故障SRAM的筛选方法、装置及软硬件系统与流程

故障sram的筛选方法、装置及软硬件系统
技术领域
1.本发明涉及数据筛选技术领域，尤其是涉及一种故障sram的筛选方法、装置及软硬件系统。

背景技术：

2.现有的嵌入式芯片中一般都会内置sram，以满足系统的程序运行，各种数据的缓存等，如ssd的控制芯片。在整个产品的生产测试过程中，一般只专注于领域内的相关测试，如ssd盘片主要专注于后端存储介质nand flash的坏块筛选，而sram作为整个系统内非常重要的组成部件，缺少或者弱化了对他的可靠性测试保证。sram由于其生产工艺、电气特性等是可能存在部分bit坏掉或者不稳定的情况，一旦运行过程中出现，对整个系统将是灾难性的。
3.现目前的ssd生产制作过程中，没有或者仅仅是简单的覆盖sram的测试，不能发现坏掉的bit，或者仅仅只能发现非常严重固定坏掉的bit，而针对较弱的、有一定概率出错的sram，也不能及时筛选出。另外，针对在常温下较稳定，高温下bit翻转有一定的出现概率的故障也无法测试出来，因此，现有技术无法保证系统的稳定性。

技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明的目的在于提供一种故障sram的筛选方法、装置及软硬件系统，可以很好的筛选出有风险出现故障的sram，进而提高整个系统的稳定性。
5.第一方面，本发明实施例提供了一种故障sram的筛选方法，该方法包括：设置测试温度；基于测试温度，按照预先设置的读写顺序，使用多种测试模型对待测试sram进行测试；判断每种测试模型的测试流程是否通过；如果否，则结束测试流程，并将待测试sram确定为故障sram。
6.结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中，多种测试模型包括第一模型、第二模型和第三模型；其中，第一模型、第二模型和第三模型分别包括顺序写读校验模型、延时读校验模型和持续读校验模型中的一种，第一模型、第二模型和第三模型互不相同；按照预先设置的读写顺序，使用多种测试模型对待测试sram进行测试的步骤，包括：按照预先设置的读写顺序，先使用第一模型对待测试sram进行测试；当第一模型的测试通过时，使用第二模型对待测试sram进行测试；当第二模型的测试通过时，使用第三模型对待测试sram进行测试；判断每种测试模型的测试流程是否通过的步骤，包括：如果有任意一个测试模型的测试未通过，则确定测试模型的测试流程未通过。
7.结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式，其中，使用多种测试模型对待测试sram进行测试的步骤，包括：按照预设的源数据写入规则，使用预先定义的写入方式写入测试数据；基于预设的校验方式，根据测试数据对待测试sram进行读校验操作；判断读校验操作的校验结果是否通过；如果否，则结束读校验操作，并将校验方式中的待测试sram确定为故障sram。
8.结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式，其中，预设的校验方式包括第一校验方式和第二校验方式，其中，第一校验方式和第二校验方式分别包括cpu校验和dmacc校验中的一种，第一校验方式和第二校验方式互不相同；基于预设的校验方式，根据测试数据对待测试sram进行读校验操作的步骤，包括：通过第一校验方式，将测试数据与待测试sram的数据进行比对，以进行读校验操作；判断第一校验方式的读校验结果是否通过；如果否，则结束读校验操作，并将第一校验方式中的待测试sram确定为故障sram；如果是，通过第二校验方式，将测试数据与待测试sram的数据进行比对，以进行读校验操作；判断第二校验方式的读校验结果是否通过；如果否，则结束读校验操作，并将第二校验方式中的待测试sram确定为故障sram；如果是，完成读校验操作。
9.结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第四种可能的实施方式，其中，源数据写入规则包括源数据集合，以及，源数据集合对应的写入顺序；源数据集合中包括多个测试数据，其中，多个测试数据为测试sram故障的典型测试数据；写入方式包括通过cpu写入方式和通过预设模块写入方式；待测试sram包括容量大小；如果测试模型为顺序写读校验模型，则使用顺序写读校验模型对待测试sram进行测试，按照预设的源数据写入规则，使用预先定义的写入方式写入测试数据；基于预设的校验方式，根据测试数据对待测试sram进行读校验操作的步骤，包括：将源数据集合对应的写入顺序中的第一个测试数据确定为读校验操作对应的测试数据，并根据待测试sram的容量大小，通过cpu写入方式写入满足待测试sram的容量大小的测试数据；当测试数据写入完成后，针对测试数据对待测试sram进行读校验操作；当读校验操作通过后，将源数据集合对应的写入顺序中的下一个测试数据确定为读校验操作对应的测试数据，并根据待测试sram的容量大小，通过cpu写入方式写入满足待测试sram的容量大小的源数据集合中的下一个测试数据；直到将写入顺序中的每一个测试数据均确定为读校验操作对应的测试数据，并通过cpu写入方式写入完成，且，对待测试sram进行的读校验操作通过后，将cpu写入方式转换为预设模块写入方式，重新写入读校验操作对应的每一个测试数据。
