基准电流电路、电荷补偿方法及芯片与流程

1.本发明是关于集成电路领域，特别是关于一种基准电流电路、电荷补偿方法及芯片。

背景技术：

2.芯片内部电路中，基准电流电路是基准电流源的重要组成部分。现有的基准电流电路如图1所示，由基准电流产生单元ibias_generate所在的环路产生特定的基准电流，再通过电流镜镜像得到不同大小的基准电流iref_1、iref_2(na级)分别送到功能单元module_1和module_2中(若此时开关s1为闭合状态)。在图1的设计中，基准电流产生单元ibias_generate所在的环路产生的电流i1、i2的大小仅设定在na级，这样设定的优点是在其他单元电路关闭时，基准电流产生单元具有极低的功耗，而这样设定的缺点是环路的带宽很低，当增加某个功能单元使得对应的基准电流产生变化时(例如开关s1由断开状态切换到闭合状态，功能单元module_2接入电路)，此时，增加的功能单元的相应mos管的栅源寄生电容cgs、栅漏寄生电容cgd会影响到连接点vbp的电压，进而在基准电流变化的瞬态会影响到其它的基准电流的大小(例如基准电流iref_1)，基准电流产生单元ibias_generate所在的环路需要很长的时间才能将其调整到所要求的建立精度下。
3.为了减少新增设功率单元对vbp电压值的影响，提出了如图2所示的技术方案，在连接点vbp与电源电压vdd之间连接一个较大的电容cx，同时在所切换基准电流支路的mos管mp2的栅极串联一个电阻rx，增大电容cx可以减小在mos管mp2对连接点vbp的电荷注入或抽取时连接点vbp的电压的变化，增大电阻rx可以减缓mos管mp2对连接点vbp注入或抽取电荷的速度，从而减小对连接点vbp的电压影响。但是较大的电容cx会大幅增加芯片的面积，也会大幅降低基准电流产生单元ibias_generate所在环路的带宽，并且增大电阻rx也无法保证基准电流iref_2的建立速度。
4.如图1所示，基准电流产生单元ibias_generate输出到功能单元module_2的第二基准电流iref_2发生切换时，电路对第二基准电流iref_2的切换有两方面的要求：一、第二基准电流iref_2对应支路上的开关s1闭合与断开时，对第一基准电流iref_1产生尽可能小的影响；二、第二基准电流iref_2对应支路上的开关闭合时，第二基准电流iref_2能够尽可能快地建立。
5.所以如果在第二基准电流iref_2发生切换时，能够使连接点vbp的电压尽可能保持不变，避免仅通过具有na级电流的基准电流产生单元ibias_generate所在的环路调节连接点vbp的电压，这样既可以消除第二基准电流iref_2切换对第一基准电流iref_1的影响，同时又使得第二基准电流iref_2以尽可能快的速度建立。
6.公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

技术实现要素：

7.本发明的目的在于提供一种基准电流电路、电荷补偿方法及芯片，其能够在基准电流iref_2发生切换时，能够使连接点vbp的电压尽可能保持不变。
8.为实现上述目的，本发明的实施例提供了一种基准电流电路，包括：基准电流产生单元、基准电流复制单元和追踪补偿单元。
9.追踪补偿单元包括：检测电路、钳位电路和补偿电路。基准电流产生单元用于产生基准电流；基准电流复制单元包括共栅连接的第一mos管、第二mos管和第三mos管，第一mos管、第二mos管和第三mos管构成电流镜，第一mos管和第二mos管的漏极与基准电流产生单元相连，第三mos管的漏极用于接入功能单元；检测电路与第三mos管的漏极相连，检测电路用于在第三mos管的漏极与功能单元之间断开和导通时输出不同的补偿电压；钳位电路与检测电路相连，钳位电路用于在第三mos管的漏极与功能单元之间断开时将对应的补偿电压钳位至预设值；补偿电路与检测电路、钳位电路和第一mos管的栅极相连，补偿电路用于在钳位电路将补偿电压钳位至预设值时往第一mos管的栅极端注入电荷、在第三mos管的漏极与功能单元之间导通时抽取第一mos管的栅极端的电荷。
10.在本发明的一个或多个实施例中，所述检测电路包括第四mos管和第五mos管，所述第四mos管和第五mos管的栅极与第三mos管的漏极相连，所述第四mos管的漏极与钳位电路相连以输出补偿电压，所述第五mos管的漏极与钳位电路相连，所述第四mos管和第五mos管的源极分别与电源电压和地电压相连。
