MEMS埋容埋阻封装载板及其制作工艺

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114466512 A (43)申请公布日 2022.05.10

(21)申请号 CN202111601910.1

(22)申请日 2021.12.24

(71)申请人江苏普诺威电子股份有限公司

地址 215300 江苏省苏州市昆山市千灯镇宏洋路322号

(72)发明人马洪伟张志礼

(74)专利代理机构

代理人

(51)Int.CI

H05K1/14

H05K1/18

H05K3/46

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

MEMS埋容埋阻封装载板及其制作工艺

(57)摘要

本发明涉及一种MEMS埋容埋阻封装载板及其制作工艺，包括如下步骤：准备三张芯板，分别为第一芯板、第二芯板和第三芯板；第一芯板的内层线路；第一芯板的压合；第二芯板的蚀刻和压膜；胶片板的开槽；第三芯板的内层线路；第三芯板的压合；多层板的压合；开盖：对半成品板进行钻孔镀铜、外层线路、防焊、表面处理后，在第三芯板上进行镭射开盖处理形成声孔，而得到成品封装载板。本发明得到的封装载板不仅实现了埋电容、埋电阻的功能，而且在不增加器件本身体积的条件下增加了背腔的体积，提高了产品的灵敏度和信噪比，符合器件微型化的发展趋势。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-05-10	公开	发明专利申请公布
2022-05-27	实质审查的生效IPC(主分类):H05K 1/14专利申请号:2021116019101申请日:20211224	实质审查的生效
2023-08-22	授权	发明专利权授予