一种刻蚀槽装置及湿法刻蚀设备的制作方法

1.本实用新型涉及半导体刻蚀设备技术领域，尤其涉及一种刻蚀槽装置和湿法刻蚀设备。

背景技术：

2.湿法刻蚀工艺主要是指采用合适的液态化学药品对刻蚀物进行去除的刻蚀技术，具体为通过刻蚀液与刻蚀物进行化学反应，改变刻蚀物的结构，使无掩膜覆盖的刻蚀物部分脱离基板表面，而把有掩膜覆盖的刻蚀物区域保存下来，这样在基板上得到了所需要的刻蚀物图形。
3.现有量子mems声波传感器采用槽式湿法刻蚀设备进行湿法刻蚀工艺，槽式刻蚀台一般在刻蚀槽内安装加热器进行加热，以维持刻蚀温度恒定。然而刻蚀槽内安装加热器会带来器件腐蚀和漏电等问题，同时容易导致槽内温度不均匀，影响晶圆整体刻蚀均匀性，从而产品良率下降。
4.因此，如何能够提升槽内刻蚀液温度均匀性成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现要素：

5.本实用新型提供了一种刻蚀槽装置和湿法刻蚀设备，解决相关技术中存在的刻蚀液温度不均匀的问题。
6.作为本实用新型的第一个方面，提供一种刻蚀槽装置，其中，包括：
7.加热槽，用于容纳加热液体；
8.刻蚀槽，位于所述加热槽内，用于容纳刻蚀液；
9.第一加热装置，设置在所述加热槽内，用于加热所述加热液体，以使得加热后的所述加热液体对所述刻蚀液进行加热。
10.进一步地，还包括：加液机构，所述加液机构与所述刻蚀槽连通，能够向所述刻蚀槽内输送刻蚀液。
11.进一步地，所述加液机构通过传输管道与所述刻蚀槽连通，所述传输管道的一端连接储液罐，另一端连接所述刻蚀槽。
12.进一步地，所述加液机构包括泵体和第二加热装置，所述泵体和第二加热装置均设置在与所述传输管道上，所述泵体能够将所述储液罐中的刻蚀液通过所述传输管道输送至所述刻蚀槽，所述第二加热装置能够将所述传输管道中的刻蚀液进行加热。
13.进一步地，所述第一加热装置和第二加热装置均包括空心金属棒。
14.进一步地，还包括第一温度传感器、第二温度传感器和控制器，所述第一温度传感器设置在所述加热槽内，所述第二温度传感器设置在所述刻蚀槽内，
15.所述第一温度传感器用于监测所述加热槽内的加热液体的温度，
16.所述第二温度传感器用于监测所述刻蚀槽内的刻蚀液的温度，
17.所述控制器用于控制所述第一加热装置将所述加热液体的温度加热到第一预设温度，所述加热液体在第一预设温度时能够将所述刻蚀液加热到第二预设温度，其中所述第二预设温度小于第一预设温度。
18.进一步地，所述控制器包括plc。
19.进一步地，所述加热液体包括水。
20.进一步地，所述刻蚀槽上设置槽盖。
21.作为本实用新型的另一个方面，提供一种湿法刻蚀设备，其中，包括前文所述的刻蚀槽装置。
22.本实用新型提供的刻蚀槽装置，将刻蚀槽设置在加热槽内，通过第一加热装置对加热槽内的加热液体进行加热，然后通过加热后的加热液体对刻蚀槽内的刻蚀液进行加热，这种对刻蚀液的加热方式能够有效提升刻蚀液的受热均匀性，且能够保持刻蚀槽内的刻蚀液的温度恒定，进而能够提升晶圆片刻蚀的均匀性。
附图说明
23.附图是用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本实用新型，但并不构成对本实用新型的限制。
24.图1为本实用新型提供的刻蚀槽装置的结构示意图。
25.图2为本实用新型提供的带有加液机构的刻蚀槽装置的结构示意图。
具体实施方式
26.需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互结合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。
27.为了使本领域技术人员更好地理解本实用新型方案，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本实用新型保护的范围。
28.需要说明的是，本实用新型的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本实用新型的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包括，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