10.结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第五种可能的实施方式，其中，如果测试模型为延时读校验模型，则使用延时读校验模型对待测试sram进行测试；当测试数据写入完成后，针对测试数据对待测试sram进行读校验操作的步骤，还包括：当测试数据写入完成后，等待预设的时长阈值后，针对测试数据对待测试sram进行读校验操作。
11.结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第六种可能的实施方式，其中，如果测试模型为持续读校验模型，则使用持续读校验模型对待测试sram进行测试；第一校验方式和第二校验方式均包括预设的校验重复次数；源数据写入规则还包括预设的字节大小，其中，预设的字节大小小于待测试sram的容量大小；根据待测试sram的容量大小，通过cpu写入方式写入满足待测试sram的容量大小的测试数据；当测试数据写入完成后，针对测试数据对待测试sram进行读校验操作的步骤，包括：通过cpu写入方式写入预设的字节大小的测试数据；当预设的字节大小的测试数据写入完成后，使用第一校验方式和第二校验方式依次将预设的字节大小的测试数据与待测试sram的预设的字节大小的数据进行比较，并按照预设的校验重复次数执行比较过程，以对待测试sram进行读校验操作。
12.第二方面，本发明实施例还提供一种故障sram的筛选装置，该故障sram的筛选装置用于执行上述故障sram的筛选方法，装置包括：温度设置模块，用于设置测试温度；测试
模块，用于基于测试温度，按照预先设置的读写顺序，使用测试模型对待测试sram进行测试；判断模块，用于判断测试模型的测试流程是否通过；筛选模块，用于在判断模块的判断结果为否时，结束测试流程，并将待测试sram确定为故障sram。
13.第三方面，本发明实施例还提供一种筛选sram的软硬件系统，该筛选sram的软硬件系统用于执行上述故障sram的筛选方法，上述筛选sram的软硬件系统，包括ssd控制芯片，以及ssd控制芯片配置的cpu模块和dmacc模块；cpu模块、dmacc模块通过总线连接；其中，总线上还连接有待测试sram；cpu模块用于针对待测试sram执行测试模型对应的cpu写入方式的写入操作，以及测试模型对应的第一校验方式的读校验操作；dmacc模块用于针对待测试sram执行测试模型对应的预设模块写入方式的写入操作，以及测试模型对应的第二校验方式的读校验操作；软硬件系统还包括存储模块，用于存储固件程序和测试结果；固件程序用于实现筛选sram的测试策略。
14.第四方面，本发明实施例还提供一种服务器，该服务器包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现上述故障sram的筛选方法的步骤。
15.本发明实施例带来了以下有益效果：本发明提供的一种故障sram的筛选方法、装置及软硬件系统，包括：设置测试温度；基于测试温度，按照预先设置的读写顺序，使用多种测试模型对待测试sram进行测试；判断每种测试模型的测试流程是否通过；如果否，则结束测试流程，并将待测试sram确定为故障sram。本发明基于设置的测试温度对sram进行测试，且，采用多种测试模型对sram进行筛选，另外，还在每种测试模型的测试流程没有通过时，直接结束测试流程，将该sram确定为筛选出来的sram，筛选模型多样，能够快速且全面的筛选出来故障sram。
16.本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
17.为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
18.为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
19.图1为本发明实施例提供的一种故障sram的筛选方法的流程图；
20.图2为本发明实施例提供的另一种故障sram的筛选方法的流程图；
21.图3为本发明实施例提供的使用顺序写读校验模型对待测试sram进行测试的流程图；
22.图4为本发明实施例提供的写入测试数据的流程图；
23.图5为本发明实施例提供的对待测试sram进行数据读校验操作的流程图；
24.图6为本发明实施例提供的使用延时读校验模型对待测试sram进行测试的流程
图；
25.图7为本发明实施例提供的使用持续读校验模型对待测试sram进行测试的流程图；
26.图8为本发明实施例提供的一种故障sram的筛选装置的结构示意图；
27.图9为本发明实施例提供的一种服务器的结构示意图。
具体实施方式
28.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
29.现有的嵌入式芯片中一般都会内置静态随机存取寄存器(static random-access memory，简称sram)，以满足系统的程序运行，各种数据的缓存等，如固态硬盘(solid state disk,简称ssd)的控制芯片。在整个产品的生产测试过程中，一般只专注于领域内的相关测试，如ssd盘片主要专注于后端存储介质nand flash的坏块筛选，而sram作为整个系统内非常重要的组成部件，缺少或者弱化了对他的可靠性测试保证。sram由于其生产工艺、电气特性等是可能存在部分bit坏掉或者不稳定的情况，一旦运行过程中出现，对整个系统将是灾难性的。