11.在本发明的一个或多个实施例中，所述钳位电路包括第七mos管，所述第七mos管的漏极与检测电路相连，所述第七mos管的栅极与第一mos管的栅极或控制电压相连，所述第七mos管的源极与检测电路相连以在第三mos管的漏极与功能单元之间断开时将对应的补偿电压钳位至预设值。
12.在本发明的一个或多个实施例中，所述补偿电路包括第八mos管或第一电容，所述第八mos管的源极和漏极相连并与补偿电压相连，所述第八mos管的栅极与第一mos管的栅极相连，所述第一电容的第一端与补偿电压相连，所述第一电容的第二端与第一mos管的栅极相连。
13.在本发明的一个或多个实施例中，所述第八mos管的导电沟道的面积等于第三mos管的导电沟道的面积的1/10～1/2倍。
14.在本发明的一个或多个实施例中，所述追踪补偿单元还包括限流电路，所述限流电路与检测电路和地电压相连或者所述限流电路与检测电路和电源电压相连。
15.在本发明的一个或多个实施例中，所述限流电路包括第六mos管，所述第六mos管的栅极与漏极相连且与检测电路相连，所述第六mos管源极与电源电压或地电压相连。
16.在本发明的一个或多个实施例中，所述基准电流电路还包括第二电容，所述第二电容的第一端与第一mos管的栅极相连，所述第二电容的第二端与电源电压或地电压相连。
17.本发明还公开了一种用于基准电流电路的电荷补偿方法，所述基准电流电路包括：基准电流产生单元和基准电流复制单元，所述基准电流产生单元用于产生基准电流；所述基准电流复制单元包括共栅连接的第一mos管、第二mos管和第三mos管，所述第一mos管、第二mos管和第三mos管构成用于复制基准电流的电流镜，所述第一mos管和第二mos管的漏极与基准电流产生单元相连，所述第三mos管的漏极用于接入功能单元；
18.所述电荷补偿方法包括：
19.在第三mos管的漏极与功能单元之间导通时，通过检测电路基于第三mos管的漏极的电压输出第一补偿电压，通过补偿电路基于第一补偿电压抽取第一mos管的栅极端的电荷；
20.在第三mos管的漏极与功能单元之间断开时，通过检测电路基于第三mos管的漏极的电压输出第二补偿电压，通过钳位电路将第二补偿电压钳位至预设值，通过补偿电路基于预设值往第一mos管的栅极端注入电荷。
21.本发明还公开了一种芯片，包括所述的基准电流电路。
22.与现有技术相比，根据本实施例的基准电流电路、电荷补偿方法及芯片，在第三mos管的漏极与功能单元之间断开时，通过检测电路输出对应的补偿电压，通过在钳位电路将补偿电压钳位至预设值时，采用补偿电路往第一mos管的栅极端注入电荷，在第三mos管的漏极与功能单元之间导通时，通过检测电路输出对应的补偿电压，通过补偿电路抽取第一mos管的栅极端的电荷，从而在由于极低功耗的基准电流电路，其环路带宽较低，在其输出的基准电流ibias发生切换时，很难通过环路来消除或减小电荷注入对基准电流ibias瞬态的影响的情况下，通过对基准电流ibias切换时的注入或抽取电荷进行补偿，以较低的代价(几乎无直流功耗)保证切换的基准电流ibias能够以极快的速度建立、并大大减小对其他基准电流ibias瞬态的影响。
附图说明
23.图1是现有技术一的基准电流电路的电路原理图。
24.图2是现有技术二的基准电流电路的电路原理图。
25.图3是根据本发明一实施例的基准电流电路的第一电路原理图。
26.图4是根据本发明一实施例的基准电流电路的第二电路原理图。
27.图5是根据本发明一实施例的基准电流电路的电荷补偿方法的流程图。
28.图6是根据本发明另一实施例的基准电流电路的第一电路原理图。
29.图7是根据本发明另一实施例的基准电流电路的第二电路原理图。
具体实施方式
30.下面结合附图，对本发明的具体实施例进行详细描述，但应当理解本发明的保护范围并不受具体实施例的限制。
31.除非另有其它明确表示，否则在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分，而并未排除其它元件或其它组成部分。
32.应当理解，在以下的描述中，“电路”可包括单个或多个组合的硬件电路、可编程电路、状态机电路和/或能存储由可编程电路执行的指令的元件。当称元件或电路“连接到”另一元件，或与另一元件“相连”，或称元件/电路“连接在”两个节点之间时，它可以直接耦合或连接到另一元件或者可以存在中间元件，元件之间的连接可以是物理上的、逻辑上的、或者其结合。相反，当称元件“直接耦合到”或“直接连接到”另一元件时，意味着两者不存在中间元件。
