一种通过改变局部侧向折射率来实现基模激射的半导体激光器及其制备方法...

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114552384 A (43)申请公布日 2022.05.27

(21)申请号 CN202011359705.4

(22)申请日 2020.11.27

(71)申请人山东华光光电子股份有限公司

地址 250101 山东省济南市历下区高新区天辰大街1835号

(72)发明人陈康苏建孙春明郑兆河徐现刚

(74)专利代理机构济南金迪知识产权代理有限公司

代理人张宏松

(51)Int.CI

H01S5/20

H01S5/22

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种通过改变局部侧向折射率来实现基模激射的半导体激光器及其制备方法

(57)摘要

本发明涉及一种通过改变局部侧向折射率来实现基模激射的半导体激光器，本发明的通过改变局部侧向折射率来实现基模激射的半导体激光器在半导体激光器脊条两侧各设计一凸起结构，通过该凸起结构使得该结构下方波导区域的实际折射率变大，将传播到此处的高阶模导引到两侧波导层并损耗掉，进而使得高阶模的的泄露损耗增大，可实现大的基模光模式体积，可使得大条宽、大电流下实现稳定的基侧模工作。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-05-27	公开	发明专利申请公布
2022-06-14	实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/20专利申请号:2020113597054申请日:20201127	实质审查的生效