(19)中华人民共和国国家知识产权局
| (12)发明专利说明书 | |
| (10)申请公布号 CN 110620329 A (43)申请公布日 2019.12.27 |
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(21)申请号 CN201910994604.5
(22)申请日 2019.10.18
(71)申请人 华东师范大学重庆研究院
地址 401123 重庆市渝北区卉竹路2号1号楼1-2层1、2号房
(72)发明人 曾和平 马艳颖 袁帅 聂源 王瑾 王勇 沈嘉伟
(74)专利代理机构 重庆博凯知识产权代理有限公司
代理人 黄河
(51)Int.CI
(54)发明名称
(57)摘要
本发明涉及超快光学应用技术领域，具体涉及用于量子级联激光器的太赫兹可饱和吸收装置，包括基底芯片，包括基底层，以及镀于所述基底层表面的GST膜层；所述GST膜层在基底层的表面形成GST可饱和吸收部；驱动源部，与基底层电连接，用于输出定向电压驱动基底层中的载流子迁移，以改变GST可饱和吸收部对太赫兹波的吸收率，使得GST可饱和吸收部能够增强对低能量太赫兹波的吸收率，且减弱对高能量太赫兹波的吸收率，对太赫兹波进行可饱和吸收。本发明的太赫兹可饱和吸收器能够更好的配合量子级联激光器，且能够对太赫兹进行可饱和吸收，能够辅助量子级联激光器实现输出太赫兹辐射脉冲窄化，并兼顾提升太赫兹波的吸收效果。 | |
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法律状态
权 利 要 求 说 明 书
1.用于量子级联激光器的太赫兹可饱和吸收装置，其特征在于，包括：
基底芯片，包括基底层，以及镀于所述基底层表面的GST膜层；所述GST膜层在基底层的表面形成GST可饱和吸收部；
驱动源部，与基底层电连接，用于输出定向电压驱动基底层中的载流子迁移，以改变GST可饱和吸收部对太赫兹波的吸收率，使得GST可饱和吸收部能够增强对低能量太赫兹波的吸收率，且减弱对高能量太赫兹波的吸收率，对太赫兹波进行可饱和吸收。
2.如权利要求1所述的用于量子级联激光器的太赫兹可饱和吸收装置，其特征在于：所述GST膜层镀于所述基底层解理面的表面，以在基底层解理面的表面形成GST可饱和吸收部。
3.如权利要求1所述的用于量子级联激光器的太赫兹可饱和吸收装置，其特征在于：所述基底层的表面具有垂直于所述基底层解理面布置的脊条槽，以及垂直于所述基底层解理面布置的级联波导层。
4.如权利要求3所述的用于量子级联激光器的太赫兹可饱和吸收装置，其特征在于：所述驱动源部包括驱动电源，所述驱动电源的正极端与基底层电连接，负极端与级联波导层连接。
5.如权利要求4所述的用于量子级联激光器的太赫兹可饱和吸收装置，其特征在于：还包括用于采集GST可饱和吸收部的太赫兹波吸收结果的反馈信号采集部；
所述驱动源部还包括与所述反馈信号采集部输出端连接的反馈控制电路，用于根据GST可饱和吸收部的太赫兹波吸收结果生成调制信息，并通过调制信息控制驱动电源输出对应的强度的定向电压。
6.如权利要求5所述的用于量子级联激光器的太赫兹可饱和吸收装置，其特征在于：所述反馈信号采集部包括放大器，以及与放大器负极端连接的稳压电阻；所述放大器的正极端与GST可饱和吸收部电连接，输出端与反馈控制电路的输入端电连接。
7.如权利要求1所述的用于量子级联激光器的太赫兹可饱和吸收装置，其特征在于：所述基底层为砷化镓芯片、高阻硅、氮化硅或石墨烯。
8.如权利要求1所述的用于量子级联激光器的太赫兹可饱和吸收装置，其特征在于：所述GST膜层为镀于基底层表面的Ge-Sb-Te材料。
9.如权利要求8所述的用于量子级联激光器的太赫兹可饱和吸收装置，其特征在于：所述GST膜层通过磁控溅射的方式镀于基底层表面。
10.如权利要求8述的用于量子级联激光器的太赫兹可饱和吸收装置，其特征在于：所述GST膜层的厚度为10nm-10μm。
说 明 书
技术领域
本发明涉及超快光学应用技术领域，具体涉及用于量子级联激光器的太赫兹可饱和吸收装置。
豫公网安备41160202000603
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