热批处理腔室的制作方法

热批处理腔室
1.背景
技术领域
2.本文所述的实例一般涉及半导体处理的领域，并且尤其涉及晶片的外延前(pre-epitaxial)烘烤。

背景技术：

3.在传统的半导体制造中，在通过外延处理在晶片上进行薄膜生长之前，预清洁晶片以去除诸如氧化物之类的污染物。通过在外延(epi)腔室或在炉中在氢和/或氮气氛中烘烤晶片，来执行晶片的预清洁。epi腔室已被设计为提供在设置于处理空间内的晶片上的均匀温度分布和在该晶片上的气流的精确控制。然而，epi腔室一次处理一个晶片，因而可能无法提供制造处理中所需的产量。多个炉使得能够实现批处理多个晶片。然而，多个炉不能提供设置在处理空间中的每个晶片上和/或晶片之间的均匀温度分布，因而可能无法提供制造的装置中所需的质量。
4.因此，有着对于一种处理和处理设备的需求，这种处理和处理设备能够执行多晶片批处理，同时维持晶片上和晶片之间的温度分布和气流。

技术实现要素：

5.本公开内容的实施方式包括用于在处理腔室中使用的处理配件。此处理配件包括具有上外衬垫与下外衬垫的外衬垫、内衬垫、附接于内衬垫的内表面的顶板与底板。顶板与底板连同内衬垫一起形成围护件(enclosure)，并且在此围护件内设置盒(cassette)。此盒包括多个隔板(shelves)，多个隔板被构造成用以在所述多个隔板上保存(retain)多个基板。内衬垫具有多个第一入口开口与多个第一出口开口，多个第一入口开口设置在内衬垫的注入侧上并且被构造成用以与处理腔室的气体注入组件流体连通，多个第一出口开口设置在内衬垫的排出侧上并且被构造成用以与处理腔室的排气组件流体连通。此围护件的内表面包括被构造成用以在围护件内引起黑体辐射(black-body radiation)的材料。
6.本公开内容的实施方式也包括处理腔室。此处理腔室包括：壳体结构，壳体结构具有第一侧壁和在第一方向上与第一侧壁相对的第二侧壁；耦接至第一侧壁的气体注入组件；耦接至第二侧壁的排气组件；设置在壳体结构内的石英腔室；和设置在石英腔室内的处理配件。此处理配件包括具有多个隔板的盒，多个隔板被构造成用以在所述多个隔板上保存基板。处理腔室进一步包括：多个上灯模块，设置在石英腔室的第一侧上并且被构造成用以提供辐射热至基板；多个下灯模块，设置在石英腔室的第二侧上并且被构造成用以提供辐射热至基板，第二侧在与第一方向垂直的第二方向上与第一侧相对；和升降旋转机构，被构造成用以在第二方向上移动盒和围绕第二方向旋转盒。处理配件进一步包括具有上外衬垫与下外衬垫的外衬垫、内衬垫、和附接于内衬垫的内表面的顶板与底板。顶板与底板连同内衬垫一起形成围护件，并且此盒设置在此围护件内。此围护件的内表面包括构造成用以
在围护件内引起黑体辐射的材料。内衬垫包括多个第一入口开口与多个第一出口开口，多个第一入口开口设置在内衬垫的注入侧上并且被构造成用以与气体注入组件流体连通，多个第一出口开口设置在内衬垫的排出侧上并且被构造成用以与排气组件流体连通。
7.本公开内容的实施方式进一步包括处理系统，处理系统包括处理腔室与传送机器人，传送机器人被构造成用以将基板传送进入设置在处理腔室中的处理配件和传送来自该处理配件的基板。处理腔室包括：壳体结构，壳体结构具有第一侧壁和在第一方向上与第一侧壁相对的第二侧壁；耦接至第一侧壁的气体注入组件；耦接至第二侧壁的排气组件；设置在壳体结构内的石英腔室；和设置在石英腔室内的处理配件。此处理配件包括具有多个隔板的盒，多个隔板被构造成用以在所述多个隔板上保存基板。处理腔室进一步包括：多个上灯模块，设置在石英腔室的第一侧上并且被构造成用以提供辐射热至基板；多个下灯模块，设置在石英腔室的第二侧上并且被构造成用以提供辐射热至基板，第二侧在与第一方向垂直的第二方向上与第一侧相对；和升降旋转机构，被构造成用以在第二方向上移动盒和围绕第二方向旋转盒。处理配件进一步包括具有上外衬垫与下外衬垫的外衬垫、内衬垫、和附接于内衬垫的内表面的顶板与底板。顶板与底板连同内衬垫一起形成围护件，并且此盒设置在此围护件内。此围护件的内表面包括被构造成用以在围护件内引起黑体辐射的材料。内衬垫具有多个第一入口开口与多个第一出口开口，多个第一入口开口设置在内衬垫的注入侧上并且被构造成用以与气体注入组件流体连通，多个第一出口开口设置在内衬垫的排出侧上并且被构造成用以与排气组件流体连通。
