提高MRAM读取系统灵活性的方法及电路与流程

提高mram读取系统灵活性的方法及电路
技术领域
1.本发明涉及mram芯片技术领域，特别涉及一种提高mram读取系统灵活性的方法及电路。

背景技术：

2.在mram读取电路中，为了区分rap和rp的cell，需要单独生成一个处于rap和rp中间的ref cell。
3.目前，在现有技术中的实现方式，如图2所示，比较器sa的两个输入端分别与阵列单元array cell和参考单元ref cell连接，电阻3与场效应管mos1的漏极串联，阵列单元array cell中mtj1的电阻r3的阻值可能是rap或rp，而参考单元ref cell需要做一个阻值为(rap+rp)/2的mtj2作为参考，用于比较器sa对阵列单元array cell中mtj1的阻值是rap还是rp进行区分/识别，mtj2一般是采用并联的阻值为rap的电阻r
a1
和电阻r
a2
再与并联的阻值为rp的电阻r
p1
和电阻r
p2
串联，再与场效应管mos2的漏极串联，场效应管mos1的栅极与场效应管mos2的连接且输入相同的电压wl；工艺的偏差会导致不同的芯片这个电阻值会有所偏差，电路上无法调整，无法保证参考单元ref cell的阻值为(rap+rp)/2；另外，参考单元ref cell的mtj2和阵列单元array cell的mtj1面积不一样，需要单独处理，工艺上比较麻烦，而且一旦固定，无法调整ref cell的阻值，所以不够灵活。