30.现目前的ssd生产制作过程中没有做sram的筛选，这就导致无法剔除有故障的以及不稳定的sram，或者仅仅是简单的覆盖sram的测试，不能发现坏掉的数据，尤其是最小数据存储单位的bit数据，或者仅仅只能发现非常严重固定坏掉的bit，而针对较弱的、有一定概率出错的sram，也不能及时筛选出。另外，如可能存在下述sram的故障模式，现有技术无法及时有效的筛选出来：1、sram在常温下较稳定，高温下有一定的概率出现bit数据翻转的情况；2、sram的某些bit数据不太稳定，如果多次读校验，会有概率性出现bit数据翻转的情况；3、sram的某些bit数据保持能力欠佳，等待一段时间后可能会出现bit数据的翻转。因此，现有技术均无法将故障sram全部筛选出来，进而无法保证系统的稳定性。
31.基于此，本发明实施例提供的一种故障sram的筛选方法、装置及软硬件系统，可以很好的筛选出有风险出现故障的sram，进而提高整个系统的稳定性。
32.为便于对本实施例进行理解，首先对本发明实施例所公开的一种故障sram的筛选方法进行详细介绍，图1示出了一种故障sram的筛选方法的流程图，如图1所示的一种故障sram的筛选方法的流程图，该方法包括以下步骤：
33.步骤s102，设置测试温度。
34.步骤s104，基于测试温度，按照预先设置的读写顺序，使用多种测试模型对待测试sram进行测试。
35.具体的，在筛选故障sram时，在高温下，sram的故障问题更容易暴露，因此，会将整个待测试的sram对应的ssd固态硬盘放置在高温温箱中，在上电后对待测试sram进行测试，具体的，上述高温温箱的测试温度可以是70摄氏度。
36.进一步地，在本发明实施例中，上述测试模型包括多种测试模型，具体地，本发明实施例在筛选故障sram时，是通过多种测试模型分别对待测试sram进行筛选测试的，该方
式能够将多重筛选方式有效叠加，能很好的筛选出各种故障问题的sram，进而保证整个系统的稳定性。
37.步骤s106，判断每种测试模型的测试流程是否通过。
38.步骤s108，如果否，则结束测试流程，并将待测试sram确定为故障sram。
39.具体地，在测试模型对待测试sram进行测试时，会判断测试流程的任何一个环节是否通过，只有当前环节通过后才会进行下一个环节的测试，如果当前环节的测试不通过，则表示位于该环节中的sram为故障sram，此时，直接将该故障sram筛选出来，不再进行后续环节的测试。
40.本发明实施例提供的一种故障sram的筛选方法，基于设置的测试温度对sram进行测试，且，采用多种测试模型对sram进行筛选，另外，还在每种测试模型的测试流程没有通过时，直接结束测试流程，将该sram确定为筛选出来的sram，筛选模型多样，能够快速且全面的筛选出来故障sram。
41.为了便于理解，在图1的基础上，本发明实施例还提供另一种故障sram的筛选方法，该方法主要针对上述基于测试温度，按照预先设置的读写顺序，使用多种测试模型对待测试sram进行测试的步骤进行详细介绍(该步骤通过下述步骤s204-步骤s208实现)，图2示出了另一种故障sram的筛选方法的流程图，具体地，如图2所示的另一种故障sram的筛选方法的流程图，该方法包括以下步骤：
42.步骤s202，设置测试温度。
43.步骤s204，基于测试温度，按照预先设置的读写顺序，先使用第一模型对待测试sram进行测试。
44.步骤s206，当第一模型的测试通过时，使用第二模型对待测试sram进行测试。
45.步骤s208，当第二模型的测试通过时，使用第三模型对待测试sram进行测试。
46.具体地，上述多种测试模型包括第一模型、第二模型和第三模型；其中，第一模型、第二模型和第三模型分别包括顺序写读校验模型、延时读校验模型和持续读校验模型中的一种，第一模型、第二模型和第三模型互不相同。
47.进一步地，上述第一模型可以包括顺序写读校验模型，上述第二模型可以包括延时读校验模型，上述第三模型可以包括持续读校验模型。
48.具体的，上述顺序写读校验模型是基于写入完用于校验sram的数据的sram大小的源数据后，按照顺序依次校验而实现的测试，这一模型所使用的源数据包括用于测试sram的所有典型数据pattern，如，0x0、0xff、0x55aa、0xaa55，因此，通过这一模型能够对sram进行数据全覆盖测试，进而能够确定出sram是否存在数据错误。
49.上述延时读校验模型是在写完的sram大小的源数据的基础上，在高温的前提下，等待一定的时长后再进行读校验而实现的测试，也即，延时读校验模型相比于顺序写读校验模型，增加了相应的等待时长。具体地，该测试模型中，在高温的前提下等待一定的时长之后，能够得到sram的数据是否发生翻转等关于数据不稳定的测试结果，进而测试数据的保持能力。
50.上述持续读校验模型是在写完一定单位大小的源数据后，针对这一单位大小的源数据从sram的起始数据开始按照上述一定单位大小的数据进行读校验，上述持续读校验模型相比于上述顺序写读校验模型，并不是写完sram大小的源数据再进行读校验的，而是每