附图说明
8.通过参照实例(其中一些实例绘示在随附的附图中)，可获得简短总结于上的本公开内容的更具体的描述，而可详细理解本公开内容的上述特征所用方式。然而，将注意到，随附的附图仅绘示一些实例，因而不当作限制本公开内容的范围，本公开内容可容许其他等效实例。
9.图1是根据一个或多个实施方式的多腔室批处理系统的实例的示意性俯视图。
10.图2是根据一个或多个实施方式的可用以执行多晶片清洁批处理的示例性处理腔室的示意性截面图。
11.为了易于理解，尽可能已使用相同的参考数字指代附图中共通的相同元件。
具体实施方式
12.一般地，本文所述的实例涉及半导体处理的领域，并且尤其涉及晶片的外延前烘烤。
13.本文所述的一些实例提供一种多晶片批处理系统，在这种系统中，在通过外延处理在多个基板上进行薄膜生长之前，通过在外延(epi)腔室中在氢或氮气氛中烘烤基板，同时在设置于处理空间内的基板上和各基板之间维持均匀的温度分布和受控的气流，来预清洁多个基板以去除诸如氧化物之类的污染物。因此，这种多晶片批处理系统可提供所制造的装置中改善的质量与产量。
14.以下描述各种不同的实例。虽然不同实例的多个特征可在处理流程或系统中一起描述，但这些多个特征可各自分开实施或独立地实施和/或在不同的处理流程或不同的系
统中实施。
15.图1是根据一个或多个实施方式的多腔室批处理系统100的实例的示意性俯视图。处理系统100通常包括工厂接口102、装载锁定腔室104、106、具有相应的传送机器人110、118的传送腔室108、116、保持腔室112、114、及处理腔室120、122、124、126、128、130。如本文详述的，处理系统100中的基板可在各种腔室中处理和在各种腔室之间传送，而不暴露于处理系统100之外的周围环境。例如，基板可在低压(例如，小于或等于约300托)或真空环境下的各种腔室中处理或在这各种腔室之间传送，而不破坏在处理系统100中对这些基板进行的各种处理之间的低压或真空环境。因此，处理系统100可提供用于基板的一些处理的集成方案。
16.可按照本文所提供的教导而适当地修改的处理系统的实例包括可按照本文所提供的教导而适当地修改的处理系统的实例包括或集成处理系统或能够在商业上从位于加州圣克拉拉的应用材料公司取得的其他合适的处理系统。可预期的是，其他处理系统(包括那些来自其他制造商的处理系统)可适于受益于本文所述的各方面。
17.在图1的绘示实例中，工厂接口102包括坞站(docking station)140与工厂接口机器人142以促进基板的传送。坞站140被构造成用以适配(accept)一个或多个前开式标准舱(foup)144。在一些实例中，每个工厂接口机器人142通常包括设置在相应的工厂接口机器人142的一端上的叶片148，被构造成用以将基板从工厂接口102传送至装载锁定腔室104、106。
18.装载锁定腔室104、106具有耦接至工厂接口102的相应端口150、152与耦接至传送腔室108的相应端口154、156。传送腔室108进一步具有耦接至保持腔室112、114的相应端口158、160与耦接至处理腔室120、122的相应端口162、164。类似地，传送腔室116具有耦接至保持腔室112、114的相应端口166、168与耦接至处理腔室124、126、128、130的相应端口170、172、174、176。端口154、156、158、160、162、164、166、168、170、172、174、176可以是例如具有狭缝阀的狭缝开口，用于借助传送机器人110、118使基板通过这些端口并且用于在相应的腔室之间提供密封以防止在相应的腔室之间有气体通过。一般地，为了将基板传送通过任何端口，该端口是打开的；否则，该端口是关闭的。
19.装载锁定腔室104、106、传送腔室108、116、保持腔室112、114、与处理腔室120、122、124、126、128、130可被流体地耦接至气体与压强控制系统(未示出)。气体与压强控制系统可包括一个或多个气体泵(例如，涡轮泵、低温泵、粗抽泵(roughing pump)、等等)、气源、各种阀、和流体地耦接至各种腔室的导管。在操作中，工厂接口机器人142将基板从foup 144传送通过端口150或152，传送至装载锁定腔室104或106。气体与压强控制系统然后抽空(pump down)装载锁定腔室104或106。气体与压强控制系统进一步将传送腔室108、116与保持腔室112、114维持于内部低压或真空环境(可包括惰性气体)。因此，装载锁定腔室104或106的抽空便于使基板在例如工厂接口102的大气环境与传送腔室108的低压或真空环境之间的通过。