33.下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
34.实施例1
35.如图3所示，一种基准电流电路，包括：基准电流产生单元ibias_generate、基准电流复制单元10以及追踪补偿单元20。
36.其中，基准电流产生单元ibias_generate用于产生特定基准电流i1和i2，本实施例对基准电流产生单元ibias_generate的具体结构不做具体限制，任何能够产生特定基准电流i1和i2的电路结构均可。
37.在基准电流产生单元ibias_generate产生基准电流后则需要通过基准电流复制单元10将基准电流复制引出而给功能单元module使用。基准电流复制单元10包括共栅连接的若干第一mos管m1、第二mos管m2和第三mos管，且第一mos管m1的漏极和栅极相连形成连接点vbp。第一mos管m1、第二mos管m2和第三mos管构成用于复制特定基准电流i1和i2的电流镜。第一mos管m1和第二mos管m2的漏极与基准电流产生单元ibias_generate相连，第三mos管的漏极用于接入功能单元module以复制出基准电流iref给功能单元module使用。
38.在本实施例中，第三mos管设置有两个，分别为第三mos管m3_1和第三mos管m3_2，第三mos管m3_1的漏极用于接入第一功能单元module_1，第三mos管m3_2的漏极用于接入第二功能单元module_2。通过第三mos管m3_1和第三mos管m3_2将特定基准电流i1和i2按比例复制成第一基准电流iref_1和第二基准电流iref_2以供给第一功能单元module_1和第二功能单元module_2使用。在其他实施例中，第三mos管的数量可根据需要进行调整，即功能单元越多，第三mos管的数量也越多。
39.任意一个功能单元module与对应的第三mos管的漏极之间相导通或者断开都会对连接点vbp处的电荷以及其他支路的基极电流iref带来影响，所以下面以第三mos管m3_2的漏极与第二功能单元module_2的导通和断开为例对本实施例进行详细说明。如图3所示，在本实施例中，第三mos管m3_2的漏极通过开关s1与第二功能单元module_2相连，从而通过开关s1控制第三mos管m3_2的漏极与第二功能单元module_2之间的导通和断开。
40.如图3所示，追踪补偿单元20与第三mos管m3_2的漏极相连。具体的，追踪补偿单元20包括：检测电路21、钳位电路22和补偿电路23。
41.其中，检测电路21与第三mos管m3_2的漏极相连，检测电路21用于在第三mos管m3_2的漏极与第二功能单元module_2之间断开和导通时输出不同的补偿电压。在第三mos管m3_2的漏极与第二功能单元module_2之间断开时，第三mos管m3_2工作于线性区；在第三mos管m3_2的漏极与第二功能单元module_2之间导通时，第三mos管m3_2工作于饱和区。
42.检测电路21包括第四mos管m4和第五mos管m5。第四mos管m4和第五mos管m5的栅极与第三mos管m3_2的漏极相连。第四mos管m4的源极与电源电压vdd相连，第四mos管m4的漏极与钳位电路22相连形成连接点vs以输出补偿电压。第五mos管m5的漏极与钳位电路22相连，第五mos管m5的源极与地电压相连。在第三mos管m3_2工作于饱和区时(即开关s1闭合)，第三mos管m3_2的漏极的电压由接收第二基准电流iref_2的第二功能单元module_2决定(一般为第二功能单元module_2的电流镜中的mos管的栅源电压或者栅源电压与饱和电压之和)，第四mos管m4导通，第五mos管m5关断。此时，连接点vs输出的补偿电压为电源电压vdd。
43.如图3所示，钳位电路22与检测电路21相连，钳位电路22用于在第三mos管m3_2的
漏极与第二功能单元module_2之间断开时将对应的补偿电压钳位至预设值。
