一种碲酸铌锂化合物及其非线性光学晶体的制备方法和用途与流程

1.本发明涉及光电子功能材料领域，具体涉及一种碲酸铌锂化合物及其非线性光学晶体的制备方法和用途。

背景技术：

2.非线性光学晶体能够通过倍频、差频、光参量振荡及光参量放大等技术扩展激光频率范围，在激光医学、光通信、信号处理及集成光学等领域的应用越来越广泛，是全固态激光中不可缺少的角。
3.目前已实际应用的非线性光学晶体，如kh2po4，ktiopo4，β～bab2o4，lib3o5，zngep2，aggas2和aggase2，由于存在如：晶体潮解，双光子吸收，损伤阈值低，透过范围短，不易于长成光学质量均匀的体块单晶等缺陷，限制了其在全固态激光等领域中的应用。
4.具有潜在应用价值的非线性光学晶体应该要满足以下条件：(1)足够大的非线性光学系数，以得到较理想的频率转换效率；(2)适中的双折射率，以得到相位匹配条件有效输出相干光；(3)宽的透过范围，以使得晶体能够应用于不同波段范围；(4)具有良好的化学稳定性和激光损伤阈值大；(5)易于长成厘米级光学均匀的单晶。
5.但是，现有的非线性光学晶体均难以满足上述条件，难以在全固态激光领域中应用。

技术实现要素：

6.为解决上述技术问题，本发明提供一种碲酸铌锂化合物，其化学式为linbteo5。
7.根据本发明，所述碲酸铌锂化合物为多晶粉末；具体的，为纯相多晶粉末。
8.根据本发明，所述碲酸铌锂化合物为非线性光学晶体。
9.根据本发明，所述碲酸铌锂多晶粉末具有如图1所述的xrd图。
10.本发明还提供上述碲酸铌锂化合物的制备方法，该制备方法包括以下步骤：将nb2o5、锂化合物和teo2进行固相反应，制备所述碲酸铌锂化合物。
11.根据本发明，所述固相反应在熔融的条件下进行。
12.根据本发明，所述固相反应包括将nb2o5、锂化合物和teo2混合，在温度为600～700℃的条件下反应5～120h，得到碲酸铌锂多晶粉末。
13.优选地，所述固相反应的温度为620～680℃，更优选地，为640～660℃，例如为600℃、610℃、630℃、650℃、670℃，或者其中任意两个值所构成范围中的任意点值。
14.优选地，所述固相反应的时间为10～100h，更优选地，为30～80h，进一步优选地，为40～60h，例如为10h、20h、30h、50h、60h、70h、90h或其中任意两个值所构成范围中的任意点值。
15.根据本发明，nb2o5、锂化合物和teo2的摩尔比，以nb、li与te计，为1:1:1。
16.根据本发明，所述固相反应还包括排气操作。
17.根据本发明，所述锂化合物为li2o、li2co3、lino3、lioh、lioh
·
h2o中的至少一种。
18.根据本发明，所述碲酸铌锂化合物为纯相碲酸铌锂多晶粉末。
19.根据本发明，所述纯相碲酸铌锂多晶粉末具有如图1所示的xrd图。
20.本发明还提供一种碲酸铌锂非线性光学晶体，该晶体的分子式为linbteo5，该晶体为非中心对称，属于单斜晶系，该晶体的极性空间为p21。
21.本发明中，碲酸铌锂非线性光学晶体简记为linbteo5晶体。
22.根据本发明，linbteo5晶体的晶胞参数为晶体的晶胞参数为β＝91.923(19)
°
。
23.根据本发明，linbteo5晶体的单胞体积
24.根据本发明，linbteo5晶体的晶胞内分子数z＝4。
25.根据本发明，linbteo5晶体具有如图2所述的晶体结构。
26.根据本发明，linbteo5晶体具有如图3所述的紫外～可见～红外透射光谱。
27.根据本发明，linbteo5晶体的粉末倍频效应为ktp的2.3倍。
28.本发明还提供一种上述碲酸铌锂非线性光学晶体的制备方法，该制备方法包括以下步骤：将nb2o5、锂化合物与teo2混合，熔融至混合均匀，然后在降温条件下进行晶体生长，得到所述碲酸铌锂非线性光学晶体。