20.当基板在已经抽空的装载锁定腔室104或106中时，传送机器人110通过端口154或156将基板从装载锁定腔室104或106传送进入传送腔室108。然后传送机器人110能够将基板传送至下列腔室中的任意腔室和/或在任意的下列腔室之间传送基板：通过相应的端口162、164的处理腔室120、122以用于处理，和通过相应的端口158、160的保持腔室112、114以
用于保持而等候进一步的传送。类似地，传送机器人118能够通过端口166或168存取保持腔室112或114中的基板，并且能够将基板传送至下列腔室中的任意腔室和/或在任意的下列腔室之间传送基板：通过相应的端口170、172、174、176的处理腔室124、126、128、130以用于处理，和通过相应的端口166、168的保持腔室112、114以用于保持而等候进一步的传送。在各种腔室之内和之间的基板的传送与保持可在通过气体与压强控制系统提供的低压或真空环境中进行。
21.处理腔室120、122、124、126、128、130可以是用于处理基板的任何合适腔室。在一些实例中，处理腔室122可以是能够执行清洁处理；处理腔室120可以是能够执行蚀刻处理；而处理腔室124、126、128、130可以是能够执行各自的外延生长处理。处理腔室122可以是siconitm预清洁腔室，可从加州圣克拉拉的应用材料公司取得。处理腔室120可以是selectratm蚀刻腔室，可从加州圣克拉拉的应用材料公司取得。
22.系统控制器190耦接至处理系统100以用于控制处理系统100或处理系统100的部件。例如，系统控制器190可控制处理系统100的操作，采用对处理系统100的腔室104、106、108、112、114、116、120、122、124、126、128、130的直接控制，或通过控制与腔室104、106、108、112、114、116、120、122、124、126、128、130相关联的控制器。在操作中，系统控制器190使得能够从相应的腔室收集数据及反馈，以协调处理系统100的运行。
23.系统控制器190通常包括中央处理单元(cpu)192、存储器194、和支持电路196。cpu 192可以是可在工业设定中使用的任何形式的通用处理器中的一种。存储器194，或非暂态计算机可读介质，可通过cpu 192存取，并且可以是以下存储器之一或多种：诸如随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、软盘、硬盘、或任何其他形式的数字储存装置，在本地或远程的。支持电路196耦接至cpu 192，并且可包括高速缓冲存储器、时钟电路、输入/输出子系统、电源、及类似电路。本文所公开的各种方法通常可在cpu 192的控制下实施，通过cpu 192执行储存在存储器194中(或在特定处理腔室的存储器中)作为例如软件例程的计算机指令代码。当通过cpu 192执行计算机指令代码时，cpu 192控制腔室以按照各种方法执行处理。
24.其他处理系统可为其他构造。例如，更多或更少的处理腔室可耦接至传送设备。在绘示的实例中，传送设备包括传送腔室108、116与保持腔室112、114。在其他实例中，更多或更少的传送腔室(例如，一个传送腔室)和/或更多或更少的保持腔室(例如，无保持腔室)可被实施作为处理系统中的传送设备。
25.图2是示例性的处理腔室200的示意性截面图，处理腔室200可用以执行多晶片清洁批处理，诸如在约800℃的温度的氢和/或氮气氛中的烘烤处理。处理腔室200可以是来自图1的处理腔室120、122、124、126、128、130的任一腔室。可根据本文所公开的实施方式而修改的合适处理腔室的非限制实例可包括rp epi反应器、elvis腔室、及lennon腔室，这些腔室全部在商业上可从加州圣克拉拉的应用材料公司取得。处理腔室200可添加至可从加州圣克拉拉的应用材料公司取得的集成处理系统。虽然处理腔室200在以下得到说明以用来实践本文所述的各种实施方式，但来自不同制造商的其他半导体处理腔室也可被修改并且用以实践本公开内容中所述的实施方式。