写完一定单位大小的数据后，就针对该单位大小的数据进行读校验，且，还针对同一位置的数据进行多次读校验，进而能够验证sram的稳定性，筛选出概率性出现bit翻转的sram。具体地，上述一定单位大小的源数据可以是预先设定的dword大小，按照两个字节大小为粒度来筛选sram。
51.进一步地，为了保证筛选的时效性，快速筛选出来故障的sram，可以先通过顺序写读校验模型进行测试，直接将数据全覆盖过程会出现故障的sram筛选出来，然后使用延时读校验模型进行测试，最后再使用持续读校验模型进行测试，以筛选其余概率性出现问题的sram。
52.先通过顺序写读校验模型对待测试sram进行测试，当上述顺序写读校验模型的测试通过后，再使用延时读校验模型对待测试sram进行测试，当上述延时读校验模型的测试通过后，再使用持续读校验模型对待测试sram进行测试，直到上述持续读校验模型的测试通过时，则表示该测试的sram为没有故障的sram，使用该sram能够很好的保证系统的稳定性。
53.步骤s210，如果有任意一个测试模型的测试未通过，则确定测试模型的测试流程未通过。
54.步骤s212，当测试流程未通过时，则结束测试流程，并将待测试sram确定为故障sram。
55.具体地，本发明实施例在于筛选出故障sram，而当上述三个测试模型中的任意一个测试模型的测试没有通过，则表示该测试中的sram是故障sram，则此时无需再使用下一个测试模型进行测试，而这一筛选方式对sram进行了多次筛选，能够对sram进行充分测试及筛选，进而能够筛选出来所有故障的sram。
56.本发明实施例提供的另一种故障sram的筛选方法，使用顺序写读校验模型、延时读校验模型和持续读校验模型分别对sram进行测试，能够依次对sram进行数据全覆盖测试、测试sram的数据保持能力，以及针对有概率出现故障的sram进行筛选，测试模型丰富且全面，能够将多种故障的sram筛选出来，进而保证了系统的稳定性。
57.进一步地，为了便于理解，在图1和图2的基础上，本发明实施例还提供了另一种故障sram的筛选方法，该方法主要在于介绍上述测试模型为顺序写读校验模型时的步骤，图3示出了使用顺序写读校验模型对待测试sram进行测试的流程图，如图3所示，该方法包括：
58.步骤s302，按照预设的源数据写入规则，使用预先定义的写入方式写入测试数据。
59.具体地，上述源数据写入规则包括源数据集合，源数据集合中包括多个测试数据，具体地，上述源数据集合中的多个测试数据包括0x0、0xff、0xaa55、0x55aa等，其中，上述多个测试数据为测试所述sram故障的典型测试数据。
60.进一步地，上述源数据写入规则还包括上述源数据集合对应的写入顺序，上述写入方式可以包括通过cpu写入方式和通过预设模块写入方式，其中，所述预设模块写入方式可以通过dmacc模块进行写入操作，上述dmacc模块为ssd系统内可以读写sram的硬件模块。进一步地，所述sram还包括容量大小；在具体实现时，可以通过下述步骤执行写入测试数据步骤，具体地，图4示出了写入测试数据的流程图，如图4所示，该步骤包括：
61.步骤s1，将源数据集合对应的写入顺序中的第一个测试数据确定为读校验操作对应的测试数据，并根据待测试sram的容量大小，通过cpu写入方式写入满足待测试sram的容
量大小的测试数据。
62.步骤s2，当测试数据写入完成后，针对测试数据对待测试sram进行读校验操作。
63.具体地，如上述源数据集合中包括的0x0、0xff、0xaa55、0x55aa四种测试数据，其中，0x0可以是第一个测试数据，则此时，可以通过cpu模块写入sram的容量大小的源数据，如，sram可以是1m大小，则，cpu模块写入1m大小的0x0，之后针对这1m大小的0x0测试数据对待测试sram进行读校验操作。
64.步骤s3，当读校验操作通过后，将源数据集合对应的写入顺序中的下一个测试数据确定为读校验操作对应的测试数据，并根据待测试sram的容量大小，通过cpu写入方式写入满足待测试sram的容量大小的源数据集合中的下一个测试数据。
65.具体地，上述源数据集合中包括的0x0、0xff、0xaa55、0x55aa四种测试数据中，0xff可以是第二个测试数据，因此，在针对1m大小的测试数据0x0的读校验测试通过后，再通过cpu模块写入1m大小的0xff，再针对这1m大小的0xff测试数据对待测试sram进行读校验操作。
66.步骤s4，直到将写入顺序中的每一个测试数据均确定为读校验操作对应的测试数据，并通过cpu写入方式写入完成，且，对待测试sram进行的读校验操作通过后，将cpu写入方式转换为预设模块写入方式，重新写入读校验操作对应的每一个测试数据。
67.具体地，当cpu根据上述步骤依次将源数据集合中包括的0x0、0xff、0xaa55、0x55aa四种测试数据均写入完成，并在读校验测试通过后，可以将cpu模块写入方式切换为使用预设模块写入方式，使用预设模块根据上述各个步骤写入上述源数据集合中包括的0x0、0xff、0xaa55、0x55aa四种测试数据后再进行读校验过程，此时，能够对sram进行数据全覆盖写入，进而能够实现数据全覆盖测试。
68.步骤s304，基于预设的校验方式，根据测试数据对待测试sram进行读校验操作。
69.具体地，上述预设的校验方式包括第一校验方式和第二校验方式，其中，第一校验方式和第二校验方式分别包括cpu校验和dmacc校验中的一种，第一校验方式和第二校验方式互不相同。