技术实现要素：

4.为了解决上述技术问题，本发明提供了一种提高mram读取系统灵活性的方法，包括以下步骤：
5.s100将比较器两个输入端分别连接的参考单元与阵列单元设置为相同的电路，两个电路中都包括场效应管及场效应管的漏极连接的电阻，但两个电路中的场效应管的栅极不相互连接；
6.s200将参考单元与阵列单元的电路中场效应管的栅极连接不同的电压端；
7.s300调试参考单元的场效应管栅极连接的电压端输入电压，改变参考单元的电路中场效应管的电阻值，以补偿参考单元的电路中的电阻的电阻值与目标电阻值的差异，达到调试目标；固定达到调试目标时参考单元的场效应管栅极连接的电压端输入电压。
8.可选的，在s300步骤中，达到调试目标所需要的参考单元的电路中场效应管的电阻值采用以下公式计算：
9.r
mos2
＝r
mos1
+r
目标-r410.上式中，r
mos2
表示参考单元的电路中场效应管的电阻值；r
mos1
表示阵列单元的电路中场效应管的电阻值；r
目标
表示目标电阻值，其中r
ap
表示阵列单元的电路中电阻处于rap状态时的电阻值，r
p
表示阵列单元的电路中电阻处于rp状态时的电阻值；r4表示参考单元的电路中的电阻的电阻值；
11.根据计算的场效应管的电阻值，进行参考单元的场效应管栅极连接的第二电压端wl2输入电压的调试。
12.可选的，在s300步骤中，所述调试模块采用编制调试程序的方式，实现参考单元的场效应管mos2栅极连接的第二电压端wl2输入电压的调试，并固定达到调试目标时参考单元的场效应管栅极连接的电压端输入电压。
13.可选的，在s300步骤中，采用编制调试程序的方式，使得
14.参考单元的电路中电阻的电阻值与所述阵列单元的电路中电阻为rp状态时相同的电阻值，或者
15.参考单元的电路中电阻的电阻值与所述阵列单元的电路中电阻为rap状态时相同的电阻值。
16.本发明还提供了一种提高mram读取系统灵活性的电路，包括比较器sa、参考单元、阵列单元、第一电压端wl1、第二电压端wl2和调试模块；
17.所述比较器sa的第一输入端与阵列单元连接，所述比较器sa的第一输入端与参考单元连接；
18.所述参考单元设置有与阵列单元相同的电路，即所述阵列单元的电路中包括电阻r3和场效应管mos1，且电阻r3和场效应管mos1的漏极，所述参考单元的电路中包括电阻r4和场效应管mos2，且电阻r4和场效应管mos2的漏极；所述场效应管mos1的栅极和所述场效应管mos2的栅极不相互连接；
19.所述第一电压端wl1与阵列单元的电路中场效应管mos1的栅极连接；
20.所述第二电压端wl2与参考单元的电路中场效应管mos2的栅极连接；
21.所述调试模块用于调试参考单元的场效应管mos2栅极连接的第二电压端wl2输入电压，改变参考单元的电路中场效应管mos2的电阻值，以补偿参考单元的电路中的电阻r4的电阻值等与目标电阻值的差异，达到调试目标；固定达到调试目标时参考单元的场效应管mos2栅极连接的第二电压端wl2输入电压。
22.可选的，所述调试模块连接有运算模块，所述运算模块采用以下公式计算达到调试目标所需要的参考单元的电路中场效应管mos2的电阻值：
23.r
mos2
＝r
mos1
+r
目标-r424.上式中，r
mos2
表示参考单元的电路中场效应管mos2的电阻值；r
mos1
表示阵列单元的电路中场效应管mos1的电阻值；r
目标
表示目标电阻值，其中r
ap
表示阵列单元的电路中电阻r3处于rap状态时的电阻值，r
p
表示阵列单元的电路中电阻r3处于rp状态时的电阻值；r4表示参考单元的电路中的电阻r4的电阻值；
25.根据计算的场效应管mos2的电阻值，所述调试模块进行参考单元的场效应管mos2栅极连接的第二电压端wl2输入电压的调试。
26.可选的，所述调试模块内置编程器，所述编程器用于编制调试程序，通过调试程序实现参考单元的场效应管mos2栅极连接的第二电压端wl2输入电压的调试，并固定达到调试目标时参考单元的场效应管栅极连接的电压端输入电压。
27.可选的，所述阵列单元还包括电阻r1、场效应管mos3和场效应管mos5，所述电阻r3远离场效应管mos1端与场效应管mos3的源极连接，所述场效应管mos3的漏极与场效应管