29.根据本发明，所述制备方法包括以下步骤：将nb2o5、锂化合物和teo2进行固相反应，得到碲酸铌锂多晶粉末；将碲酸铌锂多晶粉末与助熔剂混合，熔融至混合均匀，然后在降温条件下进行晶体生长，得到所述碲酸铌锂非线性光学晶体。
30.优选地，所述固相反应包括在温度为600～700℃的条件下反应5～120h。
31.根据本发明，在与助熔剂混合前，还包括将碲酸铌锂多晶粉末冷却并捣碎研磨的步骤。
32.根据本发明，所述碲酸铌锂多晶粉末与助熔剂混合例如在研磨条件下混合均匀。
33.根据本发明，所述助熔剂选自下列之一：
34.teo2或teo
2-锂化合物混合体系，所述teo2与锂化合物的摩尔比按te:li计为：te:li＝(1～6):(1～3)，例如为1:1、1:2、1:3、2:1、3:1、4:1、5:1、6:1。
35.根据本发明，teo
2-锂化合物混合体系中的锂化合物选自li2o、li2co3、lino3、lioh、lioh
·
h2o中的至少一种。
36.根据本发明，所述碲酸铌锂多晶粉末与助熔剂teo2的摩尔比为1:1.5～1:5.5，例如为1:(2～5)，还例如为1:(3～4)，再例如为1:1.5、1:2、1:2.5、1:3、1:3.5、1:4、1:4.5、1:5或1:5.5。
37.根据本发明，所述碲酸铌锂多晶粉末与助熔剂teo
2-锂化合物混合体系的摩尔数之比为1:0.5～1:3.5，例如为1:(1～3)，还例如为1:(2～3)，再例如为1:1.5、1:2、1:2.5、1:3或1:3.5；
38.助熔剂teo
2-锂化合物混合体系里，teo2与锂化合物的摩尔比按te:li计为(5:1):(1:1.5)，例如(4.5～1.5):(1:1.3)，例如(4.5～1.5):1.2，还例如(4.5～1.5):1，再例如3.5:1，3:1，2.5：1。
39.根据本发明，所述碲酸铌锂多晶粉末中，nb2o5、锂化合物和teo2的摩尔比，按nb、li与te计，具有如上所述的定义，为1:1:1。
40.根据本发明，所述将nb2o5、锂化合物与teo2混合还可以包括以下步骤：采用直接混料法将nb2o5、锂化合物和teo2混合均匀。
41.根据本发明，直接混料法中，以teo2为助熔剂，将nb2o5、锂化合物和teo2混合均匀，其中，按nb:li:te计，三者的摩尔比nb:li:te＝1:1:(2.5～6.5)，示例性地，nb:li:te＝1:1:(3～6)，示例性地，nb:li:te＝1:1:(3.5～5.5)，更示例性地，nb:li:te＝1:1:(4～5)，例如，nb:li:te＝1:1:2.5、1:1:3、1:1:3.2、1:1:3.8、1:1:4.6、1:1:5.2、1:1:5.7、1:1:6.3、1:1:6.5。
42.根据本发明，直接混料法中，以teo2～锂化合物混合体系为助熔剂，将nb2o5、锂化合物和teo2混合均匀，按nb:li:te计，三者的摩尔比nb:li:te＝1:(2～4):(2～7)，示例性地，nb:li:te＝1:(2.5～3.5):(3.5～6.5)，示例性地，nb:li:te＝1:(2.8～3.2):(4～6)，更示例性地，nb:li:te＝1:(2.8～3.2):(4.5～5.5)，例如，nb:li:te＝1:3:5.3、1:3:5、1:2.8:5.2、1:2.8:5、1:2.8:4.8。
43.根据本发明，直接混料法包括：将nb2o5、锂化合物和teo2在熔融的条件下混合均匀。
44.根据本发明，所述熔融在温度为680～730℃的条件下进行，例如将混合物装在铂金坩埚中，放入熔盐炉，装好熔盐炉，从室温以10～100℃/h的速率升温至680～730℃，保温1～5天使混合物熔融并混合均匀。
45.根据本发明，所述降温条件下进行晶体生长包括：降温至熔体饱和点附近，引入籽晶，降温至晶体的生长温度进行生长至得到所述非线性光学晶体。
46.根据本发明，所述引入籽晶包括，先将籽晶预热至650～660℃再加入降温后的所述熔体中。
