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一种镶入式电极结构[实用新型专利]

专利名称：一种镶入式电极结构

专利类型：实用新型专利

发明人：游利，张贵萍，冯昌延，周红旗申请号：CN201520170295.7

申请日：20150325

公开号：CN204577510U

公开日：

20150819

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：一种镶入式电极结构，铜极柱为三段阶梯轴，铜极柱的小端上设置有M12×1.25的外螺纹；铜极柱的中间段为6瓣梅花型结构；铜极柱大端远离中间段的端面上为同心圆密封区，同心圆密封区的中心设置有带盲孔的凸台A，同心圆密封区的表面粗糙度为1.6；铜极柱大端靠近中间段的台阶面上从下到上依次设置有下绝缘片、上绝缘片、不锈钢垫片；下绝缘片的外圈由内到外依次设置有O 型密封圈、密封挡圈；上绝缘片为两段阶梯轴，上绝缘片小端的外圈设置有铝端盖。本实用新型结构设计合理，极柱与端盖耐扭力能力强，维护方便，使用寿命长，推广应用具有良好的经济和社会效益。

申请人：靖江先锋半导体科技有限公司

地址：214500 江苏省泰州市靖江市城南开发区德裕路8号

国籍：CN

代理机构：靖江市靖泰专利事务所

代理人：陆平

本文发布于:2024-09-20 15:26:08，感谢您对本站的认可！

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