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晶圆处理用粘结膜的制作方法

1.本发明涉及粘结膜，在晶圆的背面研磨((晶圆背面研磨(waferbackgrinding)或晶圆磨薄(waferlapping)或晶圆减薄(waferthinning))工序中，为了保护晶圆的表面而使用。更具体地，本发明涉及如下的晶圆背面研磨用粘结膜，即，通过减少或消除在晶圆背面研磨加工过程中产生的应力使得加工性非常优秀。

背景技术

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：：2.随着近年来技术的发展，要求半导体芯片的小型化、高密度化及薄型化，因此，晶圆也要求薄型化。用于薄型化晶圆芯片的典型方法是通过研磨晶圆的背面来减少厚度，从而实现薄型化。3.在这种背面研磨工序中，随着温度上升会产生剪切及压缩应力(振动、冲击等)，为了保护晶圆的表面，在粘附有晶圆处理用粘结膜的状态下进行晶圆的背面研磨工序。4.一般情况下，作为公知的晶圆的背面研磨工序方法，主要适用：先研磨晶圆背面，然后根据芯片尺寸分割薄膜化晶圆的过去一直使用的方法(预(先)研磨法)，以及在晶圆中预先形成槽，然后通过研磨背面来切割芯片的最近使用的方法(“预切割法”或“先划片后减薄法(dbg，dicingbeforegrinding)”)等。5.当通过预研磨法研磨背面时，晶圆背面研磨用粘结膜典型地适用了具有软质的基材及在基材的一侧面与晶圆粘附的粘结层，或具有硬质的基材及在基材的一侧面与晶圆粘附的粘结层，同时具有在粘结层的反面能够缓和冲击的软质的缓冲层的形态。但是，若使用软质的基材或作为基材层使用硬质的基材和软质的缓冲层，则降低晶圆背面研磨用粘结膜整体的强度，当晶圆背面研磨用粘结膜粘附于晶圆时，由于施加的张力没有得到解除而在膜上留下残留应力。在残留这种应力的状态下，当通过预研磨法薄膜化晶圆时，由于残留应力在研磨完成的晶圆上沿着粘附粘结膜的方向产生卷曲(curl)，之后在分割晶圆时，无法吸附在用于固定晶圆的夹具，从而无法进行分割工序。进而，在卷曲非常严重的情况下，晶圆本身可能会破损。6.另一方面，当通过预切割法研磨背面时，在切割芯片后会施加在研磨工序中产生的剪切应力。芯片可在剪切应力的影响下因粘结层的流动性而移动，并且由于芯片的移动，可能会芯片相互碰撞而产生裂纹(crack)缺陷。7.尤其是近年来引进了利用激光束将晶圆分割成各个设备芯片的技术“研磨前隐形切割(sdbg，stealthdbg)工艺”，随着在芯片切割后芯片之间的距离(也称为“切口宽度(kerfwidth)”)变得非常窄，抑制芯片的移动在技术上变得重要。技术实现要素：8.本发明的目的在于，提供一种晶圆处理用粘结膜，在晶圆背面研磨工序中的晶圆的表面的保护效果(缓冲效果)优秀，同时通过减少或消除工序中产生的应力(剪切应力)来防止晶圆的破损，通过抑制因残留应力而沿着晶圆上粘附粘结膜的方向产生的卷曲(curl)，同时防止切割的半导体芯片(chip)的移动或碰撞及产生裂纹(crack)的现象，从而加工性非常优秀。9.本发明的目的并不限定于以上所提及的目的，未提及的本发明的其他目的及优点可通过如下说明来理解，可通过本发明实施例来更清楚地理解。并且，可知本发明的目的及优点可通过发明要求保护范围中所示的方案及其组合来实现。10.用于解决上述的技术问题的本发明一实施方式的晶圆处理用粘结膜，可包括：多层基材，包括上部基材层及下部基材层；第一粘结层，配置于上述上部基材层上；以及第二粘结层，配置于上述上部基材层与下部基材层之间，上述晶圆处理用粘结膜可满足70～150mpa范围的拉伸强度，上述第一粘结层及第二粘结层可满足如下式1及式2。11.式1：0.2≤c1/c2≤1.412.在上述式1中，c1是在30℃的温度条件下的第一粘结层的蠕变量(μm)，c2是在30℃的温度条件下的第二粘结层的蠕变量(μm)。13.式2：0.2≤c1′/c2′≤1.414.在上述式2中，c1′是在60℃的温度条件下的第一粘结层的蠕变量(μm)，c2′是在60℃的温度条件下的第二粘结层的蠕变量(μm)。15.在上述式1及式2中，上述c1及c1′可以是30μm至200μm，c2及c2′可以是50μm至350μm。16.上述第一粘结层和第二粘结层的厚度之和可以是20μm至150μm。17.