47.根据本发明，所述籽晶提取自降温过程中的熔体，例如在降温过程中使用悬挂铂丝法获得碲酸铌锂小晶体作为籽晶。
48.根据本发明，所述晶体生长的晶转参数包括：转速5～50rpm，加速1～10s，运行30～180s，间歇5～50s；
49.示例性地，所述晶体生长的晶转参数包括：转速10～40rpm，加速1～8s，运行50～150s，间歇10～40s；
50.示例性地，所述晶体生长的晶转参数包括：转速20～30rpm，加速2～6s，运行50～100s，间歇20～30s。
51.根据本发明，所述生长温度为600～650℃；示例性地，所述生长温度为610～640℃；示例性地，所述生长温度为620～630℃，例如，所述生长温度为600℃、605℃、610℃、615℃、620℃、625℃、630℃、635℃、640℃、645℃、650℃。
52.根据本发明，所述降温的速率为0.01～5℃/h；示例性地，所述降温的速率为0.03～4℃/h；示例性地，所述降温的速率为0.05～3℃/h；示例性地，所述降温的速率为0.1～2℃/h；示例性地，所述降温的速率为0.5～1℃/h，例如，所述降温的速率为0.01～0.1℃/h、0.01～0.3℃/h、0.02～0.5℃/h、0.03～0.6℃/h、0.05～1℃/h、1～3℃/h、2～4℃/h、3～5℃/h。
53.根据本发明，所述晶体的生长周期为12～30天；示例性地，所述晶体的生长周期为15～28天；示例性地，所述晶体的生长周期为18～25天，例如为12天、14天、16天、18天、20
天、23天、25天、28天、30天。
54.根据本发明，得到所述非线性光学晶体后，还包括提取所述非线性光学晶体的步骤。
55.根据本发明，提取所述非线性光学晶体包括将晶体提离液面，并以温度为1～20℃/h的速率降至室温并取出，得到碲酸铌锂晶体。
56.根据本发明，所述晶体提离液面后的降温速率为1～15℃/h；示例性地，所述晶体提离液面后的降温速率为1～10℃/h；示例性地，所述晶体提离液面后的降温速率为1～5℃/h，例如，所述晶体提离液面后的降温速率为1～2℃/h，1～3℃/h，2～5℃/h，3～7℃/h，5～8℃/h，6～10℃/h，10～13℃/h，12～15℃/h。
57.根据本发明，所述晶体提离液面后，在熔盐炉中进行降温。
58.作为一个实例，将nb2o5，锂化合物和teo2按摩尔比，nb:li:te＝1:1:1，称取放入研钵中，混合并研磨，装入铂金坩埚，放入马弗炉中，缓慢升温至650℃，恒温24小时，尽量将气体排干净，待冷却后却出坩埚，放入研钵中捣碎研磨即得到纯相碲酸铌锂多晶粉末。
59.作为一个实例，将nb2o5，锂化合物和teo2按摩尔比，nb:li:te＝1:1:(2.5～6.5)称量，混合均匀，装入铂金坩埚。
60.根据本发明，将nb2o5，锂化合物和teo2按摩尔比nb:li:te＝1:1:4称量，混合均匀，装入铂金坩埚，放入熔盐炉中，缓慢升温至700℃，恒温24小时，然后进行降温，降温期间中使用悬挂铂丝法获得碲酸铌锂小晶体，待冷却后即可得到晶体。
61.本发明还提供上述碲酸铌锂化合物，例如碲酸铌锂非线性光学晶体的用途，其用于制备倍频发生器，上、下频率转换器，光参量放大或光参量振荡。
62.本发明还提供一种碲酸铌锂化合物，例如碲酸铌锂非线性光学晶体的用途，其用于制备电光调制器，偏转器，q开关或激光锁模。
63.本发明还提供一种光学器件，所述光学器件含有上述碲酸铌锂非线性光学晶体。
64.根据本发明，所述光学器件为激光器；示例性地，所述激光器为全固态激光器。
65.有益效果
66.本发明制备的碲酸铌锂晶体具有宽的透过范围(0.33～9.80μm)，强的倍频效应(2.3
×
ktp)，高的激光损伤阈值(178mw/cm2)，物化性能稳定，不易潮解，易于切割、抛光加工和保存等优点，在制备倍频发生器，上、下频率转换器，光参量放大，光参量振荡，电光调制器，偏转器，q开关，激光锁模，电振荡器，等器件中有着重要应用。