44.具体的，钳位电路22包括第七mos管m7。第七mos管m7的漏极与第五mos管m5漏极相连，第七mos管m7的栅极与第一mos管m1的栅极相连，第七mos管m7的源极与第四mos管m4的漏极相连以形成连接点vs。在第三mos管m3_2工作于线性区时，第三mos管m3_2的漏极的电压等于电源电压vdd，第五mos管m5导通，连接点vs输出的补偿电压从电源电压vdd开始下降，此时通过第七mos管m7对连接点vs输出的补偿电压钳位至预设值，由于第七mos管m7处于亚阈值导通状态，该预设值一般小于vbp+|v
thp
|，|v
thp
|为第七mos管m7的阈值电压。
45.如图4所示，在其他实施例中，也可以在第七mos管m7的栅极施加一控制电压，控制电压为vbp-|v
thp
|，从而在第七mos管m7亚阈值导通时，通过第七mos管m7将连接点vs输出的补偿电压钳位至更接近连接点vbp的电压。
46.如图3所示，补偿电路23与连接点vs和第一mos管m1的栅极相连，补偿电路23用于在钳位电路22将连接点vs输出的补偿电压钳位至预设值时往第一mos管m1的栅极端注入电荷、在第三mos管m3_2的漏极与第二功能单元module_2之间导通时抽取第一mos管m1的栅极端的电荷。
47.具体的，补偿电路23包括第八mos管m8，第八mos管的导电沟道的面积等于第三mos管的导电沟道的面积的1/10～1/2倍。第八mos管m8的源极和漏极相连并与连接点vs相连，第八mos管m8的栅极与第一mos管m1的栅极相连。在其他实施例中，也可以用第一电容代替第八mos管m8，第一电容的第一端与连接点vs相连，第一电容的第二端与第一mos管m1的栅极相连。
48.在未接入追踪补偿单元20时，如图1所示，在第二基准电流iref_2对应支路上的开关s1断开时，第三mos管m3_2工作于线性区，会对连接点vbp处抽取电荷，而影响连接点vbp处的电压，进而影响到第一基准电流iref_1。第三mos管m3_2的栅源电容、栅漏电容分别为c
gs
、c
gd
，第三mos管m3_2工作于线性区，所以栅源电容c
gs
、栅漏电容c
gd
对应的分别为：
49.其中，w为第一mos管m1和第二mos管m2的导电沟道的宽度，l为第一mos管m1和第二mos管m2的导电沟道的长度，c
ox
为第三mos管m3_2的单位面积的栅氧化层电容值，c
ov
为第三mos管m3_2的单位交叠电容的容值。
50.所以第三mos管m3_2的栅极总电容在开关s1断开时的电荷为(忽略c
gb
)：
51.q1＝(c
gs
+c
gd
)*(vbp-vdd)＝(wlc
ox
+2wc
ov
)*(vbp-vdd)，vbp为连接点vbp的电压。
52.在开关s1闭合时，第三mos管m3_2工作于饱和区时，会对连接点vbp处有电荷注入，而影响连接点vbp处的电压，进而影响到第一基准电流iref_1。mos管mp2进入饱和区，所以栅源电容c
gs
、栅漏电容c
gd
分别为：
53.c
gd
＝wc
ov
。
54.所以，此时的第三mos管m3_2的栅极总电容的电荷为：
[0055]vd,mp2
为第三mos管m3_2的漏极电压。
[0056]
开关s1闭合时，第三mos管m3_2由线性区进入饱和区，其栅极总电容的电荷变化量为：
[0057][0058]
由于第一mos管m1和第二mos管m2均为电流镜管，其l的取值一般都比较大，且满足wlc
ox
＞＞wcov，故这是一个仅与vdd-vbp和第三mos管m3_2的导电沟道的w、l及其单位面积栅氧化层电容有关的电荷量，故而可以考虑在开关s1闭合时从连接点vbp抽取的电荷量来抵消这一电荷量对连接点vbp注入的影响。
[0059]
在接入追踪补偿单元20后，如图3所示，在开关s1断开时，第五mos管m5导通，连接点vs输出的补偿电压下降至第七mos管m7所钳位的预设值(由于第七mos管m7处于亚阈值导电状态，预设值的实际值小于vbp+|v
thp
|)，从而通过第八mos管m8往连接点vbp注入电荷以抵消第三mos管m3_2对连接点vbp处抽取的电荷，保证连接点vbp的电压保持不变。
[0060]
当开关s1闭合时，第四mos管m4导通，连接点vs输出的补偿电压上升至电源电压vdd，从而通过第八mos管m8抽取连接点vbp处的电荷以抵消第三mos管m3_2对连接点vbp处注入的电荷，保证连接点vbp的电压保持不变。
[0061]
从连接点vbp处抽取电荷量为：
[0062]
qc＝w
m8
l
m8cox
*(vdd-vbp-|v
thp
|)，其中，w
m8
为第八mos管m8的导电沟道的宽度，l
