存储芯片的温升时间测量方法、存储芯片测试方法及设备与流程

1.本技术涉及芯片技术领域，特别是涉及存储芯片的温升时间测量方法、存储芯片测试方法及设备。

背景技术：

2.随着半导体制造技术的发展，芯片制造逐渐占据重要地位，在芯片制作完成之后，投入使用之前，需要对芯片进行量产测试，确定生成的芯片成品中是否存在不良品。通常来说，芯片的工作有一定的温度限制，故芯片的量产测试则将在芯片工作的上限温度下，对芯片的工作进行测试，因此，量产测试之前需要对芯片进行加热，加热一段时间后，需要判断芯片内部温度是否达到该上限温度，在达到该上限温度后再进行量产测试。
3.本技术的申请人在长期的研发过程中，发现现有技术难以对存储芯片内部温度是否达到上述上限温度进行准确的判断，导致量产测试的过程中难以确定加热时间，为保证存储芯片内部温度达到上限温度，加热时间过长，量产测试的效率低，成本高。

技术实现要素：

4.本技术主要解决的技术问题是提供一种存储芯片的温升时间测量方法、存储芯片测试方法及设备，能够准确测定存储芯片内部温度达到预设温度的时间，以便于在量产测试中确定加热时间，提高存储芯片测试效率。
5.为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是：提供一种存储芯片的温升时间测量方法，该方法包括：在对目标存储芯片升温过程中，读取目标存储芯片的寄存器的值；若检测到寄存器的值满足预设条件，则确定目标存储芯片的温度达到预设温度；获取目标存储芯片的温度达到预设温度的温升时间。
6.其中，预设条件为寄存器的值为预设值。
7.其中，在在对目标存储芯片升温过程中，读取目标存储芯片的寄存器的值之前，该方法还包括：控制加热装置对目标存储芯片进行加热，以对目标存储芯片进行升温。
8.其中，控制加热装置对目标存储芯片进行加热，包括：控制加热装置接触目标存储芯片的上表面。
9.其中，获取目标存储芯片的温度达到预设温度的温升时间，包括：将目标存储芯片开始加热至目标存储芯片的温度达到预设温度之间的时间间隔，作为温升时间。
10.其中，该方法还包括：将若干目标存储芯片的温升时间中的最大时间，作为预设加热时间，其中，预设加热时间用于确定与目标存储芯片同类型的待测存储芯片在测试前的加热时间。
11.其中，目标存储芯片为基于非易失性存储器的多芯片封装结构。
12.其中，非易失性存储器包括与非门闪存。
13.为解决上述技术问题，本技术采用的另一个技术方案是：提供一种存储芯片测试方法，该方法包括：对若干待测存储芯片进行加热；在若干待测存储芯片至少加热至预设状
态后，对若干待测存储芯片进行测试；其中，预设状态为加热至预设加热时间，预设加热时间是基于上述任一存储芯片的温升时间测量方法得到的温升时间确定的；或者，预设状态为若干待测存储芯片的寄存器的值为预设值。
14.为解决上述技术问题，本技术采用的另一个技术方案是：提供一种芯片测试设备，该存储芯片测试设备包括处理器和存储器，存储器用于存储程序数据，处理器用于执行程序数据以实现上述任一存储芯片的温升时间测量方法，和/或前述存储芯片测试方法。
15.其中，存储芯片测试设备还包括以下至少一者：加热装置，用于对存储芯片进行加热；测试装置，用于对达到预设温度的存储芯片进行测试。
16.为解决上述技术问题，本技术采用的另一个技术方案是：提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质用于存储程序数据，程序数据能够被执行，用以实现上述任一存储芯片的温升时间测量方法，和/或前述存储芯片测试方法。
17.上述方案中，利用存储芯片寄存器的数值会随芯片内部温度变化而改变的特性，获取加热过程中的寄存器的值并判断该值是否满足预设条件，即能够确定存储芯片的温度，通过上述方式，能够准确确定存储芯片内部温度是否达到预设温度，何时达到预设温度，以此可以确定该存储芯片的准确温升时间，进而后续可以将该温升时间作为存储芯片测试过程中加热时间长度的依据，从而能够提高存储芯片测试过程中的加热效率，进而提高存储芯片测试的效率，降低存储芯片测试的成本。
附图说明