上述第一粘结层可由紫外线固化粘结组合物形成。18.上述第二粘结层可由热固性粘结组合物形成。19.在30℃及60℃的温度条件下的上述第二粘结层的剪切储能模量可以是0.02～1.0mpa。20.上述下部基材层及上部基材层分别可包括选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二酯、全芳族聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯、聚缩醛、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚砜、聚醚酮及双向拉伸聚丙烯组成的组中的一种以上，更优选地，可由聚对苯二甲酸乙二醇酯材料形成。21.在上述上部基材层的上部面、上述上部基材层的下部面及上述下部基材层的上部面中的至少一面还可包括底漆层。22.当将本发明的晶圆处理用粘结膜适用于晶圆的背面研磨工序时，晶圆的表面的保护效果(缓冲效果)优秀。23.本发明的晶圆处理用粘结膜可通过减少或抑制在背面研磨工序中产生的应力来防止晶圆的破损。24.本发明的晶圆处理用粘结膜可抑制因残留应力而沿着晶圆上粘附粘结膜的方向产生的卷曲(curl)，可通过防止切割的半导体芯片(chip)的移动或碰撞及产生裂纹的现象来提高晶圆加工性及制备的半导体芯片的质量。25.本说明书的效果并不限定于以上所提及的效果，未提及的其他效果可由普通技术人员从如下的记载中清楚地理解。以下，将在描述用于实施本发明的具体细节的同时描述上述效果和本发明的具体效果。附图说明26.图1为简要示出本发明一实施方式的晶圆处理用粘结膜的剖视图。27.图2为简要示出本发明的另一实施方式的晶圆处理用粘结膜的剖视图。28.图3是用于简要说明本发明的实验例5中的芯片(chip)之间的距离(＝切口宽度)测定方法的示意图。29.附图标记的说明30.100：晶圆处理用粘结膜31.110：基材32.111：下部基材层33.112：上部基材层34.113：底漆层35.115：第二粘结层36.120：第一粘结层。具体实施方式37.将参照附图对前述的目的、特征及优点进行详细说明，由此，本发明所属

技术领域

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：的普通技术人员可容易地实施本发明的技术思想。在说明本发明的过程中，若判断为对与本发明相关的公知技术的具体说明可能不必要地混淆本发明的主旨，则省略详细说明。如下，参照附图，对本发明的优选实施例进行详细的说明。在附图中，相同的附图标记用于表示相同或类似的结构要素。38.在本说明书中，任意结构配置于结构要素的“上部(或下部)”或结构要素的“上(或下)”不仅意味着任意结构与上述结构要素的上部面(或下部面)相接触的配置，还意味着其他结构可介于上述结构要素与配置于上述结构要素上(或下)的任意结构之间。39.除非本说明书中另有明确的提及，否则在本说明书中所使用的单数表达包括复数表达。在本技术中，“由……组成”或“包括”等术语不应被解释为必须包括说明书中记载的所有各种结构要素，应解释为可不包括其中部分结构要素，或还可包括额外的结构要素。40.在本说明书中，“一侧面”、“另一侧面”、“两侧面”等术语用于区分某个结构要素与其他结构要素，结构要素并不受限于上述术语。41.本说明书的记载中，“(甲基)丙烯酸酯”是作为包含“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”的术语而使用，对于与其类似的术语也相同。42.以下，在说明本发明的过程中，省略对不必要地混淆本发明的主旨的相关的公知技术的详细说明。43.图1为简要示出本发明实施例的晶圆处理用粘结膜100的剖视图。参照图1，本发明的晶圆处理用粘结膜，包括：多层基材110；第一粘结层120，配置于多层基材的上部基材层112上；以及第二粘结层115，配置于上述上部基材层112与下部基材层111之间。44.第一粘结层120可粘附于晶圆表面起到固定晶圆的作用，第二粘结层115可配置于上部基材层112与下部基材层111之间，作用为缓和在背面研磨时施加的振动及冲击的缓冲层。45.尤其，本发明人潜心研究的结果，确认了可通过将上部基材层112与下部基材层111形成为刚性基材来增加晶圆处理用粘结膜100的拉伸强度，从而抑制在背面研磨工序中的残留应力，并且第二粘结层115可缓和在背面研磨工序中产生的冲击。