70.进一步地，可以先使用cpu校验作为第一校验方式对sram进行读校验，也即，使用cpu模块访问sram来进行读校验，之后使用damcc校验作为第二校验方式，也即使用dmacc模块访问sram来进行读校验。其中，第一校验方式指先通过该方式进行读校验操作，第二校验方式即为在第一校验方式的读校验通过后使用该第二校验方式进行读校验操作。
71.在具体实现时，可以通过下述步骤对待测试sram进行数据读校验操作，具体地，图5示出了对待测试sram进行数据读校验操作的流程图，如图5所示，该步骤包括：
72.步骤s10，通过第一校验方式，将测试数据与待测试sram的数据进行比对，以进行读校验操作。
73.步骤s11，判断第一校验方式的读校验结果是否通过。
74.步骤s12，如果否，则结束读校验操作，并将第一校验方式中的待测试sram确定为故障sram。
75.具体地，通过第一校验方式将之前写入的源数据从待测试sram的起始数据开始，与上述待测试sram的数据进行比对，以实现数据覆盖，确定该第一校验方式对应的读校验结果，当数据覆盖通过时，则表示待测试sram的数据没有与源数据不符的数据，也即，该
sram的数据全部正确，此时表示sram的读校验通过，而当读校验时校验出与写入的源数据不符的sram数据时，则表示sram的数据有误，此时，则将该sram确定为数据覆盖不通过的sram，也即故障sram，此时读校验操作结束，不再使用第二校验方式进行校验。
76.步骤s13，如果是，通过第二校验方式，将测试数据与待测试sram的数据进行比对，以进行读校验操作。
77.步骤s14，判断第二校验方式的读校验结果是否通过。
78.步骤s15，如果否，则结束读校验操作，并将第二校验方式中的待测试sram确定为故障sram。
79.步骤s16，如果是，完成读校验操作。
80.具体地，与第一校验方式的读校验操作相同，当第一校验方式的读校验操作通过后，使用第二校验方式对当前源数据对应的sram数据进行二次读校验，以筛选出第一校验方式筛选不到的故障sram。
81.步骤s306，判断读校验操作的校验结果是否通过。
82.步骤s308，如果否，则结束读校验操作，并将校验方式中的待测试sram确定为故障sram。
83.具体地，在上述第一校验方式和第二校验方式的读校验操作均通过时，表示该sram通过了数据覆盖测试。本发明实施例在使用延时读校验模型对待测试时，sram经过数据pattern的全覆盖之后能完全的筛选出固定坏掉的sram，如，某bit数据固定为0或者固定为1。
84.进一步地，在上述图3的基础上，本发明实施例还提供了另一种故障sram的筛选方法，该方法主要在于介绍上述测试模型为延时读校验模型时的步骤，图6示出了使用延时读校验模型对待测试sram进行测试的流程图，如图6所示，所述方法包括：
85.步骤s602，按照预设的源数据写入规则，使用预先定义的写入方式写入测试数据。
86.步骤s604，当测试数据写入完成后，等待预设的时长阈值后，针对测试数据对待测试sram进行读校验操作。
87.步骤s606，判断读校验操作的校验结果是否通过。
88.步骤s608，如果否，则结束读校验操作，并将校验方式中的待测试sram确定为故障sram。
89.具体地，在使用延时读校验模型对待测试sram进行测试时，先通过cpu模块写入源数据集合中的第一个测试数据，之后等待预设的时长阈值后，再使用第一校验方式进行读校验操作，当第一校验方式的读校验操作通过后，再使用第二校验方式进行读校验操作。直到第二校验方式的读校验操作通过后，再使用cpu模块写入源数据集合的第二个数据，之后等待预设的时长阈值后，再以上述校验顺序进行依次读校验，其中，延时读校验模型的读校验过程与顺序写读校验模型的读校验过程一致，再此不再赘述。进一步地，当cpu模块将源数据集合中的每个测试数据均写入完成后，切换为dmacc模块以上述写入方式，写入源数据集合中的每个测试数据，且，在每个测试数据写入完成后，也需等待预设的时长阈值后再进行读校验操作。进一步地，上述预设的时长阈值是根据待测试sram的时延特性确定的，针对时长阈值的具体数值，在此不做限制。
90.本发明实施例使用持续读校验模型对待测试sram进行的测试，在高温环境下数据
保持指定时间之后，能识别出数据保持能力差的sram。
91.进一步地，在上述图3的基础上，本发明实施例还提供了另一种故障sram的筛选方法，该方法主要在于介绍上述测试模型为持续读校验模型时的步骤，图7示出了使用持续读校验模型对待测试sram进行测试的流程图，如图7所示，所述方法包括：
92.步骤s702，将源数据集合对应的写入顺序中的第一个测试数据确定为读校验操作对应的测试数据，通过cpu写入方式写入预设的字节大小的测试数据。
93.具体地，上述源数据写入规则除了源数据集合与源数据集合对应的写入顺序外，上述源数据写入规则还包括预设的字节大小；具体地，上述预设的字节大小可以包括dword大小，按照两个字节大小为粒度对sram进行筛选，其中，该预设的字节大小小于待测试sram的容量大小。
94.步骤s704，当预设的字节大小的测试数据写入完成后，使用第一校验方式和第二校验方式依次将预设的字节大小的测试数据与待测试sram的预设的字节大小的数据进行比较，并按照预设的校验重复次数执行比较过程，以对待测试sram进行读校验操作。