18.图1是本技术存储芯片的温升时间测量方法一实施例的流程示意图；
19.图2为本技术一实施例中目标存储芯片寄存器的相关数据；
20.图3是本技术存储芯片的温升时间测量方法另一实施例的流程示意图；
21.图4是本技术测试设备加热装置一实施例局部图；
22.图5是本技术存储芯片测试方法一实施例的流程示意图；
23.图6是本技术存储芯片测试设备一实施例的框架示意图；
24.图7是本技术计算机可读存储介质一实施例的框架示意图。
具体实施方式
25.为使本技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本技术进一步详细说明。
26.可以理解的是，存储芯片在生产完成后，需要进行量产测试，量产测试的目的是检测出存储芯片中的不良体。量产测试的具体内容包括，在存储芯片处于工作的上限温度时，对存储芯片是否正常工作进行检测，从而判断存储芯片能否在上限温度下正常工作。检测得到不能够在上限温度下正常工作的存储芯片即为不良品，排除不良品后的剩余存储芯片则可以投入使用。
27.因此在进行上述测试时，首先需要对存储芯片加热一段时间，使存储芯片温度上升，在存储芯片的温度达到工作的上限温度后，再测试存储芯片是否正常工作。由于量产测试的存储芯片数量较多，对存储芯片的加热效率很大程度上会影响量产测试的效率和成本，而如何准确确定存储芯片的温度达到工作的上限温度是影响存储芯片的加热效率的重
要因素。
28.本技术中的存储芯片可以是基于非易失性存储器的多芯片封装结构，例如nand(与非门闪存)，具体可以为nmcp(nand-based mcp，与非门闪存与同步动态随机存储器结合的多芯片封装结构)芯片。
29.本技术中提供了一种存储芯片的温升时间测量方法，该方法可以由存储芯片测试设备执行，存储芯片测试设备也可以简称为测试设备，其中温升时间为存储芯片温度达到工作的上限温度所消耗的时间。可以理解的是，本技术中还提供了一种存储芯片测试方法，其中测试即为量产测试，该方法也可以由存储芯片测试设备执行。
30.请参阅图1，图1是本技术存储芯片的温升时间测量方法一实施例的流程示意图，该方法包括：
31.步骤s110：在对目标存储芯片升温过程中，读取目标存储芯片的寄存器的值。
32.可以理解的是，本技术中的目标存储芯片可以但不限于包括dram(dynamic random access memory，动态随机存取存储器)，dram使用电容存储，间隔一段时间需要刷新一次，以防止数据丢失。dram的刷新频率称为自刷新率，其自刷新率会随温度而改变，当存储芯片温度到达存储芯片工作的上限温度时，dram的自刷新率会加快，以避免出现漏电流增大导致数据出错的问题。本技术中的目标存储芯片还包括寄存器，上述dram自刷新率的变化可以体现为寄存器的值的变化，因此可以通过读取寄存器的值判断目标存储芯片的温度是否到达上限温度。
33.可以理解的是，存储芯片工作的上限温度以及相关的温度对应的寄存器的值可以依据该存储芯片的数据手册(也可以称为规格书)确定，不同的存储芯片工作的上限温度可以是不同的。该上限温度的含义为当存储芯片的工作温度超过该上限温度后，存储芯片的正常工作会受到较大影响，当然这并不意味着一旦存储芯片的工作温度超过该上限温度，存储芯片就一定不会正常工作或立即损坏等。
34.测试设备内可以预存测量程序，通过运行测量程序，可以读取升温中的目标存储芯片的寄存器的值，对该寄存器的值进行判断以及确定温升时间。可以理解的是，上述读取寄存器的值的含义为，在升温过程中多次读取寄存器的实时值，例如，可以是以一定的时间间隔读取寄存器的实时值，从而能够确定寄存器的值的实时变化，以用于判断存储芯片的温度是否达到预设温度。
35.步骤s120：若检测到寄存器的值满足预设条件，则确定目标存储芯片的温度达到预设温度。
36.其中，预设条件为存储芯片温度达到预设温度时，寄存器的值对应的条件。在一些实施例中，预设温度可以为该目标存储芯片工作的上限温度，该预设条件具体可以为寄存器的值为预设值，该预设值可以为目标存储芯片的寄存器在上限温度时的具体值。
