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一种非晶氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法[发明专利]

专利名称：一种非晶氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法

专利类型：发明专利

发明人：韩德栋，丛瑛瑛，黄福青，单东方，张索明，田宇，王漪，张盛东，刘晓彦，康晋锋

申请号：CN201310613115.3

申请日：20131127

公开号：CN104681622A

公开日：

20150603

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种非晶氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法。本发明的非晶氧化锌基薄膜晶体管包括：衬底、栅电极、栅介质层、沟道层、源电极和漏电极；其中，沟道层的材料采用掺铝锡的氧化锌半导体材料，氧化铝含量为3%～9%（质量），氧化锡含量为3%～50%（质量）。本发明制备的ATZO半导体薄膜晶粒尺寸在10nm左右，且分布均匀，属于纳米晶体氧化物半导体。这种工艺方法具有步骤简单，制造成本低廉，均匀性好，用于低温工艺，对提高薄膜晶体管器件的性能具有积极效果，改善了器件包括迁移率、开关比、阈值电压、亚阈摆幅率等方面的性能，适用于透明显示和柔性显示技术等优点。

申请人：北京大学

地址：100871 北京市海淀区颐和园路5号

国籍：CN

代理机构：北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：王岩

本文发布于:2024-09-22 08:24:19，感谢您对本站的认可！

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