或其可证明构造用以执行所述方法的更专用设备是方便的。将如下文描述中所阐述的那样来呈现用于多种这些系统的结构。另外，不参考任何特定编程语言来描述本公开。应了解，可使用各种编程语言来实施本文中所描述的本公开的教示。
[0083]
本公开可被提供为计算机程序产品或软件，其可包含其上存储有可用于编程计算机系统(或其它电子装置)以执行根据本公开的过程的指令的机器可读媒体。机器可读媒体包含用于以机器(例如，计算机)可读的形式存储信息的任何机制。在一些实施例中，机器可读(例如，计算机可读)媒体包含机器(例如，计算机)可读存储媒体，例如只读存储器(“rom”)、随机存取存储器(“ram”)、磁盘存储媒体、光学存储媒体、快闪存储器组件等。
[0084]
在前述说明书中，已参考本公开的具体实例实施例描述了本公开的实施例。将显而易见的是，可在不脱离如所附权利要求书中阐述的本公开的实施例的更广精神和范围的情况下对本公开进行各种修改。因此，应在说明性意义上而非限制性意义上看待本说明书和图式。

技术特征：

1.一种系统，其包括：存储器装置，其包括存储器阵列；以及处理装置，其与所述存储器装置以操作方式耦合，以执行包括以下各者的操作：促使从所述存储器装置获得缺陷管理信息，其中所述缺陷管理信息包括关于所述存储器阵列的状态的状态信息以及与相对于所述存储器阵列执行的媒体存取操作相关联的补充缺陷管理信息；分析所述缺陷管理信息以确定相对于所述存储器阵列的缺陷的可能性；以及基于缺陷的所述可能性而识别所述存储器阵列的缺陷状态。2.根据权利要求1所述的系统，其中从所述存储器装置的状态寄存器获得所述状态信息，并且其中从所述存储器装置的易失性存储器获得所述补充缺陷管理信息。3.根据权利要求1所述的系统，其中分析所述缺陷管理信息包括确定所述状态信息是否指示所述存储器阵列是通过的存储器阵列。4.根据权利要求3所述的系统，其中识别所述存储器阵列的所述缺陷状态进一步包括：响应于所述状态信息指示所述存储器阵列是失败的存储器阵列，将所述存储器阵列的所述缺陷状态识别为失败的存储器阵列。5.根据权利要求4所述的系统，其中将所述存储器阵列的所述缺陷状态识别为失败的存储器阵列进一步包括以下各者中的至少一者：从所述失败的存储器阵列传送数据、将所述存储器阵列标记为失败的存储器阵列，或停用所述失败的存储器阵列。6.根据权利要求3所述的系统，其中分析所述缺陷管理信息进一步包括：响应于所述状态信息指示所述存储器阵列是通过的存储器阵列，基于所述补充缺陷管理信息而确定所述存储器阵列是否具有缺陷风险。7.根据权利要求6所述的系统，其中识别所述存储器阵列的所述缺陷状态进一步包括：响应于基于所述补充缺陷管理信息而确定所述存储器不具有缺陷风险，将所述存储器阵列的所述缺陷状态识别为通过的存储器阵列。8.根据权利要求6所述的系统，其中分析所述缺陷管理信息进一步包括：响应于基于所述补充缺陷管理信息而确定所述存储器具有缺陷，基于所述补充缺陷管理信息而确定所述存储器阵列是否具有高缺陷风险；以及响应于基于所述补充缺陷管理信息而确定所述存储器不具有高缺陷风险，促使相对于所述存储器阵列执行进一步筛选以确定是否将所述存储器阵列识别为通过的存储器阵列。9.根据权利要求8所述的系统，其中识别所述存储器阵列的所述缺陷状态进一步包括：响应于基于所述补充缺陷管理信息而确定所述存储器具有高缺陷风险，将所述存储器阵列的所述缺陷状态识别为失败的存储器阵列。10.根据权利要求1所述的系统，其中补充缺陷管理信息存储装置包括易失性存储器装置。11.一种方法，其包括：通过处理装置促使从存储器装置获得缺陷管理信息，其中所述缺陷管理信息包括关于存储器阵列的状态的状态信息以及与相对于所述存储器阵列执行的媒体存取操作相关联的补充缺陷管理信息；通过所述处理装置分析所述缺陷管理信息以确定相对于所述存储器阵列的缺陷的可