mos5的源极连接，所述场效应管mos5的漏极分别与比较器sa的第一输入端和电阻r1连接，所述场效应管mos1的源极接地；所述参考单元还包括电阻r2、场效应管mos4和场效应管mos6，所述电阻r4远离场效应管mos2端与场效应管mos4的源极连接，所述场效应管mos4的漏极与场效应管mos6的源极连接，所述场效应管mos6的漏极分别与比较器sa的第二输入端和电阻r2连接，所述场效应管mos2的源极接地。
28.可选的，所示参考单元的电路中电阻r4采用与所述阵列单元的电路中电阻r3为rp状态时相同的电阻值。
29.可选的，所示参考单元的电路中电阻r4采用与所述阵列单元的电路中电阻r3为rap状态时相同的电阻值。
30.本发明的提高mram读取系统灵活性的方法及电路，通过将比较器两个输入端分别连接的参考单元与阵列单元设置为相同的电路，使得参考单元ref cell的mtj2和阵列单元array cell的mtj1面积一样，不需要单独处理，降低了工艺难度；将参考单元与阵列单元的电路中场效应管的栅极连接不同的电压端，通过调试参考单元的场效应管栅极连接的电压端输入电压，改变参考单元的电路中场效应管的电阻值，以补偿参考单元的电路中的电阻的电阻值等与目标电阻值的差异，达到调试目标；固定达到调试目标时参考单元的场效应管栅极连接的电压端输入电压，可以保证以补偿参考单元的电路中的电阻的电阻值与目标电阻值(r
ap
+r
p
)/2的差异，使得参考单元ref cell形成一个最佳参考值信号；通过调试增强了ref cell阻值的灵活性，即使由于工艺问题导致mtj1和mtj2有变化，通过调试仍然可以补偿，从而保证mram读取系统的精度。
31.本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
32.下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
33.附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
34.图1为本发明实施例中一种提高mram读取系统灵活性的方法流程图；
35.图2为现有技术采用的mram读取电路示意图；
36.图3为本发明实施例中一种提高mram读取系统灵活性的电路示意图。
具体实施方式
37.以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
38.如图1所示，本发明实施例提供了一种提高mram读取系统灵活性的方法，包括以下步骤：
39.s100将比较器两个输入端分别连接的参考单元与阵列单元设置为相同的电路，两个电路中都包括场效应管及场效应管的漏极连接的电阻，但两个电路中的场效应管的栅极不相互连接；
40.s200将参考单元与阵列单元的电路中场效应管的栅极连接不同的电压端；
41.s300调试参考单元的场效应管栅极连接的电压端输入电压，改变参考单元的电路中场效应管的电阻值，以补偿参考单元的电路中的电阻的电阻值与目标电阻值的差异，达到调试目标；固定达到调试目标时参考单元的场效应管栅极连接的电压端输入电压。
42.上述技术方案的工作原理和有益效果为：本方案通过将比较器两个输入端分别连接的参考单元与阵列单元设置为相同的电路，使得参考单元ref cell的mtj2和阵列单元array cell的mtj1面积一样，不需要单独处理，降低了工艺难度；将参考单元与阵列单元的电路中场效应管的栅极连接不同的电压端，通过调试参考单元的场效应管栅极连接的电压端输入电压，改变参考单元的电路中场效应管的电阻值，以补偿参考单元的电路中的电阻的电阻值等与目标电阻值的差异，达到调试目标；固定达到调试目标时参考单元的场效应管栅极连接的电压端输入电压，可以保证以补偿参考单元的电路中的电阻的电阻值与目标电阻值(r
ap
+r
p
)/2的差异，使得参考单元ref cell形成一个最佳参考值信号；通过调试增强了ref cell阻值的灵活性，即使由于工艺问题导致mtj1和mtj2有变化，通过调试仍然可以补偿，从而保证mram读取系统的精度，本方案还可以节省生产成本。
43.在一个实施例中，在s300步骤中，达到调试目标所需要的参考单元的电路中场效应管的电阻值采用以下公式计算：
44.r
mos2
＝r
mos1
+r