26.处理腔室200包括壳体结构202、支持系统204和控制器206。壳体结构202由耐处理(process resistant)材料制成，诸如铝或不锈钢。壳体结构202围住处理腔室200的各种功
能元件，诸如石英腔室208，石英腔室208包括上部分210与下部分212。处理配件214适以在石英腔室208内接收多个基板w，石英腔室208中含有处理空间216。
27.如在此使用的那样，用语“基板”是指用作用于后续处理操作的基础的材料层，并且包括将被设置用于在上面形成薄膜的表面。基板可以是硅晶片、氧化硅、应变硅(strained silicon)、硅锗、掺杂的或未掺杂的多晶硅、掺杂的或未掺杂的硅晶片、图案化的或未图案化的晶片、绝缘体上硅(soi)、碳掺杂的氧化硅、氮化硅、磷化铟、锗、砷化镓、氮化镓、石英、熔融硅石(silica)、玻璃、或蓝宝石。此外，基板不受限于任何特定尺寸或形状。基板可以有任何形状或尺寸，诸如圆形晶片，具有200mm直径、300mm直径或其他直径，诸如450mm，等等。基板也可以是任何的多边形、正方形、矩形、弯曲的或者非圆形的工件，诸如多边形玻璃基板。
28.可通过辐射源提供对基板w的加热，诸如在z方向上于石英腔室208上方的一个或多个上灯模块218a、218b，及在z方向上于石英腔室208下方的一个或多个下灯模块220a、220b。在一个实施方式中，上灯模块218a、218b与下灯模块220a、220b是红外灯。来自上灯模块218a、218b与下灯模块220a、220b的辐射行经穿过在上部分210中的上石英窗222，并且穿过在下部分212中的下石英窗224。在一些实施方式中，用于上部分210的冷却气体可以通过入口226进入和通过出口228离开。
29.一种或多种气体通过气体注入组件230被提供给石英腔室208的处理空间216，并且处理副产物通过排气组件232从处理空间216移除，排气组件232通常与真空源(未示出)连通。
30.处理配件214进一步包括多个圆筒衬垫，内衬垫234与外衬垫236，内衬垫234与外衬垫236将处理空间216与壳体结构202的侧壁242屏蔽开。外衬垫236由上外衬垫236a与下外衬垫236b形成。在沿－x方向面对气体注入组件230的一侧(此后称为“注入侧”)上，入口屏蔽件238设置在上外衬垫236a与下外衬垫236b之间。在沿+x方向面对排气组件232的一侧(此后称为“排出侧”上，出口屏蔽件240设置在上外衬垫236a与下外衬垫236b之间。在一些实施方式中，处理配件214包括在注入侧上的入口屏蔽件238与内衬垫234之间的热屏蔽件244。
31.内衬垫234作为至处理空间216的圆筒壁，处理空间216容纳具有多个隔板248的盒246以保存用于多晶片批处理的多个基板w。在图2所示的实例中，显示出5个隔板248。然而，盒246可在盒中容纳任意数目的隔板248。隔板248插入在保存在盒246中的基板w之间，使得在隔板248与基板w之间存在间隙，以容许有效地将基板w机械传送到隔板248和从隔板248传送出。处理配件214进一步包括顶板250与底板252，顶板250与底板252附接至内衬垫234的内表面并且围住处理配件214内的圆筒处理空间216。顶板250与底板252设置在与隔板248间隔开足够的距离，以容许气体流过保存在隔板248中的基板w。顶板250与相邻于顶板250的隔板248之间的距离可以和底板252与相邻于底板252的隔板248之间的距离相同或相同。
32.通过形成在内衬垫234中的一个或多个入口开口264，气体可从气体注入组件230的第一气源254(连同第二气源256或者没有第二气源256)注入到处理空间216，这些气体诸如是氢气(h2)、氮气(n2)、或任何载气。内衬垫234中的入口开口264经由形成在侧壁242中的注入气室258、形成在入口屏蔽件238中的一个或多个入口开口260、和形成在热屏蔽件244