37.可以理解的是，存储芯片内部和外部之间可能会存在一定温差，本技术中涉及的温度为存储芯片的内部温度，在存储芯片的内部温度达到预设温度后，则满足量产测试中对存储芯片的工作温度的要求。
38.具体地，在对目标存储芯片升温过程中，测试设备可以多次读取目标存储芯片的寄存器的实时值，并判断该实时值是否满足预设条件，具体可以为，将该实时值与预设值进行比对，判断其是否与预设值一致，若一致，则确定该实时值满足预设条件，从而确定目标
存储芯片的温度此时已经达到了预设温度。
39.请结合参阅图2，图2为本技术一实施例中目标存储芯片寄存器的相关数据。
40.在一具体应用场景中，目标存储芯片为nmcp芯片，该存储芯片包括有sdram(synchronous dynamic random access memory，同步动态随机存储器)，sdram的自刷新率会随温度变化而变化，并且会体现于寄存器的值的变化，该存储芯片的工作上限温度为85℃。如图2中所示，图2中展示了sdram自刷新率对应的寄存器的值以及温度，图2中上表表示下表中寄存器的值从左至右对应op2、op1、op0，图2中下表展示了寄存器可能的值。通过最左侧位op2的值的变化能够体现温度的变化，在该存储芯片温度小于或等于85℃时，op2为0，在该存储芯片温度大于85℃时，op2为1。图2中下表的前四行展示了温度小于或等于85℃时，寄存器可能的值以及该值对应的属性，后四行展示了温度大于85℃时，寄存器可能的值以及该值对应的属性，其中，属性可以包括芯片状态或者芯片相关参数等。具体例如，该存储芯片的寄存器的值可以对应为011b，当芯片温度大于85℃时，该存储芯片的寄存器的值可以对应为111b。因此，预设温度为85℃，预设条件为寄存器op2值为1。在对该nmcp芯片的升温过程中，测试设备读取该存储芯片的寄存器的值，将上述值中op2的值与1进行比对，判断寄存器op2值等于1，则可以确认该存储芯片的温度达到了85℃。
41.步骤s130：获取目标存储芯片的温度达到预设温度的温升时间。
42.其中，温升时间为目标存储芯片从开始升温到温度达到预设温度所消耗的时间。可以理解的是，在存储芯片升温过程之前，存储芯片具有一初始温度，温升时间即为存储芯片温度从初始温度升高至预设温度所消耗的时间，即便对于同一存储芯片来说，不同测量条件下的初始温度可能不同，从而也会导致温升时间存在差异。
43.上述方案中，利用存储芯片寄存器的数值会随芯片内部温度变化而改变的特性，获取加热过程中的寄存器的值并判断该值是否满足预设条件，即能够确定存储芯片的温度，通过上述方式，能够准确确定存储芯片内部温度是否达到预设温度，何时达到预设温度，以此可以确定该存储芯片的准确温升时间，进而后续可以将该温升时间作为存储芯片测试过程中加热时间长度的依据，从而能够提高存储芯片测试过程中的加热效率，进而提高存储芯片测试的效率，降低存储芯片测试的成本。
44.请结合参阅图3和图4，图3是本技术存储芯片的温升时间测量方法另一实施例的流程示意图，图4是本技术测试设备加热装置一实施例局部图，该方法包括：
45.步骤s310：控制加热装置对目标存储芯片进行加热，以对目标存储芯片进行升温。
46.测试设备还可以包括加热装置，用于对存储芯片进行加热。具体地，测试设备控制加热装置接触目标存储芯片的上表面以对目标存储芯片进行加热。
47.请结合参阅图4，图4中展示了本技术测试设备加热装置一实施例的局部图，可以理解的是，为了便于展示以及理解，图4中仅展示了加热装置的一部分，且图4中的部件在测试设备中的安装方向与图4中展示的方向在竖直方向上相反，即加热棒槽42位于上方，凹槽41位于下方，凹槽41开口朝下。
48.具体地，加热装置包括加热区40，加热区40包括凹槽41和加热棒槽42，凹槽41用于设置加热块，加热棒槽42用于设置加热棒。测试设备中还可以包括芯片放置区，用于放置芯片，图4中的加热装置部件位于芯片放置区上方。
49.测试设备对目标存储芯片的加热过程包括：测试设备控制加热棒开始加热，控制
加热区40向下使得加热块接触到目标存储芯片的上表面，从而对目标存储芯片进行加热。
50.可以理解的是，在一些实施例中，测试设备可以不包括加热装置，不执行步骤s310，对目标存储芯片的加热过程可以由其他加热设备进行。