但是，若晶圆处理用粘结膜100的拉伸强度过高，则可成为无法使用在背面研磨工序中的过硬的结构。考虑到这一点，本发明的晶圆处理用粘结膜100的拉伸强度优选为70～150mpa，更优选为70～120mpa，最优选为70～100mpa。46.并且，在本发明中还通过实验确认了可通过适当调节第一粘结层120与第二粘结层115的流动程度来解决在背面研磨工序中应力导致切割的半导体芯片移动的问题和半导体芯片之间碰撞而产生裂纹的现象的问题，从而显著提高工艺性。47.具体地，作为用于调节第一粘结层120与第二粘结层115的流动程度的手段，可分别在30℃及60℃(在背面研磨工序中上升的最高温度)的温度条件下测定第一粘结层120及第二粘结层115各自的蠕变量(单位：μm)，使得这些比例属于特定范围，优选地，可满足如下式1及式2的范围。48.式1：0.2≤c1/c2≤1.449.在上述式1中，c1是在30℃的温度条件下的第一粘结层的蠕变量(μm)，c2是在30℃的温度条件下的第二粘结层的蠕变量(μm)。50.式2：0.2≤c1'/c2'≤1.451.在上述式2中，c1'是在60℃的温度条件下的第一粘结层的蠕变量(μm)，c2'是在60℃的温度条件下的第二粘结层的蠕变量(μm)。52.在本发明中，将用于形成测定对象粘结层的粘结组合物涂覆于聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)，在100℃的温度条件下干燥4分钟后，在保持40℃的温度及50％的相对湿度条件的恒温恒湿装置中，通过进行3天老化来制备用于测定蠕变量的粘结层样品。之后，将制备的粘结层样品切割成15mm×120mm的大小，将其粘附到蠕变量测定用被粘物(不锈钢(sus)，玻璃(glass)等)，使粘附面积为15mm×15mm，并利用万能物性分析仪(装置名：ta.xtplus_stablemicrosystems)，在30℃及60℃的温度环境下，当施加1.5kg的力1000秒时，将粘结层沿着施加力的方向变形的长度(μm)作为蠕变量。53.并且，对于上述式1及式2中的c1、c2、c1'及c2'的值，优选地，与第一粘结层相关的上述c1及c1'可以是30～200μm，更优选地，可以是30～160μm，最优选地，可以是70～160μm。并且，优选地，与第二粘结层相关的上述c2及c2'可以是50～350μm，更优选地，可以是50～320μm，最优选地，可以是80～320μm。54.当上述式1及式2中的c1、c2、c1'及c2'的值分别小于优选的下限值时，意味着粘结层本身的凝聚力非常高，因此，对于被粘物的密着力降低，对于剪切应力的抗性降低，进而，当与第二粘结层相关的c2及c2'小于下限值时，第二粘结层的剪切储能模量变得过高，存在不能充分发挥作为缓冲层的功能的问题，另一方面，当其大于优选的上限值时，粘结层的流动性增加，从而可产生芯片的移动及由此导致的裂纹缺陷问题。55.本发明的第一粘结层120和第二粘结层115的厚度并不受限，但可分别具有10～100μm的范围内的厚度。56.并且，第一粘结层120和第二粘结层115的厚度之和可以是20～150μm，更优选地，可以是80～150μm。当第一粘结层120和第二粘结层115的厚度之和小于20μm时，可存在因不能吸收由剪切应力引起的振动及冲击而产生裂纹缺陷的问题，当第一粘结层120和第二粘结层115的厚度之和大于150μm时，可存在因蠕变量的增加而导致芯片的移动及由此产生裂纹缺陷的问题。57.如下，对晶圆背面研磨用粘结膜的各层进行详细说明。58.多层基材59.多层基材110包括：下部基材层111、上部基材层112及第二粘结层115。第一粘结层120配置于上部基材层112上，第二粘结层115配置于下部基材层111与上部基材层112之间。在本发明的晶圆处理用粘结膜中，多层基材具有第二粘结层115配置于下部基材层111与上部基材层112之间的三明治结构。60.下部基材层111和上部基材层112可由具有高拉伸弹性模量的材料形成。更具体地，下部基材层111及上部基材层112可具有1000mpa以上的拉伸弹性模量，例如，1200mpa以上、1500mpa以上、2000mpa以上，最优选为3000mpa以上。61.