29.在本实施例中提供了一种刻蚀槽装置，图1是根据本实用新型实施例提供的刻蚀槽装置的结构示意图，如图1所示，包括：
30.加热槽100，用于容纳加热液体；
31.刻蚀槽200，位于所述加热槽100内，用于容纳刻蚀液；
32.第一加热装置300，设置在所述加热槽100内，用于加热所述加热液体，以使得加热后的所述加热液体对所述刻蚀液进行加热。
33.在本实用新型实施例中，将刻蚀槽设置在加热槽内，通过第一加热装置对加热槽内的加热液体进行加热，然后通过加热后的加热液体对刻蚀槽内的刻蚀液进行加热，这种对刻蚀液的加热方式能够有效提升刻蚀液的受热均匀性，且能够保持刻蚀槽内的刻蚀液的温度恒定，进而能够提升晶圆片刻蚀的均匀性。
34.为了弥补刻蚀液温度升高后的蒸发，所述刻蚀槽装置还设置加液机构，所述加液机构与所述刻蚀槽连通，能够向所述刻蚀槽内输送刻蚀液。
35.具体地，如图2所示，加液机构通过传输管道400与所述刻蚀槽200连通，所述传输管道400的一端连接储液罐500，另一端连接所述刻蚀槽200。
36.在本实用新型实施例中，所述加液机构包括泵体600和第二加热装置700，所述泵体600和第二加热装置700均设置在与所述传输管道400上，所述泵体600能够将所述储液罐500中的刻蚀液通过所述传输管道400输送至所述刻蚀槽200，所述第二加热装置700能够将所述传输管道400中的刻蚀液进行加热。
37.应当理解的是，通过第二加热装置700对传输管道400中的刻蚀液进行加热，能够防止未加热的刻蚀液进行到刻蚀槽内后导致刻蚀槽内的温度发生变化，因此，通过第二加热装置对传输管道400内的刻蚀液进行加热能够有效提升刻蚀槽内加液后的蚀液温度的均匀性。
38.还应当理解的是，为了进一步提升刻蚀液的受热均匀性，所述加热槽100内设置多个第一加热装置300。
39.在本实用新型实施例中，所述第一加热装置300和第二加热装置700均包括空心金属棒。
40.具体地，为了保证刻蚀液温度加热的准确性，所述刻蚀槽装置还包括第一温度传感器、第二温度传感器和控制器，所述第一温度传感器设置在所述加热槽内，所述第二温度传感器设置在所述刻蚀槽内，
41.所述第一温度传感器用于监测所述加热槽内的加热液体的温度，
42.所述第二温度传感器用于监测所述刻蚀槽内的刻蚀液的温度，
43.所述控制器用于控制所述第一加热装置将所述加热液体的温度加热到第一预设温度，所述加热液体在第一预设温度时能够将所述刻蚀液加热到第二预设温度，其中所述第二预设温度小于第一预设温度。
44.应当理解的是，通过第一温度传感器可以监测第一加热装置对加热液体是否加热到第一预设温度，以及通过第二温度传感器可以监测加热液体对刻蚀液是否加热到第二预设温度。
45.在本实用新型实施例中，所述控制器包括plc。
46.需要说明的是，所述加热液体包括水。
47.通过在加热槽中设置水，并通过第一加热装置对水进行加热，进而实现对刻蚀液的均匀加热。
48.为了减少温度流失以及刻蚀液的蒸发，所述刻蚀槽上设置槽盖。在刻蚀时将槽盖盖上，减少温度流失及溶液蒸发。
49.当刻蚀槽200内溶液不足时，通过抽水泵将储液罐500的刻蚀液抽出，进入第二加热装置700，经第二加热装置700加热后，将加热后的刻蚀液送入刻蚀槽200。
50.应当理解的是，本实用新型提供的刻蚀液装置，加热方式采用先加热水槽，水槽加热药液槽，此方式下，水加热快且降温缓慢，温度分布均匀，可维持刻蚀槽温度恒定；刻蚀液添加采取，先加热刻蚀液，使刻蚀液温度达到刻蚀槽温度后再通过泵抽取，填充进刻蚀槽，有效保证了刻蚀槽内刻蚀液温度及液位基于稳定，从而提高晶圆片内均匀性。
51.作为本实用新型的另一实施例，提供一种湿法刻蚀设备，其中，包括前文所述的刻蚀槽装置。
52.应当理解的是，本实用新型实施例中的湿法刻蚀设备通过采用前文的刻蚀液装置，能够有效保证晶圆片刻蚀的均匀性，当用于量子mems声波传感器的刻蚀时，有效提升产品的良率。
53.可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。