51.步骤s320：在对目标存储芯片升温过程中，读取目标存储芯片的寄存器的值。
52.步骤s330：若检测到寄存器的值满足预设条件，则确定目标存储芯片的温度达到预设温度。
53.步骤s320和步骤s330的具体描述可以参考前述关于步骤s110和步骤s120的相关内容，在此不做赘述。
54.步骤s340：将目标存储芯片开始加热至目标存储芯片的温度达到预设温度之间的时间间隔，作为温升时间。
55.可以理解的是，步骤s130可以通过步骤s340来实现。
56.在一些实施例中，确定目标存储芯片开始加热至目标存储芯片的温度达到预设温度之间的时间间隔的过程可以为，测试设备在开始对目标存储芯片进行加热时开始计时，在判断目标存储芯片达到预设温度时停止计时，将该计时结果作为温升时间。
57.在一些实施例中，确定目标存储芯片开始加热至目标存储芯片的温度达到预设温度之间的时间间隔的过程还可以为，测试设备获取开始对目标存储芯片进行加热时的时间作为开始时间，以及判断目标存储芯片达到预设温度时的时间作为结束时间，将结束时间减去开始时间从而得到温升时间。
58.步骤s350：将若干目标存储芯片的温升时间中的最大时间，作为预设加热时间，其中，预设加热时间用于确定与目标存储芯片同类型的待测存储芯片在测试前的加热时间。
59.其中，此处测试即为量产测试。可以理解的是，存储芯片的量产测试也可以由测试设备执行，量产测试中，需要首先对存储芯片进行加热，直到存储芯片的温度达到预设温度后，再对存储芯片在预设温度下的工作情况进行判断。这个过程中，可以采用前述的存储芯片的温升时间测量方法中的方式对一待测存储芯片的温度进行判断，在判断该待测存储芯片的温度达到预设温度后，执行后续测试步骤。
60.但是，由于需要进行量产测试的存储芯片数量较多，采用对每个待测试的存储芯片的温度进行逐一判断的方式，工作效率较低，因此在一些实施例中，可以依据与待测存储芯片同类型的存储芯片的预设加热时间，来确定量产测试中对待测存储芯片的加热时间，量产测试中对待测存储芯片的加热时间大于或者等于预设加热时间。
61.具体地，测试设备测试若干目标存储芯片的温升时间，选择该若干温升时间中的最大时间作为预设加热时间，从而确定量产测试中的加热时间大于或者等于预设加热时间，由于同类型的存储芯片的生产工艺、封装材料等均是一致的，从而可以认为在量产测试中对待测存储芯片进行加热至确定的加热时间后，待测存储芯片的温度达到了预设温度。在量产测试中的加热时间略大于预设加热时间的情况下，能够进一步确保在加热至确定的加热时间时，待测存储芯片的温度达到预设温度。
62.继续以上述nmcp芯片为例进行说明，测试设备分别对200片nmcp芯片进行加热，并分别读取加热过程中的200片nmcp芯片的寄存器的值，分别对200片nmcp芯片的寄存器的值是否为111b进行判断。当确定一nmcp芯片的寄存器的值达到111b时，则确定该nmcp芯片达到85℃。测试设备分别将每个nmcp芯片开始加热至温度达到85℃之间的时间间隔，作为该
nmcp芯片温升时间。测试设备确定上述200片nmcp芯片的温升时间中的最大时间45秒，从而确定nmcp芯片的预设加热时间为45秒。测试设备在量产测试中对若干待测的nmcp芯片同类型的芯片的加热时间大于或者等于45秒，进一步地，量产测试的加热时间为1分钟。
63.可以理解的是，为了得到预设加热时间，上述若干目标存储芯片的数量是可以变动的，可以依据量产测试的总存储芯片数量进行确定。
64.上述方案中，利用存储芯片寄存器的数值会随芯片内部温度变化而改变的特性，获取加热过程中的寄存器的值并判断该值是否满足预设条件，即能够确定存储芯片的温度，通过上述方式，能够准确确定存储芯片内部温度是否达到预设温度，何时达到预设温度，以此可以确定该存储芯片的准确温升时间，进而后续可以将该温升时间作为存储芯片测试过程中加热时间长度的依据，从而能够提高存储芯片测试过程中的加热效率，进而提高存储芯片测试的效率，降低存储芯片测试的成本。