当上部基材层112及下部基材层111的拉伸弹性模量相对低，小于1000mpa时，由于晶圆或切割的半导体芯片的支撑力较低，因此在背面研磨工序中半导体芯片有可能发生碰撞。62.在本发明中，不仅仅是晶圆粘结侧的上部基材层112，下部基材层111也适用刚性基材，从而可使晶圆处理用粘结膜的拉伸强度满足70mpa以上，当拉伸强度为70mpa以上时，可通过对背面研磨工序中强应力具有抗性来提高工艺性。63.下部基材层111及上部基材层112分别可包括选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸丁二酯(pbt)、全芳族聚酯等的聚酯、聚酰亚胺(pi)、聚酰胺(pa)、聚碳酸酯(pc)、聚缩醛、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚砜、聚醚酮、双向拉伸聚丙烯(orientedpoly-propylene)组成的组中的一种以上。64.优选地，下部基材层111与上部基材层112可以由相同的材料形成。例如，上述下部基材层111及上部基材层112可以由具有3000mpa以上的拉伸弹性模量的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)材料形成。65.下部基材层111及上部基材层112可具有相同的厚度，但并不限定于此。下部基材层111及上部基材层112可分别具有约10～150μm的厚度。另一方面，在本发明中，由于下部基材层111及上部基材层112具有高的拉伸弹性模量，因此在下部基材层111及上部基材层112，尤其是上部基材层112的厚度太厚时，可能会容易受到背面研磨工序中产生的冲击。为此，优选地，可将下部基材层111及上部基材层112的厚度分别设定为约150μm以下。66.另一方面，根据需要，下部基材层111和/或上部基材层112可包括少量的各种添加剂，如耦合剂、可塑剂、防静电剂、抗氧化剂等。67.第一粘结层68.在图1中第一粘结层120是与晶圆粘结的部分。第一粘结层120只要是在常温条件下具有适当的粘结性就没有特别限定，能够以各种方式适用公知的紫外线固化粘结组合物。69.例如，第一粘结层由包含丙烯酸类、聚氨酯类、橡胶类、硅类粘结树脂的粘结组合物等形成，优选地，可由包含紫外线固化丙烯酸类粘结树脂的粘结组合物(丙烯酸类粘结组合物)形成。70.上述紫外线固化丙烯酸类粘结树脂可以是通过聚合至少包含(甲基)丙烯酸烷基酯的单体来制备，作为上述单体的例示包含(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸正戊酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸正庚酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸2-乙基己酯，丙烯酸4-甲基-2-戊酯等，(甲基)丙烯酸烷基酯可包含1种或2种以上。71.根据需要，为了调节丙烯酸类粘结组合物的粘结特性，除了(甲基)丙烯酸烷基酯单体之外，可通过还包含含官能团的单体来聚合。上述官能团的例包含羟基、羧基、氨基、环氧基等。72.含羟基的单体包含(甲基)丙烯酸羟烷基酯，如(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸-3-羟丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟丁酯、(甲基)丙烯酸-3-羟丁酯、(甲基)丙烯酸-4-羟丁酯等，或不饱和醇，如乙烯醇、烯丙醇等。73.当通过包含含官能团的单体来聚合的丙烯酸类粘结组合物时，也可通过进一步反应具有光聚合性不饱和基的化合物来制备。具有不饱和基的化合物是具有可与丙烯酸类粘结组合物中的官能团键合的取代基及光聚合性不饱和基的化合物。光聚合性不饱和基可例举(甲基)丙烯酰基、乙烯基、烯丙基、乙烯基苄基等，优选地，例举(甲基)丙烯酰基。74.并且，在具有不饱和基的化合物中，可与官能团键合的取代基包含异氰酸酯及缩水甘油基等。例如，具有不饱和基的化合物包含(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰异氰酸酯及(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。75.