95.在具体实现时，通过cpu模块写入上述dword大小的源数据后，就使用第一校验方式进行读校验操作，此时，使用第一校验方式将预设的字节大小的测试数据与从待测试sram的起始数据开始，比对对应的预设的字节大小的数据，当第一校验方式的读校验操作通过后，再使用第二校验方式以上述读校验方式进行读校验操作。
96.进一步地，上述第一校验方式和第二校验方式均包括预设的校验重复次数；也即，在使用第一校验方式对sram进行读校验时，不仅对该字节大小的数据进行单次比对，会对该sram的当前位置按照预设的校验重复次数进行多次重复比对，具体地，上述预设的校验重复次数可以是20次，通过多次比对同一位置的sram数据，能够有效筛选出概率性翻转的故障sram。进一步地，预设的校验重复次数的具体数值仅为了说明该重复次数的可能性，并不代表对该重复次数的具体数值进行限制。
97.步骤s706，当读校验操作通过后，将源数据集合对应的写入顺序中的下一个测试数据确定为读校验操作对应的测试数据，并根据待测试sram的容量大小，通过cpu写入方式写入满足待测试sram的容量大小的源数据集合中的下一个测试数据。
98.步骤s708，直到将写入顺序中的每一个测试数据均确定为读校验操作对应的测试数据，并通过cpu写入方式写入完成，且，对待测试sram进行的读校验操作通过后，将cpu写入方式转换为预设模块写入方式，重新写入读校验操作对应的每一个测试数据。
99.步骤s710，基于预设的校验方式，根据测试数据对待测试sram进行读校验操作。
100.具体地，当cpu模块每写完一个测试数据的一段预设字节大小的测试数据后，均分别使用第一校验方式读校验后，再在第一校验方式的读校验操作通过后，再使用第二校验方式进行读校验，之后再写入这一测试数据的剩余预设字节大小的测试数据，直到cpu模块写完源数据集合中的所有测试数据后，再切换为dmacc模块执行本发明实施例中的写入过程，并以相同的读校验方式执行相应的读校验操作。
101.步骤s712，判断读校验操作的校验结果是否通过。
102.步骤s714，如果否，则结束读校验操作，并将校验方式中的待测试sram确定为故障sram。
103.具体地，在使用持续读校验模型对待测试sram进行测试时，主要针对字节大小的
数据进行多次测试，并在读校验操作中筛选出来有概率性出现bit翻转的sram数据，本发明实施例的测试模型的测试方法针对的数据字节小，且针对同一位置的校验次数多，能够更加准确的筛选故障sram。
104.进一步地，本发明实施例同时使用了上述三种测试模型，并结合高温温箱环境，以及，cpu和dmacc双重读写验证方式对sram进行筛选，可以有效筛选出多种故障模式的sram，进而保证系统的稳定性。
105.进一步，在上述实施例的基础上，本发明实施例还提供了一种故障sram的筛选装置，该故障sram的筛选装置用于执行上述故障sram的筛选方法的步骤，图8示出了一种故障sram的筛选装置的结构示意图。具体地，如图8所示的一种故障sram的筛选装置的结构示意图，该装置包括：
106.温度设置模块801，用于设置测试温度；
107.测试模块802，用于基于测试温度，按照预先设置的读写顺序，使用测试模型对待测试sram进行测试；
108.判断模块803，用于判断测试模型的测试流程是否通过；
109.筛选模块804，用于在判断模块的判断结果为否时，结束测试流程，并将待测试sram确定为故障sram。
110.进一步地，上述测试模块802，还用于按照预先设置的读写顺序，先使用第一模型对待测试sram进行测试；当第一模型的测试通过时，使用第二模型对待测试sram进行测试；当第二模型的测试通过时，使用第三模型对待测试sram进行测试；上述判断模块803，还用于在任意一个测试模型的测试未通过时，确定测试模型的测试流程未通过。
111.进一步地，上述测试模块802，还用于按照预设的源数据写入规则，使用预先定义的写入方式写入测试数据；基于预设的校验方式，根据测试数据对待测试sram进行读校验操作；判断读校验操作的校验结果是否通过；如果否，则结束读校验操作，并将校验方式中的待测试sram确定为故障sram。
112.进一步地，上述测试模块802，还用于通过第一校验方式，将测试数据与待测试sram的数据进行比对，以进行读校验操作；判断第一校验方式的读校验结果是否通过；如果否，则结束读校验操作，并将第一校验方式中的待测试sram确定为故障sram；如果是，通过第二校验方式，将测试数据与待测试sram的数据进行比对，以进行读校验操作；判断第二校验方式的读校验结果是否通过；如果否，则结束读校验操作，并将第二校验方式中的待测试sram确定为故障sram；如果是，完成读校验操作。
113.进一步地，上述测试模块802，还用于将源数据集合对应的写入顺序中的第一个测试数据确定为读校验操作对应的测试数据，并根据待测试sram的容量大小，通过cpu写入方式写入满足待测试sram的容量大小的测试数据；当测试数据写入完成后，针对测试数据对待测试sram进行读校验操作；当读校验操作通过后，将源数据集合对应的写入顺序中的下一个测试数据确定为读校验操作对应的测试数据，并根据待测试sram的容量大小，通过cpu写入方式写入满足待测试sram的容量大小的源数据集合中的下一个测试数据；直到将写入顺序中的每一个测试数据均确定为读校验操作对应的测试数据，并通过cpu写入方式写入完成，且，对待测试sram进行的读校验操作通过后，将cpu写入方式转换为预设模块写入方式，重新写入读校验操作对应的每一个测试数据。