65.请参阅图5，图5是本技术存储芯片测试方法一实施例的流程示意图，存储芯片测试方法可以由存储芯片测试设备执行，该存储芯片测试为本技术中的量产测试，该存储芯片测试方法包括：
66.步骤s510：对若干待测存储芯片进行加热。
67.具体地，测试设备包括有加热装置，能够对若干待测存储芯片进行加热，对待测存储芯片的加热过程与存储芯片的温升时间测量方法中对目标存储芯片的加热过程类似，相关描述可以参考上述关于对目标存储芯片进行加热的描述，在此不做赘述。
68.在一些实施例中，测试设备也可以不包括加热装置，对若干待测存储芯片的加热可以由其他加热设备执行。
69.步骤s520：在若干待测存储芯片至少加热至预设状态后，对若干待测存储芯片进行测试。
70.其中，预设状态为加热至预设加热时间，预设加热时间是依据本技术中的存储芯片的温升时间测量方法得到的温升时间确定的，或者预设状态为若干待测存储芯片的寄存器的值为预设值。
71.可以理解的是，预设加热时间为采用存储芯片的温升时间测量方法对与待测存储芯片同类型的芯片的最大温升时间。预设值为待测存储芯片的数据手册中记载的工作上限温度下对应的寄存器的值。测试设备将若干待测存储芯片加热至预设状态时，可以认为若干待测存储芯片的温度均达到待测存储芯片的数据手册中记载的工作的上限温度。
72.具体地，当预设状态为若干待测存储芯片的寄存器的值为预设值时，步骤s520可以为，测量设备在对若干待测存储芯片的加热过程中，分别获取若干待测存储芯片的寄存器的值，并分别判断上述若干值是否为预设值，判断寄存器的值与预设值一致时，则对该寄存器对应的待测存储芯片进行测试；或者测量设备在对若干待测存储芯片的加热过程中，分别获取若干待测存储芯片的寄存器的值，并分别判断上述若干值是否为预设值，判断得到部分或全部寄存器的值与预设值一致时，对该部分或全部寄存器对应的待测存储芯片进行测试。
73.当预设状态为加热至预设加热时间时，步骤s520可以为，在若干待测存储芯片加热时间为预设加热时间或者大于预设加热时间后，对若干待测存储芯片进行测试。
74.在一些实施例中，在对若干待测存储芯片进行加热之前，测试设备先启动加热装
置，进行预热，从而可以使得对待测存储芯片的加热更加均匀。具体地，继续以上述nmcp芯片为例进行说明，nmcp芯片的预设加热时间为1分钟，在开始对nmcp芯片加热之前，测试设备启动加热装置，进行预热1分钟，而后对nmcp芯片进行加热。
75.在一些实施例中，测试设备的加热块与待测存储芯片接触，测试设备的加热块的温度需要略高于待测存储芯片的预设温度，才能够使得热量传递至待测存储芯片内部后，待测存储芯片的温度达到预设温度。具体地，继续以上述nmcp芯片为例进行说明，nmcp芯片的预设温度为85℃，测试设备的加热块的温度需要大于或等于88℃时，才能够将待测存储芯片升温至85℃。
76.其中，对若干待测存储芯片进行测试具体可以包括：测试设备运行测试程序对若干待测存储芯片进行数据的写入和读取，基于上述过程，测试设备可以判断上述若干待测存储芯片在预设温度下是否正常工作，若不能够正常工作则为不良品。
77.具体地，继续以上述nmcp芯片为例进行说明，测试设备对于若干待测的上述nmcp芯片同类型的芯片进行加热1分钟，而后对若干待测nmcp芯片的工作情况进行判断，筛选出在85℃下不能够正常进行工作的nmcp芯片作为不良品，从而完成上述若干待测nmcp芯片的量产测试。
78.可以理解的是，采用上述存储芯片的温升时间测量方法测量温升时间时的测量条件应当与量产测试中的测试条件一致，从而可以保证存储芯片在测量温升时间时和量产测试时具有相同的初始温度，相同的升温速率等，从而能够将温升时间作为量产测试时的加热时间的依据。其中，测量条件和测试条件包括但不限于环境温度，加热棒温度、是否预热等。
79.上述方案中，利用存储芯片寄存器的数值会随芯片内部温度变化而改变的特性，获取加热过程中的寄存器的值并判断该值是否满足预设条件，即能够确定存储芯片的温度，通过上述方式，能够准确确定存储芯片内部温度是否达到预设温度，何时达到预设温度，以此可以确定该存储芯片的准确温升时间，进而后续可以将该温升时间作为存储芯片测试过程中加热时间长度的依据，从而能够提高存储芯片测试过程中的加热效率，进而提高存储芯片测试的效率，降低存储芯片测试的成本。