目标-r445.上式中，r
mos2
表示参考单元的电路中场效应管的电阻值；r
mos1
表示阵列单元的电路中场效应管的电阻值；r
目标
表示目标电阻值，其中r
ap
表示阵列单元的电路中电阻处于rap状态时的电阻值，r
p
表示阵列单元的电路中电阻处于rp状态时的电阻值；r4表示参考单元的电路中的电阻的电阻值；
46.根据计算的场效应管的电阻值，进行参考单元的场效应管栅极连接的第二电压端wl2输入电压的调试。
47.上述技术方案的工作原理和有益效果为：本方案通过上述计算公式，可以预先确定调整目标，根据计算的场效应管的电阻值，进行参考单元的场效应管栅极连接的第二电压端wl2输入电压的调试，可以加快调试的速度，提高调试的效率，有利于提高产品生产率；该公式计算简单，计算量小，容易操作与实现。
48.在一个实施例中，在s300步骤中，所述调试模块采用编制调试程序的方式，实现参考单元的场效应管mos2栅极连接的第二电压端wl2输入电压的调试，并固定达到调试目标时参考单元的场效应管栅极连接的电压端输入电压。
49.上述技术方案的工作原理和有益效果为：本方案通过采用编制调试程序的方式，实现参考单元的场效应管mos2栅极连接的第二电压端wl2输入电压的调试，并固定达到调试目标时参考单元的场效应管栅极连接的电压端输入电压，以调试程序自动实现调试工作，无需人工参与，避免人为影响，提高调试效率，从而进一步提高生产效率，节省成本。
50.在一个实施例中，在s300步骤中，采用编制调试程序的方式，使得参考单元的电路中电阻的电阻值与所述阵列单元的电路中电阻为rp状态时相同的电阻值，或者使得参考单元的电路中电阻的电阻值与所述阵列单元的电路中电阻为rap状态时相同的电阻值。
51.上述技术方案的工作原理和有益效果为：本方案通过编制调试程序的方式，让参
考单元的电路中电阻的电阻值与阵列单元的电路中电阻为rp状态或者rap状态时的电阻值相同，可以简化参考单元的电路中场效应管的电阻值调节，或者简化参考单元的电路中场效应管的电阻值计算公式，从而提高调试效率，从而进一步提高生产效率，节省成本。
52.如图3所示，本发明实施例提供了一种提高mram读取系统灵活性的电路，包括比较器sa、参考单元、阵列单元、第一电压端wl1、第二电压端wl2和调试模块；
53.所述比较器sa的第一输入端与阵列单元连接，所述比较器sa的第一输入端与参考单元连接；
54.所述参考单元设置有与阵列单元相同的电路，即所述阵列单元的电路中包括电阻r3和场效应管mos1，且电阻r3和场效应管mos1的漏极，所述参考单元的电路中包括电阻r4和场效应管mos2，且电阻r4和场效应管mos2的漏极；所述场效应管mos1的栅极和所述场效应管mos2的栅极不相互连接；
55.所述第一电压端wl1与阵列单元的电路中场效应管mos1的栅极连接；
56.所述第二电压端wl2与参考单元的电路中场效应管mos2的栅极连接；
57.所述调试模块用于调试参考单元的场效应管mos2栅极连接的第二电压端wl2输入电压，改变参考单元的电路中场效应管mos2的电阻值，以补偿参考单元的电路中的电阻r4的电阻值等与目标电阻值的差异，达到调试目标；固定达到调试目标时参考单元的场效应管mos2栅极连接的第二电压端wl2输入电压。
58.上述技术方案的工作原理和有益效果为：本方案通过将比较器两个输入端分别连接的参考单元与阵列单元设置为相同的电路，使得参考单元ref cell的mtj2和阵列单元array cell的mtj1面积一样，不需要单独处理，降低了工艺难度；将参考单元与阵列单元的电路中场效应管的栅极连接不同的电压端，电阻r4的电阻值可以任意选择，通过调试参考单元的场效应管栅极连接的电压端输入电压，改变参考单元的电路中场效应管的电阻值，以补偿参考单元的电路中的电阻的电阻值等与目标电阻值的差异，达到调试目标；固定达到调试目标时参考单元的场效应管栅极连接的电压端输入电压，可以保证以补偿参考单元的电路中的电阻的电阻值与目标电阻值(r
ap
+r
p
)/2的差异，使得参考单元ref cell形成一个最佳参考值信号；通过调试增强了ref cell阻值的灵活性，即使由于工艺问题导致mtj1和mtj2有变化，通过调试仍然可以补偿，从而保证mram读取系统的精度，本方案还可以节省生产成本。