114.进一步地，上述测试模块802，还用于当测试数据写入完成后，等待预设的时长阈值后，针对测试数据对待测试sram进行读校验操作。
115.进一步地，上述测试模块802，还用于通过cpu写入方式写入预设的字节大小的测试数据；当预设的字节大小的测试数据写入完成后，使用第一校验方式和第二校验方式依次将预设的字节大小的测试数据与待测试sram的预设的字节大小的数据进行比较，并按照预设的校验重复次数执行比较过程，以对待测试sram进行读校验操作。
116.本发明实施例提供的一种故障sram的筛选装置，与上述实施例提供的一种故障sram的筛选方法具有相同的技术特征，所以也能解决相同的技术问题，达到相同的技术效果。
117.进一步，在上述实施例的基础上，本发明实施例还提供了一种筛选sram的软硬件系统，该筛选sram的软硬件系统用于执行上述故障sram的筛选方法，上述筛选sram的软硬件系统，包括ssd控制芯片，以及ssd控制芯片配置的cpu模块和dmacc模块；cpu模块、dmacc模块通过总线连接；其中，总线上还连接有待测试sram；cpu模块用于针对待测试sram执行测试模型对应的cpu写入方式的写入操作，以及测试模型对应的第一校验方式的读校验操作；dmacc模块用于针对待测试sram执行测试模型对应的预设模块写入方式的写入操作，以及测试模型对应的第二校验方式的读校验操作；软硬件系统还包括存储模块，用于存储固件程序和测试结果；固件程序用于实现筛选sram的测试策略。
118.本发明实施例提供的一种筛选sram的软硬件系统，与上述实施例提供的一种故障sram的筛选方法具有相同的技术特征，所以也能解决相同的技术问题，达到相同的技术效果。
119.本发明实施例还提供一种服务器，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述图1至图7任一所示的方法的步骤。上述服务器可以是ssd硬盘装置，其中，上述ssd硬盘装置还包括led灯，该led灯可以直观的显示sram的测试结果，或者，也可以通过上位机工具查看sram的测试结果。
120.本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行上述图1至图7任一所示的方法的步骤。
121.本发明实施例还提供了一种服务器的结构示意图，如图9所示，为该服务器的结构示意图，其中，该服务器包括处理器91和存储器90，该存储器90存储有能够被该处理器91执行的计算机可执行指令，该处理器91执行该计算机可执行指令以实现上述图1至图7任一所示的方法。
122.在图9示出的实施方式中，该服务器还包括总线92和通信接口93，其中，处理器91、通信接口93和存储器90通过总线92连接。
123.其中，存储器90可能包含高速随机存取存储器(ram，random access memory)，也可能还包括非易失性存储器(non-volatile memory)，例如至少一个磁盘存储器。通过至少一个通信接口93(可以是有线或者无线)实现该系统网元与至少一个其他网元之间的通信连接，可以使用互联网，广域网，本地网，城域网等。总线92可以是isa(industry standard architecture，工业标准体系结构)总线、pci(peripheral component interconnect，外设部件互连标准)总线或eisa(extended industry standard architecture，扩展工业标准
结构)总线等。总线92可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，图9中仅用一个双向箭头表示，但并不表示仅有一根总线或一种类型的总线。
124.处理器91可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器91中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器91可以是通用处理器，包括中央处理器(central processing unit，简称cpu)、网络处理器(network processor，简称np)等；还可以是数字信号处理器(digital signal processor，简称dsp)、专用集成电路(application specific integrated circuit，简称asic)、现场可编程门阵列(field-programmable gate array，简称fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本技术实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器，处理器91读取存储器中的信息，结合其硬件完成前述图1至图7任一所示的方法。
125.本发明实施例所提供的一种故障sram的筛选方法、装置及软硬件系统的计算机程序产品，包括存储了程序代码的计算机可读存储介质，所述程序代码包括的指令可用于执行前面方法实施例中所述的方法，具体实现可参见方法实施例，在此不再赘述。