附图说明
67.图1为本发明粉末x射线谱图；
68.图2本发明晶体结构图；
69.图3本发明晶体紫外～可见～红外透射光谱；
70.图4为本发明实施例1～5所制备的碲酸铌锂晶体作为倍频晶体应用时非线性光学效应的典型示意图。
71.图中：1为激光器，2为入射光束，3为碲酸铌锂晶体，4为出射光束，5为滤波片。
具体实施方式
72.下文将结合具体实施例对本发明的化合物及其制备方法和应用做更进一步的详细说明。应当理解，下列实施例仅为示例性地说明和解释本发明，而不应被解释为对本发明保护范围的限制。凡基于本发明上述内容所实现的技术均涵盖在本发明旨在保护的范围内。
73.除非另有说明，以下实施例中使用的原料和试剂均为市售商品，或者可以通过已知方法制备。
74.实施例1：
75.将nb2o5、锂化合物和teo2按摩尔比，1:1:1＝nb:li:te，混合均匀，50℃/h的速率从室温升到650℃，在此温度期间反应60h，得到碲酸铌锂多晶粉末。
76.随后，将得到的碲酸铌锂多晶粉末加入到助熔剂teo2中，碲酸铌锂多晶粉末与助熔剂的摩尔比为1:3，混合均匀，装入容积为φ30mm
×
30mm的铂金坩埚中，以50℃/h从室温升温至700℃，保温1～5天使原料熔化并混合均匀；以2℃/h的速率降温至630℃，在这温度期间中使用悬挂铂丝法获得碲酸铌锂小晶体，生长周期为20天，将碲酸铌锂小晶体提离液面，以10℃/h降至室温，挑取质量好的晶体当籽晶。
77.对所得籽晶进行结构解析，得到其空间为p21，而且其粉末x射线图与理论模拟是一致的，说明得到的是碲酸铌锂晶体。
78.实施例2：
79.将原料按化学计量比配料，合成碲酸铌锂多晶粉末：将nb2o5、锂化合物和teo2按摩尔比，nb:li:te＝1:1:1，混合均匀，50℃/h的速率从室温升到650℃，在此温度期间反应60h，得到碲酸铌锂多晶粉末。
80.随后，将得到的碲酸铌锂多晶粉末加入到teo2助熔剂中，碲酸铌锂多晶粉末与助熔剂的摩尔比为1:3，混合均匀，装入容积为φ60mm
×
60mm的铂金坩埚中，以50℃/h升温至700℃，保温3天使原料熔化并混合均匀；然后以2℃/h降温至650℃，此时把预热过的籽晶下入溶液中，籽晶取自实施例1自发结晶的碲酸铌锂晶体；转速参数设为：20rpm，加速5s，运行60s，间歇10s，并以00.05℃/h的速率降温至630℃，生长周期为20天，将碲酸铌锂晶体提离液面，以10℃/h降至室温，即可得到体块碲酸铌锂单晶。
81.其粉末x射线图与理论模拟是一致的，说明得到的是碲酸铌锂晶体。
82.实施例3：
83.将nb2o5、锂化合物和teo2按摩尔比，nb:li:te＝1:1:1，混合均匀，50℃/h的速率从室温升到650℃，在此温度期间反应60h，得到碲酸铌锂多晶粉末。
84.随后，将得到的碲酸铌锂多晶粉末加入到teo2和锂化合物助熔剂中，碲酸铌锂多晶粉末与助熔剂的摩尔比为1:3，teo2和锂化合物的摩尔比，te：li＝2:1，混合均匀，装入容积为φ60mm
×
60mm的铂金坩埚中，以10～100℃/h升温至700℃，保温3天使原料熔化并混合均匀；然后以2℃/h降温至650℃，此时把预热过的籽晶下入溶液中，籽晶取自实施例1自发结晶的碲酸铌锂晶体；转速参数设为：20rpm，加速5s，运行60s，间歇10s，并以0.05℃/h的速率降温至630℃，生长周期为20天，将碲酸铌锂晶体提离液面，以10℃/h降至室温，即可得到体块碲酸铌锂单晶。
85.实施列4：
86.直接将nb2o5、锂化合物和teo2，按摩尔比nb:li:te＝1:1:4.5(以teo2为助熔剂)，混合均匀，装入容积为φ60mm
×