中的一个或多个入口开口262而与第一气源254和第二气源256流体连通。注入气体形成沿着层流路径266的气流。入口开口260、262、264可被构造成用以提供具有变化的参数的气流，这些参数诸如是速度、密度、或成分。入口开口260、262、264可具有容许来自第一气源254与第二气源256的气体通过的任意截面形状，诸如圆形孔或长槽(elongated slot)。
33.沿着流动路径266的气体被构造成用以流经处理空间216进入形成在侧壁242中的排出气室268，从而通过排气组件232从处理空间216排出。排气组件232经由形成在上外衬垫236a中的一个或多个出口开口272或形成在下外衬垫236b中的一个或多个出口开口274、形成在出口屏蔽件240中的出口开口276、和排出气室268而与形成在内衬垫234中的一个或多个出口开口270流体连通，结束排出流动路径278中的气体。出口开口270、272、274可具有容许从处理空间216到排气组件232的气体通过的任何截面形状，诸如圆形孔或长槽。排出气室268耦接至排出或真空泵(未示出)。至少注入气室258可被注入帽280支持。在一些实施方式中，处理腔室200适以供给一种或多种液体以用于处理，诸如沉积与蚀刻处理。此外，虽然在图2中仅显示两个气源254、256，但处理腔室200可适以适应用于在处理腔室200中实施的处理所需要的许多流体连接。
34.支持系统204包括用以执行与监测处理腔室200中的预定处理的部件。控制器206耦接至支持系统204并且适以控制处理腔室200与支持系统204。
35.处理腔室200包括定位在壳体结构202的下部分212中的升降旋转机构282。升降旋转机构282包括定位在护罩286内的轴件284，被设置穿过处理配件214的隔板248中形成的开口(未标示)的升降杆248a耦接至轴件284。轴件284在z方向上是可竖直地移动的，以容许借助诸如图1所示的传送机器人110、118之类的传送机器人，通过内衬垫234中的狭缝开口(未示出)及外衬垫236中的狭缝开口(未示出)将基板w装载到隔板248中和从隔板248卸载基板w。轴件284也是可旋转的，为了便于在处理期间设置处理配件214内的基板w在x-y平面中的旋转。通过耦接至轴件284的致动器288来促使轴件284的旋转。护罩286通常固定在位置上，因此在处理期间不旋转。
36.石英腔室208包括周边凸缘290、292，周边凸缘290、292附接至壳体结构202的侧壁242并且使用o型环294被真空密封至壳体结构202的侧壁242。周边凸缘290、292可以全部由不透明石英形成，以保护o型环294免于直接暴露于热辐射。周边凸缘290可由诸如石英之类的光学透明材料形成。
37.参照图2，入口屏蔽件238中的入口开口260与注入气室258相耦接并且分布在内衬垫234的一定角度位置的周向方向上，使得从气源254、256注入的穿过注入气室258的气体被均匀地分布在处理空间216内的x-y平面上(即，在基板内)。出口屏蔽件240中的出口开口276分布在内衬垫234的一定角度位置的周向方向上，并且气体通过排出气室268而排出。
38.热屏蔽件244的入口开口262、和内衬垫234的入口开口262与出口开口270也分布在内衬垫234的周向方向上，以改善处理空间216内的x-y平面上的气体的均匀性。此外，内衬垫234的入口开口262与出口开口270分布在z方向上并且与隔板248对准，使得气体均匀地分布在处理空间216中隔板248中保存的基板w之间。
39.参照图2，顶板250与底板252连同内衬垫234一起形成围护件，其中含有处理空间216，围护件带有在内衬垫234中的小开口(即，入口开口260与出口开口270)。在此围护件内，从上灯模块218a、218b和下灯模块220a、220b提供的辐射热均匀地分布在z方向(即，盒