80.请参阅图6，图6是本技术存储芯片测试设备一实施例的框架示意图。
81.本实施例中，存储芯片测试设备60包括存储器61、处理器62、加热装置63和测试装置64，其中存储器61、加热装置63和测试装置64分别耦接处理器62。具体地，存储芯片测试设备60的各个组件可通过总线耦合在一起，或者存储芯片测试设备60的处理器62分别与其他组件一一连接。该存储芯片测试设备60可以为具有处理能力的任意设备，例如计算机、平板电脑、手机等。
82.存储器61用于存储用户输入的信息、处理器62执行的程序数据以及处理器62在处理过程中的数据等。例如，用户输入的预设温度、测量得到的预设加热时间等。其中，该存储器61包括非易失性存储部分，用于存储上述程序数据。
83.处理器62控制存储芯片测试设备60的操作，处理器62还可以称为为cpu(central processing unit，中央处理单元)。处理器62可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。处理器62还可以是通用处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现成可编程门阵列(fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。通
用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。另外，处理器62可以由多个成电路芯片共同实现。
84.处理器62通过调用存储器61存储的程序数据，用于执行指令以实现上述任一存储芯片的温升时间测量方法和/或存储芯片测试方法实施例的步骤。
85.加热装置63用于对目标存储芯片和/或待测存储芯片加热，测试装置64用于对达到预设温度的存储芯片进行测试。
86.例如，处理器62获取对存储芯片加热过程中，存储芯片的寄存器的值，并与预设值进行比较，判断寄存器的值与预设值一致时，确定此时加热消耗的时间作为温升时间。
87.可以理解的是，在另一实施例中，若存储芯片的加热步骤由其他加热设备执行，则该存储芯片测试设备60可以不包括加热装置63。
88.可以理解的是，在另一实施例中，若存储芯片的测试步骤由其他测试设备执行，则该存储芯片测试设备60可以不包括测试装置64。
89.在上述方案中，利用存储芯片寄存器的数值会随芯片内部温度变化而改变的特性，获取加热过程中的寄存器的值并判断该值是否满足预设条件，即能够确定存储芯片的温度，通过上述方式，能够准确确定存储芯片内部温度是否达到预设温度，何时达到预设温度，以此可以确定该存储芯片的准确温升时间，进而后续可以将该温升时间作为存储芯片测试过程中加热时间长度的依据，从而能够提高存储芯片测试过程中的加热效率，进而提高存储芯片测试的效率，降低存储芯片测试的成本。
90.请参阅图7，图7是本技术计算机可读存储介质一实施例的框架示意图。
91.本实施例中，该计算机可读存储介质70存储有处理器可运行的程序数据71，该程序数据能够被执行，用以实现上述任一存储芯片的温升时间测量方法和/或存储芯片测试方法。
92.该计算机可读存储介质70具体可以为u盘、移动硬盘、只读存储器(rom，read-onlymemory)、随机存取存储器(ram，randomaccessmemory)、磁碟或者光盘等可以存储程序数据的介质，或者也可以为存储有该程序数据的服务器，该服务器可将存储的程序数据发送给其他设备运行，或者也可以自运行该存储的程序数据。
93.在一些实施例中，计算机可读存储介质70还可以为如图6所示的存储器。
94.在上述方案中，利用存储芯片寄存器的数值会随芯片内部温度变化而改变的特性，获取加热过程中的寄存器的值并判断该值是否满足预设条件，即能够确定存储芯片的温度，通过上述方式，能够准确确定存储芯片内部温度是否达到预设温度，何时达到预设温度，以此可以确定该存储芯片的准确温升时间，进而后续可以将该温升时间作为存储芯片测试过程中加热时间长度的依据，从而能够提高存储芯片测试过程中的加热效率，进而提高存储芯片测试的效率，降低存储芯片测试的成本。