60mm的铂金坩埚中，40℃/h的速率从室温升到680℃，保温3天使原料熔化并混合均匀；然后以1.5℃/h降温至650℃，此时把预热过的籽晶下入溶液中，籽晶取自实施例1自发结晶的碲酸铌锂晶体；转速参数设为：20rpm，加速5s，运行50s，间歇15s，并以0.05℃/h的速率降温至620℃，生长周期为20天，将碲酸铌锂晶体提离液面，以10℃/h降至室温，即可得到体块碲酸铌锂单晶。
87.实施例5：
88.直接将nb2o5、锂化合物和teo2，按摩尔比nb:li:te＝1:2.5:6(以teo2～锂化合物体系为助熔剂)，混合均匀，装入容积为φ60mm
×
60mm的铂金坩埚中，50℃/h的速率从室温升到680℃，保温4天使原料熔化并混合均匀；然后以1.5℃/h降温至645℃，此时把预热过的籽晶下入溶液中，籽晶取自实施例1自发结晶的碲酸铌锂晶体；转速参数设为：15rpm，加速5s，运行90s，间歇10s，并以0.03℃/h的速率降温至、620℃，生长周期为22天，将碲酸铌锂晶体提离液面，以10℃/h降至室温，即可得到体块碲酸铌锂单晶。
89.测试例6：
90.将实施例2～5所得的碲酸铌锂晶体按相位匹配方向加工，按附图4所示安置在晶体容纳位置3上，用nd：yag激光器作为光源，激光器1输出的波长为1064nm的红外入射激光束2，入射到单晶3上，输出波长为532nm的绿倍频光，出射光束4含有波长为1064nm的红外光和532nm的绿光，经滤波片5滤去后得到波长为532nm的绿激光说明书实施例2～5中的碲酸铌锂晶体的输出强度(粉末倍频效应)约为同等条件ktp的2.3倍。
91.以上，对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明不限定于上述实施方式。凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：

1.一种碲酸铌锂化合物，其特征在于，其化学式为linbteo5；优选地，所述碲酸铌锂化合物为多晶粉末；例如为纯相多晶粉末；优选地，所述碲酸铌锂化合物为非线性光学晶体；优选地，所述碲酸铌锂多晶粉末具有如图1所述的xrd图。2.一种权利要求1所述碲酸铌锂化合物的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：将nb2o5、锂化合物和teo2进行固相反应，得到所述碲酸铌锂化合物。3.一种碲酸铌锂非线性光学晶体，其特征在于，该晶体的分子式为linbteo5，该晶体为非中心对称，属于单斜晶系，该晶体的极性空间为p21。优选地，linbteo5晶体的晶胞参数为晶体的晶胞参数为β＝91.923(19)
°
；优选地，所述linbteo5晶体的单胞体积优选地，所述linbteo5晶体的晶胞内分子数z＝4；优选地，所述linbteo5晶体具有如图2所述的晶体结构；优选地，所述linbteo5晶体具有如图3所述的紫外～可见～红外透射光谱；优选地，所述linbteo5晶体的粉末倍频效应为ktp的2.3倍。4.一种权利要求3所述碲酸铌锂非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：将nb2o5、锂化合物与teo2混合，熔融至混合均匀，在降温条件下进行晶体生长，得到所述碲酸铌锂非线性光学晶体。5.根据权利要求4所述的碲酸铌锂非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：将nb2o5、锂化合物和teo2进行固相反应，得到碲酸铌锂多晶粉末；将碲酸铌锂多晶粉末与助熔剂混合、熔融至混合均匀，然后在降温条件下进行晶体生长，得到所述碲酸铌锂非线性光学晶体；优选地，所述助熔剂为teo2或teo
2-锂化合物混合体系；优选地，所述teo