第一粘结组合物还可包含交联剂、光聚合引发剂中的一种以上。76.紫外线固化交联剂包含异氰酸酯类交联剂，如甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯等，或环氧交联剂，如乙二醇缩水甘油醚等，或氮丙啶类交联剂，如六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷三嗪等，或螯合物类交联剂，如铝螯合物等。[0077]光聚合引发剂包含苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、酰基氧化膦化合物、二茂钛化合物、噻吨酮化合物及过氧化物化合物，其例包含1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苄基苯硫醚、四甲基秋兰姆一硫化物、偶氮二异、二苄基、二乙酰基、8-氯蒽醌、双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦等。[0078]对第一粘结层120的厚度没有特别限制，例如可以为10～100μm左右。[0079]图2为简要示出本发明的一实施例的晶圆处理用粘结膜100的剖视图。[0080]参照图2，在多层基材的上部基材层112的上部面还可包括底漆层113。这种底漆层113可用于提高第一粘结层120与多层基材110之间的粘附力。[0081]底漆层113可作为单独的层形成在上部基材层112的上部面，即，在形成第一粘结层120的面。作为另一例，底漆层113可通过对上部基材层112的上部面进行改性来形成。[0082]在图2中示出了底漆层113形成在上部基材层112的上部面的例，但本发明并不限定于此，也可在上部基材层112的下部面或下部基材层111的上部面形成底漆层。[0083]尽管在图2中未示出，但还可包括设置在第一粘结层的上部面并通过上述粘结层粘结的离型膜。可对上述离型膜的一侧面进行离型处理。上述离型处理只要是在本领域通常用于离型处理的物质，可不受限制地使用，例如，优选地，用硅酮进行离型处理。[0084]第二粘结层[0085]在本发明中，第二粘结层115是配置于上部基材层112与下部基材层111之间的粘结层，可在晶圆加工时作为缓冲效果高的缓冲层或冲击吸收层，起到保护晶圆表面的功能。[0086]本发明的第二粘结层可由热固性树脂组合物形成，可适用各种公知热固性粘结组合物，优选地，可使用包含热固性丙烯酸类粘结树脂的粘结组合物。[0087]上述热固性丙烯酸类粘结树脂是可通过聚合包含碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯的单体来制备，根据需要，为了调节粘结特性，除了(甲基)丙烯酸烷基酯单体之外，可通过还包含含官能团的单体来聚合。上述官能团的例包含羟基、羧基、氨基、环氧基等。[0088]作为可利用在热固性丙烯酸类粘结组合物的丙烯酸酯化合物包含(甲基)丙烯酸酯、如烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯等(甲基)丙烯酸烷基酯、非-氨基甲酸乙酯类多官能(甲基)丙烯酸酯等，但并不限定于此。[0089]上述第二粘结组合物还可包含热固化剂，例如可包含异氰酸酯类热固化剂、碳二亚胺类热固化剂、恶唑啉类热固化剂、环氧类热固化剂、氮丙啶类热固化剂及过氧化物类热固化剂等，但并不限定于此。[0090]相对于100重量份的第二粘结组合物的粘结树脂，可包含2重量份以下的热固化剂，但并不一定限定于此。[0091]另一方面，由于第二粘结层115起到缓冲层的功能，因此，剪切储能模量越低，缓冲效果就越优秀，从而可有效地保护晶圆的表面。相反，在具有低剪切储能模量的缓冲层的情况下，可产生由于在背面研磨工序中的温度上升而使得缓冲层在高温条件下流动或厚度不均匀的问题。考虑到这种问题，优选地，在30℃及60℃的温度条件下的第二粘结层115的剪切储能模量可以为0.02～1.0mpa，更优选地，可以为0.02～0.5mpa，最优选地，可以为0.02～0.2mpa。[0092]上述第二粘结层115可具有10℃以下的玻璃转化温度(tg)，优选地，可具有-35～10℃之间的玻璃转化温度，更优选地，可具有-30～8℃之间的玻璃转化温度。由于这种第二粘结层的低玻璃转化温度，可具有强的粘结力，因此，即使将晶圆背面研磨工序的温度从常温上升到最高90℃，也可以防止上部基材层112与下部基材层111分离的现象。但是，当具有低于-35℃温度条件的过低的玻璃转化温度时，由于可在晶圆背面研磨工序中产生的热量和压力而使得第二粘结组合物流动，从而污染晶圆。[0093]以下，通过本发明的优选实施例来更详细地说明本发明的结构及作用。但是，这是作为本发明的优选示例提出的，并在任何意义上都不能解释为限制了本发明。未在此记载的内容只要是本