能性；以及通过所述处理装置基于缺陷的所述可能性而识别所述存储器阵列的缺陷状态。12.根据权利要求11所述的方法，其中从所述存储器装置的状态寄存器获得所述状态信息，并且其中从所述存储器装置的易失性存储器获得所述补充缺陷管理信息。13.根据权利要求11所述的方法，其中分析所述缺陷管理信息包括确定所述状态信息是否指示所述存储器阵列是通过的存储器阵列。14.根据权利要求13所述的方法，其中识别所述存储器阵列的所述缺陷状态进一步包括：响应于所述状态信息指示所述存储器阵列是失败的存储器阵列，将所述存储器阵列的所述缺陷状态识别为失败的存储器阵列。15.根据权利要求14所述的方法，其中将所述存储器阵列的所述缺陷状态识别为失败的存储器阵列进一步包括以下各者中的至少一者：从所述失败的存储器阵列传送数据、将所述存储器阵列标记为失败的存储器阵列，或停用所述失败的存储器阵列。16.根据权利要求13所述的方法，其中分析所述缺陷管理信息进一步包括：响应于所述状态信息指示所述存储器阵列是通过的存储器阵列，基于所述补充缺陷管理信息而确定所述存储器阵列是否具有缺陷风险。17.根据权利要求16所述的方法，其中识别所述存储器阵列的所述缺陷状态进一步包括：响应于基于所述补充缺陷管理信息而确定所述存储器不具有缺陷风险，将所述存储器阵列的所述缺陷状态识别为通过的存储器阵列。18.根据权利要求16所述的方法，其中分析所述缺陷管理信息进一步包括：响应于基于所述补充缺陷管理信息而确定所述存储器具有缺陷，基于所述补充缺陷管理信息而确定所述存储器阵列是否具有高缺陷风险；以及响应于基于所述补充缺陷管理信息而确定所述存储器不具有高缺陷风险，促使相对于所述存储器阵列执行进一步筛选以确定是否将所述存储器阵列识别为通过的存储器阵列。19.根据权利要求18所述的方法，其中识别所述存储器阵列的所述缺陷状态进一步包括：响应于基于所述补充缺陷管理信息而确定所述存储器具有高缺陷风险，将所述存储器阵列的所述缺陷状态识别为失败的存储器阵列。20.一种存储器装置，其包括：存储器阵列；状态寄存器；补充缺陷管理信息存储装置；以及控制逻辑，其与所述存储器阵列、所述状态寄存器和所述补充缺陷管理信息存储装置以操作方式耦合，以执行包括以下各者的操作：存储与相对于所述存储器阵列执行的媒体存取操作相关联的缺陷管理信息，包含将状态信息存储在所述状态寄存器中且将补充缺陷管理信息存储在所述补充缺陷管理信息存储装置中；从可通信地耦合到所述存储器装置的存储器子系统控制器接收缺陷管理命令；以及
响应于接收到所述缺陷管理命令，将所述缺陷管理信息提供到所述存储器子系统控制器。

技术总结

本公开涉及存储器装置缺陷管理。一种系统包含：存储器装置，其包含存储器阵列；以及处理装置，其与所述存储器阵列以操作方式耦合，以执行包含促使从所述存储器装置获得缺陷管理信息的操作。所述缺陷管理信息包含关于所述存储器阵列的状态的状态信息以及与相对于所述存储器阵列执行的媒体存取操作相关联的补充缺陷管理信息。所述操作进一步包含分析所述缺陷管理信息以确定相对于所述存储器阵列的缺陷的可能性；以及基于缺陷的所述可能性而识别所述存储器阵列的缺陷状态。所述存储器阵列的缺陷状态。所述存储器阵列的缺陷状态。