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拉晶炉、单晶硅锭的制备方法、单晶硅锭及硅片[发明专利]

专利名称：拉晶炉、单晶硅锭的制备方法、单晶硅锭及硅片专利类型：发明专利

发明人：张婉婉，文英熙，柳清超

申请号：CN201910562644.2

申请日：20190626

公开号：CN110129884A

公开日：

20190816

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供一种拉晶炉、单晶硅锭的制备方法、单晶硅锭及硅片，其中，拉晶炉用于制造单晶硅锭，包括：炉体，所述炉体内包括主炉室和与所述主炉室相连通的副炉室，所述副炉室上设有用于通入惰性气的进气口；冷却装置，所述冷却装置设置在所述炉体内，用于在拉制单晶硅锭时，对所述单晶硅锭冷却；挡板，所述挡板固定设置在所述副炉室内，并与所述进气口相对设置，用于对从所述进气口通入的惰性气体进行分流，以使得惰性气体流向所述单晶硅锭的外周面并结合所述冷却装置对所述单晶硅棒进行冷却。本发明实施例的拉晶炉能够快速的对单晶硅锭降温，提高单晶硅锭的质量。

申请人：西安奕斯伟硅片技术有限公司

地址：710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室

国籍：CN

代理机构：北京银龙知识产权代理有限公司

本文发布于:2024-09-20 14:41:30，感谢您对本站的认可！

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