技术领域

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：的普通技术人员可充分地在技术上类推，因此省略其说明。[0094]制备例1：粘结组合物a1的制备[0095]将由27克丙烯酸正丁酯(ba)、48克丙烯酸甲酯(ma)及25克丙烯酸羟乙酯(hea)组成的单体混合物放入反应器中，在上述反应器中通过设置冷却装置来使得氮气回流且容易调节温度。[0096]接下来，在100重量份的上述单体混合物中放入作为溶剂的100重量份的乙酸乙酯(eac)，为了去除上述反应器内的氧气，注入氮气且在30℃的温度条件下充分混合30分钟以上。之后，将温度上升至50℃并保持，作为反应引发剂放入0.1重量份浓度的偶氮二异，开始进行反应之后，通过聚合24小时来制备第一反应物。[0097]将24.6重量份的2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(moi)及相对于moi的1重量份的催化剂(二月桂酸二丁基锡(dbtdl：dibutyltindilaurate))与上述第一反应物配合，通过在40℃的温度条件下反应24小时来得到重均分子量为60万的丙烯酸类树脂。[0098]将作为光引发剂的0.1重量份的irgacure184(basf公司制造，商品名)与通过上述操作得到的聚合液(丙烯酸类聚合物，含量：100重量份)配合，并添加2重量份的异氰酸酯类交联剂(日本聚氨酯工业株式会社(nipponpolyurethanekogyoco.，ltd.)制备，商品名“coronatec”)，得到粘结组合物a1。[0099]制备例2：粘结组合物a2的制备[0100]在粘结组合物a1的制备过程中，除了变更为由45克丙烯酸正丁酯(ba)、30克丙烯酸甲酯(ma)及25克丙烯酸羟乙酯(hea)组成的单体混合物，并将异氰酸酯类交联剂(“coronatec”)变更为1重量份之外，以与粘结组合物a1相同的方式制备。[0101]制备例3：粘结组合物b1的制备[0102]将由33克丙烯酸正丁酯(ba)、50克丙烯酸甲酯(ma)、10克丙烯酸羟乙酯(hea)及10克丙烯酸2-乙基己酯(eha)组成的单体混合物放入反应器中，在上述反应器中通过设置冷却装置来使得氮气回流且容易调节温度。[0103]接下来，在100重量份的上述单体混合物中放入作为溶剂的100重量份的乙酸乙酯(eac)，为了去除上述反应器内的氧气，注入氮气且在30℃的温度条件下充分混合30分钟以上。之后，将温度上升至50℃并保持，作为反应引发剂放入0.1重量份浓度的偶氮二异，开始进行反应之后，通过聚合24小时来得到平均分子量为50万的丙烯酸类树脂。[0104]在通过上述操作得到的聚合液(丙烯酸类聚合物，含量：100重量份)中添加1.5重量份的异氰酸酯类交联剂(日本聚氨酯工业株式会社(nipponpolyurethanekogyoco.，ltd.)制备，商品名“coronatec”)，得到粘结组合物b1。[0105]制备例4：粘结组合物b2的制备[0106]在粘结组合物a1的制备过程中，除了变更为由50克丙烯酸正丁酯(ba)、20克丙烯酸甲酯(ma)、8克丙烯酸羟乙酯(hea)及22克丙烯酸-2-乙基己酯(eha)组成的单体混合物，并将异氰酸酯类交联剂(“coronatec”)变更为0.5重量份之外，以与粘结组合物a1相同的方式制备。[0107]实施例1[0108]将制备例1的粘结组合物a1以30μm的厚度涂覆在离型处理的pet(聚对苯二甲酸乙二醇酯膜，厚度为50μm)上，然后通过将50μm厚度的双向拉伸pet膜(上部基材层)粘合来制备具有130μm厚度的第一粘结层的复合膜。[0109]接下来，将制备例3的粘结剂组合物b1以50μm的厚度涂覆在厚度为25μm的双向拉伸pet膜(下部基材层)上，制备具有75μm厚度的第二粘结层的复合膜。