技术特征：

1.一种刻蚀槽装置，其特征在于，包括：加热槽，用于容纳加热液体；刻蚀槽，位于所述加热槽内，用于容纳刻蚀液；第一加热装置，设置在所述加热槽内，用于加热所述加热液体，以使得加热后的所述加热液体对所述刻蚀液进行加热。2.根据权利要求1所述的刻蚀槽装置，其特征在于，还包括：加液机构，所述加液机构与所述刻蚀槽连通，能够向所述刻蚀槽内输送刻蚀液。3.根据权利要求2所述的刻蚀槽装置，其特征在于，所述加液机构通过传输管道与所述刻蚀槽连通，所述传输管道的一端连接储液罐，另一端连接所述刻蚀槽。4.根据权利要求3所述的刻蚀槽装置，其特征在于，所述加液机构包括泵体和第二加热装置，所述泵体和第二加热装置均设置在与所述传输管道上，所述泵体能够将所述储液罐中的刻蚀液通过所述传输管道输送至所述刻蚀槽，所述第二加热装置能够将所述传输管道中的刻蚀液进行加热。5.根据权利要求4所述的刻蚀槽装置，其特征在于，所述第一加热装置和第二加热装置均包括空心金属棒。6.根据权利要求1所述的刻蚀槽装置，其特征在于，还包括第一温度传感器、第二温度传感器和控制器，所述第一温度传感器设置在所述加热槽内，所述第二温度传感器设置在所述刻蚀槽内，所述第一温度传感器用于监测所述加热槽内的加热液体的温度，所述第二温度传感器用于监测所述刻蚀槽内的刻蚀液的温度，所述控制器用于控制所述第一加热装置将所述加热液体的温度加热到第一预设温度，所述加热液体在第一预设温度时能够将所述刻蚀液加热到第二预设温度，其中所述第二预设温度小于第一预设温度。7.根据权利要求6所述的刻蚀槽装置，其特征在于，所述控制器包括plc。8.根据权利要求1所述的刻蚀槽装置，其特征在于，所述加热液体包括水。9.根据权利要求1所述的刻蚀槽装置，其特征在于，所述刻蚀槽上设置槽盖。10.一种湿法刻蚀设备，其特征在于，包括权利要求1至9中任意一项所述的刻蚀槽装置。

技术总结

本实用新型涉及半导体刻蚀设备技术领域，具体公开了一种刻蚀槽装置和湿法刻蚀设备，包括加热槽，用于容纳加热液体；刻蚀槽，位于所述加热槽内，用于容纳刻蚀液；第一加热装置，设置在所述加热槽内，用于加热所述加热液体，以使得加热后的所述加热液体对所述刻蚀液进行加热。本实用新型提供的刻蚀槽装置能够提升刻蚀液温度的均匀性，进而提高晶圆刻蚀的均匀性。进而提高晶圆刻蚀的均匀性。进而提高晶圆刻蚀的均匀性。