m8
为第八mos管m8的导电沟道的长度，|v
thp
|为第七mos管m7的阈值电压，vbp为连接点vbp处的电压，c
ox
为第三mos管m3_2的单位面积的栅氧化层电容值。
[0063]
令qc＝δq，可得：
[0064]
|v
dsat,3_2
|为第三mos管m3_2的漏源饱和电流，该表达式与电源电压vdd无关，因而补偿效果不会随电源电压vdd的变化而产生明显变化。
[0065]
由上式可知，将第八mos管m8的导电沟道的面积设计成等于第三mos管m3_2的导电沟道的面积的1/3倍，即第八mos管m8的导电沟道的宽度w
m8
与第八mos管m8的导电沟道的长度l
m8
的乘积值等于或者非常接近第三mos管m3_2导电沟道的宽度w
3_2
与第八mos管m8的导电沟道的长度l
3_2
的乘积值的1/3，同时由于第七mos管m7工作于亚阈值状态，在开关s1断开时，连接点vs输出的补偿电压更接近连接点vbp处的电压(相对vbp+|v
thp
|)，所以追踪补偿单元20具有更好的补偿效果。
[0066]
如图4所示，本实施例中的追踪补偿单元20还包括限流电路24，限流电路24与检测电路21和地电压相连，在其他实施例中，也可以去掉限流电路24。
[0067]
具体的，限流电路24包括第六mos管m6，第六mos管m6的栅极与漏极相连且与第五mos管m5的源极相连，第六mos管m6的源极与地电压相连。通过设置第五mos管m5，使得在开关s1闭合时，第三mos管m3_2的漏极输出的电压为第二功能单元module_2的电流镜中的mos管的栅源电压或者栅源电压与饱和电压之和时，能够确保第五mos管m5的源极与地电压之间能够断开。
[0068]
如图3所示，基准电流电路还包括第二电容cx，第二电容cx的第一端与第一mos管m1的栅极相连，第二电容cx的第二端与电源电压vdd相连。通过设置第二电容cx，使得连接点vbp的电压进一步不受其他点位上的电压的影响。
[0069]
在本实施例中，第一mos管m1、第二mos管m2、第三mos管m3_1、第三mos管m3_2、第四mos管m4、第七mos管m7和第八mos管m8均为pmos管，第五mos管m5和第六mos管m6均为nmos管。
[0070]
如图5所示，基于上述的基准电流电路，本发明还公开了一种用于基准电流电路的电荷补偿方法，包括：
[0071]
在第三mos管m3_2的漏极与第二功能单元module_2之间导通时，通过检测电路21基于第三mos管m3_2的漏极的电压输出第一补偿电压，通过补偿电路基于第一补偿电压抽取第一mos管m1的栅极端的电荷。第一补偿电压等于电源电压vdd。
[0072]
在第三mos管m3_2的漏极与第二功能单元module_2之间断开时，通过检测电路基于第三mos管m3_2的漏极的电压输出第二补偿电压，通过钳位电路22将第二补偿电压钳位至预设值，通过补偿电路23基于预设值往第一mos管m1的栅极端注入电荷。第二补偿电压等于第七mos管m7的阈值电压或者第一mos管m1的栅极端的电压与第七mos管m7的阈值电压之和，第七mos管m7工作于亚阈值状态。
[0073]
本发明还公开了一种芯片，包括上述的基准电流电路。
[0074]
实施例2
[0075]
本实施例和实施例1中的补偿原理相似，如图6和图7所示，本实施例和实施例1的区别在于，第一mos管m1、第二mos管m2、第三mos管m3_1、第三mos管m3_2、第四mos管m4、第七mos管m7和第八mos管m8均为nmos管，第五mos管m5和第六mos管m6均为pmos管，对应的连接方式也相应的进行变动。
[0076]
前述对本发明的具体示例性实施方案的描述是为了说明和例证的目的。这些描述并非想将本发明限定为所公开的精确形式，并且很显然，根据上述教导，可以进行很多改变和变化。对示例性实施例进行选择和描述的目的在于解释本发明的特定原理及其实际应用，从而使得本领域的技术人员能够实现并利用本发明的各种不同的示例性实施方案以及各种不同的选择和改变。本发明的范围意在由权利要求书及其等同形式所限定。

技术特征：