59.在一个实施例中，所述调试模块连接有运算模块，所述运算模块采用以下公式计算达到调试目标所需要的参考单元的电路中场效应管mos2的电阻值：
60.r
mos2
＝r
mos1
+r
目标-r461.上式中，r
mos2
表示参考单元的电路中场效应管mos2的电阻值；r
mos1
表示阵列单元的电路中场效应管mos1的电阻值；r
目标
表示目标电阻值，其中r
ap
表示阵列单元的电路中电阻r3处于rap状态时的电阻值，r
p
表示阵列单元的电路中电阻r3处于rp状态时的电阻值；r4表示参考单元的电路中的电阻r4的电阻值；
62.根据计算的场效应管mos2的电阻值，所述调试模块进行参考单元的场效应管mos2栅极连接的第二电压端wl2输入电压的调试。
63.上述技术方案的工作原理和有益效果为：本方案通过上述计算公式，可以预先确
定调整目标，根据计算的场效应管的电阻值，进行参考单元的场效应管栅极连接的第二电压端wl2输入电压的调试，可以加快调试的速度，提高调试的效率，有利于提高产品生产率；该公式计算简单，计算量小，容易操作与实现。
64.在一个实施例中，所述调试模块内置编程器，所述编程器用于编制调试程序，通过调试程序实现参考单元的场效应管mos2栅极连接的第二电压端wl2输入电压的调试，并固定达到调试目标时参考单元的场效应管栅极连接的电压端输入电压。
65.上述技术方案的工作原理和有益效果为：本方案通过采用编制调试程序的方式，实现参考单元的场效应管mos2栅极连接的第二电压端wl2输入电压的调试，并固定达到调试目标时参考单元的场效应管栅极连接的电压端输入电压，以调试程序自动实现调试工作，无需人工参与，避免人为影响，提高调试效率，从而进一步提高生产效率，节省成本。
66.在一个实施例中，如图3所示，所述阵列单元还包括电阻r1、场效应管mos3和场效应管mos5，所述电阻r3远离场效应管mos1端与场效应管mos3的源极连接，所述场效应管mos3的漏极与场效应管mos5的源极连接，所述场效应管mos5的漏极分别与比较器sa的第一输入端和电阻r1连接，所述场效应管mos1的源极接地；所述参考单元还包括电阻r2、场效应管mos4和场效应管mos6，所述电阻r4远离场效应管mos2端与场效应管mos4的源极连接，所述场效应管mos4的漏极与场效应管mos6的源极连接，所述场效应管mos6的漏极分别与比较器sa的第二输入端和电阻r2连接，所述场效应管mos2的源极接地。
67.上述技术方案的工作原理和有益效果为：本方案阵列单元设置的电阻r1、场效应管mos3和场效应管mos5和参考单元设置的电阻r2、场效应管mos4和场效应管mos6电路相同，因此可以采用阵列单元同样的工艺来制作参考单元，简化了mram读取系统电路的制造工艺，可以提高生产效率，节省制造成本，从而提高产品竞争力。
68.在一个实施例中，所示参考单元的电路中电阻r4采用与所述阵列单元的电路中电阻r3为rap状态时相同的电阻值；或者所示参考单元的电路中电阻r4采用与所述阵列单元的电路中电阻r3为rp状态时相同的电阻值。
69.上述技术方案的工作原理和有益效果为：本方案通过编制调试程序的方式，让参考单元的电路中电阻r4的电阻值与阵列单元的电路中电阻r3为rp状态或者rap状态时的电阻值相同，可以简化参考单元的电路中场效应管的电阻值调节，或者简化参考单元的电路中场效应管的电阻值计算公式，例如将电阻r4的电阻值与电阻r3为rp状态的电阻值相同，array的rp cell bl向下看到的电阻是rp+r
mosarray
，rap cell bl向下看到的电阻是rap+r
mosarray
，refcell从bl看到的电阻是rp+r
mosref
,通过调整wl_ref的值，调整r
mosref
,使rp+r
mosref
＝(rap+rp)/2+r
mosarray
，即r
mosref
＝r
mosarray-(rap-rp)/2，由此计算公式得到简化；如果工艺不同，导致rp和rap的值不同，可以调整wl_ref，使ref cell的阻值处于合理的水平，比较灵活；本方案可提高调试效率，从而进一步提高生产效率，节省成本。
70.显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