[0110]通过将具有上述第一粘结层的复合膜与具有第二粘结层的复合膜粘合来制备总厚度为205μm的晶圆处理用粘结膜。[0111]实施例2至实施例9及比较例1至比较例5[0112]以与实施例1相同的方法制备晶圆处理用粘结膜，如以下表1至表3所示，通过变更粘结组合物的种类和厚度、上部基材层和下部基材层的种类及厚度来制备实施例2至实施例9及比较例1至比较例5各自的晶圆处理用粘结膜。[0113]实验例1：基材层的拉伸弹性模量及晶圆处理用粘结膜的拉伸强度[0114]对于实施例1至实施例9及比较例1至比较例5的上部基材层、下部基材层的拉伸弹性模量及晶圆处理用粘结膜的拉伸强度，通过制备15mm×200mm大小的试片来利用万能材料试验机设备(设备名：5566a_instron)在200mm/分钟的速度条件下进行测定，并表示在如下的表1至表3中。[0115]实验例2：第二粘结层的剪切储能模量[0116]实施例1至实施例9及比较例1至比较例5的第二粘结层的剪切储能模量是通过将制备例3及制备例4的粘结组合物层叠来制备成直径为8mm、厚度为500μm的圆形试片，设置测定温度为0～80℃、升温速度为10/分钟、测定频率为0.796hz，用剪切储能模量测定设备(设备名：aresg2_tainstruments)进行测定，并表示在如下的表1至表3中。[0117]实验例3：蠕变量[0118]将实施例1至实施例9及比较例1至比较例5的第一粘结组合物及第二粘结组合物分别制备成样品，测定蠕变量。上述样品是将用于形成测定对象粘结层的粘结组合物按照如下表1至表3中记载的第一粘结层及第二粘结层的厚度涂覆在聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)被粘物上，在100℃的温度条件下干燥4分钟，然后通过在保持40℃的温度及50％的相对湿度的恒温恒湿装置中老化3天来制备。之后，将制备的粘结层样品裁剪为15mm×120mm的大小，以15mm×15mm的粘附面积粘附于蠕变量测定用被粘物，利用万能物性分析仪(设备名：ta.xtplus_stablemicrosystems)在30℃及60℃的温度环境下，当施加1.5kg的力1000秒时，将粘结层沿着施加力的方向变形的长度(μm)作为蠕变量，并表示在如下的表1至表3中。[0119]实验例4：背面研磨工序[0120]在具有直径为8英寸，厚度为775μm的晶圆的半导体电路面上，利用切割分割(锯切；sawing)装置(设备名：dfd6341_disco)，用具有32.5宽度的刀刃以5mm×5mm的尺寸进行半切割(预切割)后，粘附(设备名：dt-ecs2030-sl_dynatech)实施例1至实施例9及比较例1至比较例5的晶圆处理用粘结膜。之后，实施了背面研磨工序(设备名：dgp8760_disco)，直到晶圆的厚度达到50μm为止。在背面研磨工序后，将切割胶带粘附于粘附有晶圆处理用粘结膜的晶圆背面后，对晶圆处理用粘结膜面照射300mj/cm2的紫外线a，然后，通过去除晶圆处理用粘结膜来得到切割的晶圆芯片。[0121]实验例5：测定芯片(chip)之间的距离(＝切口；kerf)[0122]在上述实验例4中，当将任意晶圆芯片的4个角聚集在粘附于切割胶带的切割的晶圆上的地点作为测定位置p时，将在p周围的4个芯片中相邻的芯片之间的距离称为l(测定每个p的4个芯片之间的距离，l1～l4)。每个晶圆选定12处任意p(p1至p12)，并测定l1至l48(详细的测定方法参照图3)。在此情况下，将l1至l48中最大的值与最小的值的差定义为芯片之间的距离变化(＝切口变化)。测定实施例1至实施例9及比较例1至比较例5的晶圆处理用粘结膜的切口变化，并表示在如下的表1至表3中。[0123]实验例6：芯片(chip)之间的裂纹产生率[0124]在上述实验例4中，通过显微镜观察粘附于切割胶带的芯片来观察裂纹。裂纹产生率意味着在切割的所有晶圆芯片中产生裂纹的芯片的百分比，通过如下的式3来定义并计算，并表示在如下的表1至表3中。[0125]式3：裂纹产生率(％)＝(产生裂纹的晶圆芯片数量/总晶圆芯片数量)×100(％)[0126]实验例7：卷曲(curl)测定[0127]在具有直径为8英寸，厚度为775μm的晶圆的半导体电路面上粘附(设备名：dt-ecs2030-sl_dynatech)实施例1至实施例9及比较例1至比较例5的晶圆处理用粘结膜。