1.一种基准电流电路，其特征在于，包括：基准电流产生单元，用于产生基准电流；基准电流复制单元，所述基准电流复制单元包括共栅连接的第一mos管、第二mos管和第三mos管，所述第一mos管、第二mos管和第三mos管构成用于复制基准电流的电流镜，所述第一mos管和第二mos管的漏极与基准电流产生单元相连，所述第三mos管的漏极用于接入功能单元；以及追踪补偿单元，所述追踪补偿单元包括：检测电路，与第三mos管的漏极相连，所述检测电路用于在第三mos管的漏极与功能单元之间断开和导通时输出不同的补偿电压；钳位电路，与检测电路相连，所述钳位电路用于在第三mos管的漏极与功能单元之间断开时将对应的补偿电压钳位至预设值；补偿电路，与检测电路、钳位电路和第一mos管的栅极相连，所述补偿电路用于在钳位电路将补偿电压钳位至预设值时往第一mos管的栅极端注入电荷、在第三mos管的漏极与功能单元之间导通时抽取第一mos管的栅极端的电荷。2.如权利要求1所述的基准电流电路，其特征在于，所述检测电路包括第四mos管和第五mos管，所述第四mos管和第五mos管的栅极与第三mos管的漏极相连，所述第四mos管的漏极与钳位电路相连以输出补偿电压，所述第五mos管的漏极与钳位电路相连，所述第四mos管和第五mos管的源极分别与电源电压和地电压相连。3.如权利要求1所述的基准电流电路，其特征在于，所述钳位电路包括第七mos管，所述第七mos管的漏极与检测电路相连，所述第七mos管的栅极与第一mos管的栅极或控制电压相连，所述第七mos管的源极与检测电路相连以在第三mos管的漏极与功能单元之间断开时将对应的补偿电压钳位至预设值。4.如权利要求1所述的基准电流电路，其特征在于，所述补偿电路包括第八mos管或第一电容，所述第八mos管的源极和漏极相连并与补偿电压相连，所述第八mos管的栅极与第一mos管的栅极相连，所述第一电容的第一端与补偿电压相连，所述第一电容的第二端与第一mos管的栅极相连。5.如权利要求4所述的基准电流电路，其特征在于，所述第八mos管的导电沟道的面积等于第三mos管的导电沟道的面积的1/10～1/2倍。6.如权利要求1所述的基准电流电路，其特征在于，所述追踪补偿单元还包括限流电路，所述限流电路与检测电路和地电压相连或者所述限流电路与检测电路和电源电压相连。7.如权利要求6所述的基准电流电路，其特征在于，所述限流电路包括第六mos管，所述第六mos管的栅极与漏极相连且与检测电路相连，所述第六mos管源极与电源电压或地电压相连。8.如权利要求1所述的基准电流电路，其特征在于，所述基准电流电路还包括第二电容，所述第二电容的第一端与第一mos管的栅极相连，所述第二电容的第二端与电源电压或地电压相连。9.一种用于基准电流电路的电荷补偿方法，其特征在于，所述基准电流电路包括：基准电流产生单元和基准电流复制单元，所述基准电流产生单元用于产生基准电流；所述基准
电流复制单元包括共栅连接的第一mos管、第二mos管和第三mos管，所述第一mos管、第二mos管和第三mos管构成用于复制基准电流的电流镜，所述第一mos管和第二mos管的漏极与基准电流产生单元相连，所述第三mos管的漏极用于接入功能单元；所述电荷补偿方法包括：在第三mos管的漏极与功能单元之间导通时，通过检测电路基于第三mos管的漏极的电压输出第一补偿电压，通过补偿电路基于第一补偿电压抽取第一mos管的栅极端的电荷；在第三mos管的漏极与功能单元之间断开时，通过检测电路基于第三mos管的漏极的电压输出第二补偿电压，通过钳位电路将第二补偿电压钳位至预设值，通过补偿电路基于预设值往第一mos管的栅极端注入电荷。10.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1～8任一项所述的基准电流电路。

技术总结

本发明公开了一种基准电流电路、电荷补偿方法及芯片，基准电流电路包括：基准电流产生单元、基准电流复制单元和追踪补偿单元。基准电流复制单元包括共栅连接的第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，第一MOS管和第二MOS管的漏极与基准电流产生单元相连，第三MOS管的漏极用于接入功能单元；检测电路与第三MOS管的漏极相连；钳位电路与检测电路相连；补偿电路与检测电路、钳位电路和第一MOS管的栅极相连。本发明的基准电流电路，通过对基准电流IBIAS切换时的注入或抽取电荷进行补偿，以较低的代价(几乎无直流功耗)保证切换的基准电流IBIAS能够以极快的速度建立、并大大减小对其他基准电流IBIAS瞬态的影响。流IBIAS瞬态的影响。流IBIAS瞬态的影响。