95.以上所述仅为本技术的实施方式，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。

技术特征：

1.一种存储芯片的温升时间测量方法，其特征在于，所述方法包括：在对所述目标存储芯片升温过程中，读取所述目标存储芯片的寄存器的值；若检测到所述寄存器的值满足预设条件，则确定所述目标存储芯片的温度达到预设温度；获取所述目标存储芯片的温度达到所述预设温度的温升时间。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设条件为所述寄存器的值为预设值。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在对所述目标存储芯片升温过程中，读取所述目标存储芯片的寄存器的值之前，所述方法还包括：控制加热装置对所述目标存储芯片进行加热，以对所述目标存储芯片进行升温。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述控制加热装置对所述目标存储芯片进行加热，包括：控制所述加热装置接触所述目标存储芯片的上表面。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取所述目标存储芯片的温度达到所述预设温度的温升时间，包括：将所述目标存储芯片开始加热至所述目标存储芯片的温度达到所述预设温度之间的时间间隔，作为所述温升时间。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：将若干所述目标存储芯片的所述温升时间中的最大时间，作为预设加热时间，其中，所述预设加热时间用于确定与所述目标存储芯片同类型的待测存储芯片在测试前的加热时间。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标存储芯片为基于非易失性存储器的多芯片封装结构。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述非易失性存储器包括与非门闪存。9.一种存储芯片测试方法，其特征在于，所述方法包括：对若干待测存储芯片进行加热；在所述若干待测存储芯片至少加热至预设状态后，对所述若干待测存储芯片进行测试；其中，所述预设状态为加热至预设加热时间，所述预设加热时间是基于权利要求1-7任一项所述的方法得到的温升时间确定的；或者，所述预设状态为所述若干待测存储芯片的寄存器的值为预设值。10.一种存储芯片测试设备，其特征在于，所述存储芯片测试设备包括处理器和存储器，所述存储器用于存储程序数据，所述处理器用于执行所述程序数据以实现如权利要求1-8中任一项所述的方法，和/或权利要求9所述的方法。11.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，所述存储芯片测试设备还包括以下至少一者：加热装置，用于对存储芯片进行加热；测试装置，用于对达到预设温度的存储芯片进行测试。12.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质用于存储程序数
据，所述程序数据能够被执行，用以实现如权利要求1-8中任一项所述的方法，和/或权利要求9所述的方法。

技术总结

本申请公开了一种存储芯片的温升时间测量方法、存储芯片测试方法及设备，该方法包括在对目标存储芯片升温过程中，读取目标存储芯片的寄存器的值；若检测到寄存器的值满足预设条件，则确定目标存储芯片的温度达到预设温度；获取目标存储芯片的温度达到预设温度的温升时间。通过上述方式，本申请能够准确确定存储芯片内部温度是否达到预设温度，何时达到预设温度，以此可以确定该存储芯片的准确温升时间，进而后续可以将该温升时间作为存储芯片测试过程中加热时间长度的依据，从而能够提高存储芯片测试过程中的加热效率，进而提高存储芯片测试的效率，降低存储芯片测试的成本。降低存储芯片测试的成本。降低存储芯片测试的成本。