基于X波段氮化镓预失真集成电路及制作方法[发明专利]

专利名称：基于X波段氮化镓预失真集成电路及制作方法专利类型：发明专利

发明人：马晓华，杨凌，芦浩，周小伟，祝杰杰，侯斌，宓珉翰，郝跃申请号：CN201810811387.7

申请日：20180723

公开号：CN110752162A

公开日：

20200204

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明涉及一种基于X波段氮化镓预失真集成电路的制作方法，该制作方法包括：制作AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，测试得到AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的输入阻抗；制作肖特基二极管，使得肖特基二极管的输出阻抗与输入阻抗共轭匹配；键合AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管与肖特基二极管，得到预失真集成电路。本发明实施例的预失真集成电路不仅在低频和窄带信号中能够有效开展，而且在高频和宽带环境下也可以有效输出功率；同时，预失真集成电路可以改善功率放大器的非线性失真，满足通信信号电磁环境模拟器对谐波和互调分量的指标要求。

申请人：西安电子科技大学

地址：710071 陕西省西安市太白南路2号

国籍：CN

代理机构：西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：闫家伟

本文发布于:2024-09-20 16:46:53，感谢您对本站的认可！

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