技术特征：

1.一种提高mram读取系统灵活性的方法，其特征在于，包括以下步骤：s100将比较器两个输入端分别连接的参考单元与阵列单元设置为相同的电路，两个电路中都包括场效应管及场效应管的漏极连接的电阻，但两个电路中的场效应管的栅极不相互连接；s200将参考单元与阵列单元的电路中场效应管的栅极连接不同的电压端；s300调试参考单元的场效应管栅极连接的电压端输入电压，改变参考单元的电路中场效应管的电阻值，以补偿参考单元的电路中的电阻的电阻值与目标电阻值的差异，达到调试目标；固定达到调试目标时参考单元的场效应管栅极连接的电压端输入电压。2.根据权利要求1所述的提高mram读取系统灵活性的方法，其特征在于，在s300步骤中，达到调试目标所需要的参考单元的电路中场效应管的电阻值采用以下公式计算：r
mos2
＝r
mos1
+r
目标-r4上式中，r
mos2
表示参考单元的电路中场效应管的电阻值；r
mos1
表示阵列单元的电路中场效应管的电阻值；r
目标
表示目标电阻值，其中r
ap
表示阵列单元的电路中电阻处于rap状态时的电阻值，r
p
表示阵列单元的电路中电阻处于rp状态时的电阻值；r4表示参考单元的电路中的电阻的电阻值；根据计算的场效应管的电阻值，进行参考单元的场效应管栅极连接的第二电压端wl2输入电压的调试。3.根据权利要求1所述的提高mram读取系统灵活性的方法，其特征在于，在s300步骤中，所述调试模块采用编制调试程序的方式，实现参考单元的场效应管mos2栅极连接的第二电压端wl2输入电压的调试，并固定达到调试目标时参考单元的场效应管栅极连接的电压端输入电压。4.根据权利要求3所述的提高mram读取系统灵活性的方法，其特征在于，在s300步骤中，采用编制调试程序的方式，使得参考单元的电路中电阻的电阻值与所述阵列单元的电路中电阻为rp状态时相同的电阻值，或者参考单元的电路中电阻的电阻值与所述阵列单元的电路中电阻为rap状态时相同的电阻值。5.一种提高mram读取系统灵活性的电路，其特征在于，包括比较器sa、参考单元、阵列单元、第一电压端wl1、第二电压端wl2和调试模块；所述比较器sa的第一输入端与阵列单元连接，所述比较器sa的第一输入端与参考单元连接；所述参考单元设置有与阵列单元相同的电路，即所述阵列单元的电路中包括电阻r3和场效应管mos1，且电阻r3和场效应管mos1的漏极，所述参考单元的电路中包括电阻r4和场效应管mos2，且电阻r4和场效应管mos2的漏极；所述场效应管mos1的栅极和所述场效应管mos2的栅极不相互连接；所述第一电压端wl1与阵列单元的电路中场效应管mos1的栅极连接；所述第二电压端wl2与参考单元的电路中场效应管mos2的栅极连接；所述调试模块用于调试参考单元的场效应管mos2栅极连接的第二电压端wl2输入电
压，改变参考单元的电路中场效应管mos2的电阻值，以补偿参考单元的电路中的电阻r4的电阻值等与目标电阻值的差异，达到调试目标；固定达到调试目标时参考单元的场效应管mos2栅极连接的第二电压端wl2输入电压。6.根据权利要求5所述的提高mram读取系统灵活性的电路，其特征在于，所述调试模块连接有运算模块，所述运算模块采用以下公式计算达到调试目标所需要的参考单元的电路中场效应管mos2的电阻值：r
mos2
＝r
mos1
+r
目标-r4上式中，r
mos2
表示参考单元的电路中场效应管mos2的电阻值；r
mos1
表示阵列单元的电路中场效应管mos1的电阻值；r
目标
表示目标电阻值，其中r
ap
表示阵列单元的电路中电阻r3处于rap状态时的电阻值，r
p
表示阵列单元的电路中电阻r3处于rp状态时的电阻值；r4表示参考单元的电路中的电阻r4的电阻值；根据计算的场效应管mos2的电阻值，所述调试模块进行参考单元的场效应管mos2栅极连接的第二电压端wl2输入电压的调试。7.根据权利要求5所述的提高mram读取系统灵活性的电路，其特征在于，所述调试模块内置编程器，所述编程器用于编制调试程序，通过调试程序实现参考单元的场效应管mos2栅极连接的第二电压端wl2输入电压的调试，并固定达到调试目标时参考单元的场效应管栅极连接的电压端输入电压。8.根据权利要求5所述的提高mram读取系统灵活性的电路，其特征在于，所述阵列单元还包括电阻r1、场效应管mos3和场效应管mos5，所述电阻r3远离场效应管mos1端与场效应管mos3的源极连接，所述场效应管mos3的漏极与场效应管mos5的源极连接，所述场效应管mos5的漏极分别与比较器sa的第一输入端和电阻r1连接，所述场效应管mos1的源极接地；所述参考单元还包括电阻r2、场效应管mos4和场效应管mos6，所述电阻r4远离场效应管mos2端与场效应管mos4的源极连接，所述场效应管mos4的漏极与场效应管mos6的源极连接，所述场效应管mos6的漏极分别与比较器sa的第二输入端和电阻r2连接，所述场效应管mos2的源极接地。9.根据权利要求5所述的提高mram读取系统灵活性的电路，其特征在于，所示参考单元的电路中电阻r4采用与所述阵列单元的电路中电阻r3为rp状态时相同的电阻值。10.根据权利要求5所述的提高mram读取系统灵活性的电路，其特征在于，所示参考单元的电路中电阻r4采用与所述阵列单元的电路中电阻r3为rap状态时相同的电阻值。

技术总结

本发明提供了一种提高MRAM读取系统灵活性的方法及电路，方法包括：将比较器两个输入端分别连接的参考单元与阵列单元设置为相同的电路，两个电路中都包括场效应管及场效应管的漏极连接的电阻，但两个电路中的场效应管的栅极不相互连接；将参考单元与阵列单元的电路中场效应管的栅极连接不同的电压端；调试参考单元的场效应管栅极连接的电压端输入电压，改变参考单元的电路中场效应管的电阻值，以补偿参考单元的电路中的电阻的电阻值与目标电阻值的差异，达到调试目标；固定达到调试目标时参考单元的场效应管栅极连接的电压端输入电压。电路包括比较器SA、参考单元、阵列单元、第一电压端WL1、第二电压端WL2和调试模块；该电路用于实现上述方法。路用于实现上述方法。路用于实现上述方法。

技术研发人员：

孙锋锋 刘铭 梅健平 朱长峰

受保护的技术使用者：

北京超弦存储器研究院

技术研发日：

2021.08.23

技术公布日：

2023/2/23