246内的晶片对晶片)与x-y平面(即，设置在盒246内的基板内)两者中。通常，在带有小开口的围护件(具有不透明并且仅部分地有反射性(即，具有接近于1的表面发射率(surface emissivity))的内表面)内，可以建立黑体辐射，在此围护件内提供在均匀温度下的稳态平衡辐射(equilibrium radiation)。此围护件内的温度均匀性随着此围护件的内表面的表面发射率和形成在此围护件中的开口的尺寸而变化。因此，顶板250与底板252由石英、硅(si)或者具有约0.7至0.8的表面发射率的碳化硅(sic)涂布的石墨或石墨形成。在一些实施方式中，顶板250与底板252由具有高表面发射率的陶瓷材料形成，诸如具有在约0.83与约0.96之间的表面发射率的碳化硅(sic)，使得来自处理空间216通过顶板250和/或底板252的热损失被减少。内衬垫234也由石墨、碳化硅(sic)涂布的石墨、碳化硅(sic)、石英、或硅(si)形成。在一些实施方式中，内衬垫234的内表面以金(au)涂布，以通过进一步减少来自处理空间216通过内衬垫234的热损失来改善温度均匀性。
40.内衬垫234中的入口开口264与出口开口270被形成为小的，使得来自处理空间216通过入口开口264与出口开口270的热损失被最小化，因而在入口开口264与出口开口270附近的基板上的温度变化被最小化。内衬垫234进一步包括狭缝开口(未示出)，该狭缝开口与在面向
–
y方向的前侧上于上外衬垫236a与下外衬垫236b之间形成在外衬垫236中的狭缝开口(未示出)对准，借助诸如图1所示的传送机器人110、118之类的传送机器人，基板可通过狭缝开口被传送进出处理空间216。在一些实施方式中，基板w逐一地被传送进出盒246。内衬垫234的狭缝开口也被制造成小的，以减少来自处理空间216通过内衬垫234的狭缝开口的热损失，因而在内衬垫234的狭缝开口附近的基板上的温度变化被最小化。在一些实施方式中，外衬垫236的狭缝开口利用狭缝阀(未示出)而成为可打开的和可关闭的。设置在处理空间216内的盒246的隔板248也由具有高表面发射率的陶瓷材料形成，诸如碳化硅(sic)、石墨、碳化硅(sic)涂布的石墨、石英、或硅(si)。
41.在注入侧上设置在内衬垫234外部的入口屏蔽件238和设置在入口屏蔽件238和内衬垫234之间的热屏蔽件244进一步减少来自处理空间216通过内衬垫234中的入口开口264的热损失。在排出侧上设置在内衬垫234外部的出口屏蔽件240也减少来自处理空间216通过内衬垫234中的出口开口270的热损失。在一些实施方式中，处理配件214包括邻近于狭缝开口的内衬垫234外部的热屏蔽件(未示出)，以减少来自处理空间通过内衬垫234的狭缝开口的热损失。入口屏蔽件238、出口屏蔽件240和热屏蔽件244可由具有高反射率(即，约99.9％与100％之间的低发射率)的材料形成。上外衬垫236a与下外衬垫236b两者均由具有相较于石墨更低的传导率与发射率的材料形成，诸如不透明石英，并且进一步减少来自处理配件214内的处理空间216的热损失。
42.在一些实施方式中，通过下灯模块220a、220b与上灯模块218a、218b的功率比(称为下-上功率比)、内上灯模块218a与外上灯模块218b的功率比(称为上内-外功率比)、和内下灯模块220a与外下灯模块220b的功率比(称为下内-外功率比)，可以控制处理空间216内的温度均匀性。总功率要求随着若干的因素而变化，诸如保存在盒246中的基板w的材料、基板w的目标温度要求。在一个实例中，上灯模块218a、218b与下灯模块220a、220b的总功率为约45kw，下-上功率比为70％/30％，上内-外功率比为40％/60％，以及下内-外功率比为30％/70％，以实现保存在处理空间216内的基板w内和各基板w之间的温度均匀性。在另一实例中，上灯模块218a、218b与下灯模块220a、220b的总功率为约45kw，下-上功率比为
42％/58％，以及下内-外功率比为30％/70％。这些功率比可易于调整以实现各基板w之间或基板内的所要求的温度均匀性。
43.在本文所述的实例中，示出一种多晶片批处理系统，其中在通过外延处理在多个基板上进行薄膜生长之前，通过在外延(epi)腔室中在氢或氮气氛中烘烤基板，同时在设置在处理空间内的基板上和各基板之间维持均匀的温度分布和受控的气流，来预清洁多个基板以移除诸如氧化物之类的污染物。因此，这种多晶片批处理系统可提供所制造的装置中所需的质量及产量。
44.尽管前述内容针对本公开内容的各种实例，但在不背离本公开内容的基本范围的情况下，可构想出其他与进一步的实例，并且本公开内容的范围由随附的权利要求书所确定。

技术特征：

