一种疏水性LED芯片及其制备方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114497296 A (43)申请公布日 2022.05.13

(21)申请号 CN202210328384.4

(22)申请日 2022.03.31

(71)申请人江西兆驰半导体有限公司

地址 330224 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号

(72)发明人许明明董国庆文国昇董建民

(74)专利代理机构

代理人

(51)Int.CI

H01L33/00

H01L33/44

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种疏水性LED芯片及其制备方法

(57)摘要

本发明提供一种疏水性LED芯片及其制备方法，方法包括：获取一衬底，在衬底上形成外延层；在外延层表面依次形成电流阻挡层、电流扩展层、金属导电层以及钝化层，对钝化层光刻、蚀刻以及去光刻胶后，得到LED晶圆；对LED晶圆的表面进行SiH4或CF4等离子体轰击、以对LED晶圆的表面进行改性处理，得到疏水性LED晶圆，通过疏水性LED晶圆制得疏水性LED芯片。上述疏水性LED芯片及其制备方法，通过用SiH4或CF4等离子体对LED芯片的钝化层表面进行改性处理，形成疏水性钝化层，来防止水汽吸附及渗入，从而改善LED芯片漏电，提升可靠性。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-05-31	实质审查的生效IPC(主分类):H01L33/00专利申请号:2022103283844申请日:20220331	实质审查的生效
2022-05-13	公开	发明专利申请公布
2023-03-24	发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H01L33/00专利申请号:2022103283844申请公布日:20220513	发明专利申请公布后的驳回