之后，实施了背面研磨工序(设备名：dgp8760_disco)，直到晶圆的厚度达到50μm为止。[0128]在背面研磨工序之后，将粘附有粘结膜的晶圆置于温度为25℃、相对湿度为50％的环境下的水平平台上，凸出的部分与平台相接触，利用尺子测定从水平平台上翘到最高位置的高度，将其长度定义为卷曲(curl)。若卷曲的长度为10mm以下，则评价为良好(○)，若超过10mm，则评价为不良(×)，将其在如下的表1至表3中示出。[0129]表1[0130][0131][0132]表2[0133][0134][0135]上述表1及表2的“pi”及“pen”意味着聚酰亚胺(polyimide)及聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate)。[0136]表3[0137][0138][0139]上述表3的“eva”及“pe”意味着乙烯醋酸乙烯酯(ethylenevinylacetate)及聚乙烯(polyethylene)。[0140]如上所述，虽然参照例示的附图对本发明进行了说明，但本发明并不受在本说明书中公开的实施例和附图的限制，显而易见的是，普通技术人员可在本发明的技术思想的范围内实现多种变形。而且，即使在先说明本发明实施例时没有明确记载说明对本发明的结构的作用效果，但也应该认可能够通过相应结构预测的效果。当前第1页12当前第1页12

技术特征：

1.一种晶圆处理用粘结膜，其特征在于，包括：多层基材，包括上部基材层及下部基材层；第一粘结层，配置于上述上部基材层上；以及第二粘结层，配置于上述上部基材层与下部基材层之间，上述晶圆处理用粘结膜满足如下式1及式2，且拉伸强度为70～150mpa：式1：0.2≤c1/c2≤1.4，在上述式1中，c1是在30℃的温度条件下的第一粘结层的蠕变量，c2是在30℃的温度条件下的第二粘结层的蠕变量，上述蠕变量的单位为μm式2：0.2≤c1'/c2'≤1.4，在上述式2中，c1'是在60℃的温度条件下的第一粘结层的蠕变量，c2'是在60℃的温度条件下的第二粘结层的蠕变量，上述蠕变量的单位为μm。2.根据权利要求1所述的晶圆处理用粘结膜，其特征在于，上述c1及c1'分别是30～200μm。3.根据权利要求1所述的晶圆处理用粘结膜，其特征在于，上述c2及c2'分别是50～350μm。4.根据权利要求1所述的晶圆处理用粘结膜，其特征在于，上述第一粘结层和第二粘结层的厚度之和是20～150μm。5.根据权利要求1所述的晶圆处理用粘结膜，其特征在于，上述下部基材层及上部基材层分别包括选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二酯、全芳族聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯、聚缩醛、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚砜、聚醚酮及双向拉伸聚丙烯组成的组中的一种以上。6.根据权利要求5所述的晶圆处理用粘结膜，其特征在于，上述下部基材层及上部基材层由聚对苯二甲酸乙二醇酯材料形成。7.根据权利要求1所述的晶圆处理用粘结膜，其特征在于，上述第一粘结层由紫外线固化粘结组合物形成。8.根据权利要求1所述的晶圆处理用粘结膜，其特征在于，上述第二粘结层由热固性粘结组合物形成。9.根据权利要求1所述的晶圆处理用粘结膜，其特征在于，在上述上部基材层的上部面、上述上部基材层的下部面及上述下部基材层的上部面中的至少一面还包括底漆层。10.根据权利要求1所述的晶圆处理用粘结膜，其特征在于，在30℃及60℃的温度条件下的上述第二粘结层的剪切储能模量是0.02～1.0mpa。

技术总结

本发明的晶圆处理用粘结膜，包括：多层基材，包括上部基材层及下部基材层；第一粘结层，配置于上述上部基材层上；以及第二粘结层，配置于上述上部基材层与下部基材层之间，上述晶圆处理用粘结膜满足70～150MPa范围的拉伸强度，并通过调节上述第一粘结层及第二粘结层的流动性，减少或消除在背面研磨工序中产生的应力(剪切应力)，从而防止晶圆的破损，抑制卷曲，并通过防止切割的半导体芯片的移动或碰撞及产生裂纹的现象使得工艺性非常优秀。产生裂纹的现象使得工艺性非常优秀。产生裂纹的现象使得工艺性非常优秀。