1.一种处理腔室，包括：壳体结构，具有第一侧壁与第二侧壁，所述第二侧壁在第一方向上与所述第一侧壁相对；气体注入组件，耦接至所述第一侧壁；排气组件，耦接至所述第二侧壁；石英腔室，设置在所述壳体结构内；处理配件，设置在所述石英腔室内，所述处理配件包括：围护件，具有多个内表面，所述多个内表面包括一种材料，所述材料被构造成用以在所述围护件内引起黑体辐射；和盒，设置在所述围护件内，所述盒具有多个隔板，所述多个隔板被构造成用以在所述多个隔板上保存多个基板；多个上灯模块，设置在所述石英腔室的第一侧上并且被构造成用以提供辐射热至所述多个基板；和多个下灯模块，设置在所述石英腔室的第二侧上并且被构造成用以提供辐射热至所述多个基板，所述第二侧在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述第一侧相对。2.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述处理配件进一步包括：外衬垫，包括上外衬垫与下外衬垫；内衬垫，具有：多个第一入口开口，设置在所述内衬垫的注入侧上并且被构造成用以与所述气体注入组件流体连通；和多个第一出口开口，设置在所述内衬垫的排出侧上并且被构造成用以与所述排气组件流体连通；以及顶板与底板，所述顶板与所述底板附接于所述内衬垫的内表面，所述顶板与所述底板连同所述内衬垫一起形成的所述围护件。3.如权利要求2所述的处理腔室，其中所述内衬垫、所述顶板、与所述底板包括碳化硅(sic)。4.如权利要求2所述的处理腔室，其中所述内衬垫、所述顶板、与所述底板包括碳化硅(sic)涂布的石墨。5.如权利要求2所述的处理腔室，其中所述处理配件进一步包括：入口屏蔽件，设置在所述注入侧上的所述上外衬垫与所述下外衬垫之间，所述入口屏蔽件具有多个第二入口开口，所述多个第二入口开口与所述内衬垫中的所述多个第一入口开口流体连通；和出口屏蔽件，设置在所述排出侧上的所述上外衬垫与所述下外衬垫之间，所述出口屏蔽件具有多个第二出口开口，所述多个第二出口开口与所述内衬垫中的所述多个第一出口开口流体连通。6.如权利要求5所述的处理腔室，进一步包括：热屏蔽件，设置在所述注入侧上的所述入口屏蔽件与所述内衬垫之间，所述热屏蔽件具有多个第三入口开口，所述多个第三入口开口与所述内衬垫中的所述多个第一入口开口流体连通。
7.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述多个隔板包括碳化硅(sic)。8.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述多个隔板包括碳化硅(sic)涂布的石墨。9.一种处理腔室，包括：壳体结构，具有第一侧壁与第二侧壁，所述第二侧壁在第一方向上与所述第一侧壁相对；气体注入组件，耦接至所述第一侧壁；排气组件，耦接至所述第二侧壁；石英腔室，设置在所述壳体结构内；处理配件，设置在所述石英腔室内，所述处理配件包括：盒，具有多个隔板，所述多个隔板被构造成用以在所述多个隔板上保存多个基板；多个上灯模块，设置在所述石英腔室的第一侧上并且被构造成用以提供辐射热至所述处理配件；多个下灯模块，设置在所述石英腔室的第二侧上并且被构造成用以提供辐射热至所述处理配件，所述第二侧在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述第一侧相对；和升降旋转机构，被构造成用以在所述第二方向上移动所述盒和围绕所述第二方向旋转所述盒。10.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述处理配件进一步包括：外衬垫，包括上外衬垫与下外衬垫；内衬垫，具有：多个第一入口开口，设置在所述内衬垫的注入侧上并且被构造成用以与所述气体注入组件流体连通；和多个第一出口开口，设置在所述内衬垫的排出侧上并且被构造成用以与所述排气组件流体连通；以及顶板与底板，所述顶板与所述底板附接于所述内衬垫的内表面，所述顶板与所述底板连同所述内衬垫一起形成围护件，其中所述围护件的多个内表面包括构造成用以在所述围护件内引起黑体辐射的材料。11.如权利要求10所述的处理腔室，其中所述内衬垫、所述顶板、与所述底板包括碳化硅(sic)。12.如权利要求10所述的处理腔室，其中所述内衬垫、所述顶板、与所述底板包括碳化硅(sic)涂布的石墨。