2-锂化合物混合体系中，所述teo2与锂化合物的摩尔比按te:li计为：te:li＝(1～6):(1～3)；优选地，在与助熔剂混合前，还包括将碲酸铌锂多晶粉末冷却并捣碎研磨的步骤；优选地，所述碲酸铌锂多晶粉末与助熔剂混合在研磨条件下混合均匀；优选地，所述碲酸铌锂多晶粉末与助熔剂teo2的摩尔比为1:1.5～1:5.5，例如为1:(2～5)，还例如为1:(3～4)；优选地，所述碲酸铌锂多晶粉末与助熔剂teo
2-锂化合物混合体系的摩尔数之比为1:0.5～1:3.5，例如为1:(1～3)，还例如为1:(2～3)。6.根据权利要求4或5所述的碲酸铌锂非线性光学晶体的制备方法，其特征在于：所述将nb2o5、锂化合物和teo2混合包括以下步骤：采用直接混料法将nb2o5、锂化合物和teo2混合均匀；优选地，以teo2为助熔剂，将nb2o5、锂化合物和teo2混合均匀，其中，按nb:li:te的摩尔比计，nb:li:te＝1:1:(2.5～6.5)，示例性地，nb:li:te＝1:1:(3～6)，示例性地，nb:li:te＝1:1:(3.5～5.5)，更示例性地，nb:li:te＝1:1:(4～5)，例如，nb:li:te＝1:1:2.5、1:1:3、1:1:3.2、1:1:3.8、1:1:4.6、1:1:5.2、1:1:5.7、1:1:6.3、1:1:6.5；
优选地，以teo2～锂化合物混合体系为助熔剂，将nb2o5、锂化合物和teo2混合均匀，按nb:li:te的摩尔比计，nb:li:te＝1:(2～4):(2～7)，示例性地，nb:li:te＝1:(2.5～3.5):(3.5～6.5)，示例性地，nb:li:te＝1:(2.8～3.2):(4～6)，更示例性地，nb:li:te＝1:(2.8～3.2):(4.5～5.5)，例如，nb:li:te＝1:3:5.3、1:3:5、1:2.8:5.2、1:2.8:5、1:2.8:4.8。7.根据权利要求4至6任一项所述的碲酸铌锂非线性光学晶体的制备方法，其特征在于：所述熔融在温度为680～730℃的条件下进行，例如将混合物装在铂金坩埚中，放入熔盐炉，装好熔盐炉，从室温以10～100℃/h的速率升温至680～730℃，保温1～5天使混合物熔融并混合均匀。优选地，所述降温条件下进行晶体生长包括：降温至熔体饱和点附近，引入籽晶，降温至晶体的生长温度进行生长至得到所述非线性光学晶体。8.根据权利要求4至6任一项所述的碲酸铌锂非线性光学晶体的制备方法，其特征在于：得到所述非线性光学晶体后，还包括提取所述非线性光学晶体的步骤；优选地，提取所述非线性光学晶体包括将晶体提离液面，并以温度为1～20℃/h的速率降至室温并取出，得到碲酸铌锂晶体；优选地，所述晶体提离液面后的降温速率为1～15℃/h；示例性地，所述晶体提离液面后的降温速率为1～10℃/h；示例性地，所述晶体提离液面后的降温速率为1～5℃/h，例如，所述晶体提离液面后的降温速率为1～2℃/h，1～3℃/h，2～5℃/h，3～7℃/h，5～8℃/h，6～10℃/h，10～13℃/h，12～15℃/h；优选地，所述晶体提离液面后，在熔盐炉中进行降温。9.一种权利要求1所述碲酸铌锂化合物或权利要求3所述碲酸铌锂非线性光学晶体的用途，其用于制备倍频发生器，上、下频率转换器，光参量放大或光参量振荡；优选地，所述碲酸铌锂非线性光学晶体用于制备倍频发生器，上、下频率转换器，光参量放大或光参量振荡的用途；优选地，所述碲酸铌锂非线性光学晶体用于制备电光调制器，偏转器，q开关或激光锁模的用途。10.一种光学器件，所述光学器件含有权利要求3所述的碲酸铌锂非线性光学晶体；优选地，所述光学器件为激光器；例如所述激光器为全固态激光器。

技术总结

本发明涉及一种碲酸铌锂化合物及其非线性光学晶体的制备方法和用途，所述碲酸铌锂化合物的化学式为LiNbTeO5。具体的，所述碲酸铌锂化合物为多晶粉末，或者为非线性光学晶体，该碲酸铌锂非线性光学晶体具有宽的透过范围，强的倍频效应，高的激光损伤阈值，物化性能稳定，不易潮解，易于切割、抛光加工和保存。抛光加工和保存。抛光加工和保存。