13.如权利要求10所述的处理腔室，其中所述处理配件进一步包括：入口屏蔽件，设置在所述注入侧上的所述上外衬垫与所述下外衬垫之间，所述入口屏蔽件具有多个第二入口开口，所述多个第二入口开口与所述内衬垫中的所述多个第一入口开口流体连通；和出口屏蔽件，设置在所述排出侧上的所述上外衬垫与所述下外衬垫之间，所述出口屏蔽件具有多个第二出口开口，所述多个第二出口开口与所述内衬垫中的所述多个第一出口开口流体连通。14.如权利要求13所述的处理腔室，其中所述处理配件进一步包括：热屏蔽件，设置在所述注入侧上的所述入口屏蔽件与所述内衬垫之间，所述热屏蔽件
具有多个第三入口开口，所述多个第三入口开口与所述内衬垫中的所述多个第一入口开口流体连通。15.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述多个隔板包括碳化硅(sic)。16.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述多个隔板包括碳化硅(sic)涂布的石墨。17.一种处理系统，包括：处理腔室，包括：壳体结构，具有第一侧壁与第二侧壁，所述第二侧壁在第一方向上与所述第一侧壁相对；气体注入组件，耦接至所述第一侧壁；排气组件，耦接至所述第二侧壁；石英腔室，设置在所述壳体结构内；处理配件，设置在所述石英腔室内，所述处理配件包括：围护件，具有多个内表面，所述多个内表面包括一种材料，所述材料被构造成用以在所述围护件内引起黑体辐射；盒，设置在所述围护件内，所述盒具有多个隔板，所述多个隔板被构造成用以在所述多个隔板上保存多个基板；多个上灯模块，设置在所述石英腔室的第一侧上并且被构造成用以提供辐射热至所述多个基板；多个下灯模块，设置在所述石英腔室的第二侧上并且被构造成用以提供辐射热至所述多个基板，所述第二侧在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述第一侧相对；和升降旋转机构，被构造成用以在所述第二方向上移动所述盒和围绕所述第二方向旋转所述盒；以及传送机器人，被构造成用以将多个基板传送进入所述处理配件和传送来自所述处理配件的多个基板，所述处理配件设置在所述处理腔室中。18.如权利要求17所述的处理系统，其中所述处理配件进一步包括：外衬垫，包括上外衬垫与下外衬垫；内衬垫，具有：多个第一入口开口，设置在所述内衬垫的注入侧上并且被构造成用以与所述气体注入组件流体连通；多个第一出口开口，设置在所述内衬垫的排出侧上并且被构造成用以与所述排气组件流体连通；和狭缝开口；以及顶板与底板，所述顶板与所述底板附接于所述内衬垫的内表面，所述顶板与所述底板连同所述内衬垫一起形成围护件，其中所述围护件的多个内表面包括被构造成用以在所述围护件内引起黑体辐射的材料。19.如权利要求18所述的处理系统，其中所述内衬垫、所述顶板、所述底板、与所述多个隔板包括选自碳化硅(si)和碳化硅(sic)涂布的石墨的材料。20.如权利要求18所述的处理系统，其中所述处理配件进一步包括：
入口屏蔽件，设置在所述注入侧上的所述上外衬垫与所述下外衬垫之间，所述入口屏蔽件具有多个第二入口开口，所述多个第二入口开口与所述内衬垫中的所述多个第一入口开口流体连通；出口屏蔽件，设置在所述排出侧上的所述上外衬垫与所述下外衬垫之间，所述出口屏蔽件具有多个第二出口开口，所述多个第二出口开口与所述内衬垫中的所述多个第一出口开口流体连通；和热屏蔽件，设置在所述注入侧上的所述入口屏蔽件与所述内衬垫之间，所述热屏蔽件具有多个第三入口开口，所述多个第三入口开口与所述内衬垫中的所述多个第一入口开口流体连通。

技术总结

提供批处理腔室及在批处理腔室中使用的处理配件。处理配件包括外衬垫、内衬垫、及顶板与底板，外衬垫具有上外衬垫与下外衬垫，顶板与底板附接于内衬垫的内表面。顶板与底板和内衬垫一起形成围护件，并且在围护件内设置盒。包括隔板的盒被构造成用以在隔板上保存多个基板。内衬垫具有入口开口与出口开口，入口开口设置在内衬垫的注入侧上并且被构造成用以与处理腔室的气体注入组件流体连通，出口开口设置在内衬垫的排出侧上并且被构造成用以与处理腔室的排气组件流体连通。围护件的内表面包括被构造成用以引起在围护件内的黑体辐射的材料。的材料。的材料。