126.所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统和装置的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
127.另外，在本发明实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
128.所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(rom，read-only memory)、随机存取存储器(ram，random access memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
129.在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
130.最后应说明的是：以上实施例，仅为本发明的具体实施方式，用以说明本发明的技术方案，而非对其限制，本发明的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭
露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的精神和范围，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

技术特征：

1.一种故障sram的筛选方法，其特征在于，所述方法包括：设置测试温度；基于所述测试温度，按照预先设置的读写顺序，使用多种测试模型对待测试sram进行测试；判断每种所述测试模型的测试流程是否通过；如果否，则结束所述测试流程，并将所述待测试sram确定为故障sram。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多种测试模型包括第一模型、第二模型和第三模型；其中，所述第一模型、所述第二模型和所述第三模型分别包括顺序写读校验模型、延时读校验模型和持续读校验模型中的一种，所述第一模型、所述第二模型和所述第三模型互不相同；所述按照预先设置的读写顺序，使用多种测试模型对待测试sram进行测试的步骤，包括：按照预先设置的读写顺序，先使用所述第一模型对所述待测试sram进行测试；当所述第一模型的测试通过时，使用所述第二模型对所述待测试sram进行测试；当所述第二模型的测试通过时，使用所述第三模型对所述待测试sram进行测试；所述判断每种所述测试模型的测试流程是否通过的步骤，包括：如果有任意一个所述测试模型的测试未通过，则确定所述测试模型的测试流程未通过。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述使用多种测试模型对待测试sram进行测试的步骤，包括：按照预设的源数据写入规则，使用预先定义的写入方式写入测试数据；基于预设的校验方式，根据所述测试数据对所述待测试sram进行读校验操作；判断所述读校验操作的校验结果是否通过；如果否，则结束所述读校验操作，并将所述校验方式中的待测试sram确定为故障sram。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预设的校验方式包括第一校验方式和第二校验方式，其中，所述第一校验方式和所述第二校验方式分别包括cpu校验和dmacc校验中的一种，所述第一校验方式和所述第二校验方式互不相同；所述基于预设的校验方式，根据所述测试数据对所述待测试sram进行读校验操作的步骤，包括：通过所述第一校验方式，将所述测试数据与所述待测试sram的数据进行比对，以进行所述读校验操作；判断所述第一校验方式的读校验结果是否通过；如果否，则结束所述读校验操作，并将所述第一校验方式中的待测试sram确定为故障sram；如果是，通过第二校验方式，将所述测试数据与所述待测试sram的数据进行比对，以进行所述读校验操作；判断所述第二校验方式的读校验结果是否通过；如果否，则结束所述读校验操作，并将所述第二校验方式中的待测试sram确定为故障sram；
如果是，完成所述读校验操作。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述源数据写入规则包括源数据集合，以及，所述源数据集合对应的写入顺序；所述源数据集合中包括多个测试数据，其中，所述多个测试数据为测试所述sram故障的典型测试数据；所述写入方式包括通过cpu写入方式和通过预设模块写入方式；所述待测试sram包括容量大小；如果所述测试模型为顺序写读校验模型，则使用顺序写读校验模型对待测试sram进行测试，所述按照预设的源数据写入规则，使用预先定义的写入方式写入测试数据；基于预设的校验方式，根据所述测试数据对所述待测试sram进行读校验操作的步骤，包括：将所述源数据集合对应的写入顺序中的第一个测试数据确定为读校验操作对应的测试数据，并根据所述待测试sram的容量大小，通过所述cpu写入方式写入满足所述待测试sram的容量大小的所述测试数据；当所述测试数据写入完成后，针对所述测试数据对所述待测试sram进行读校验操作；当所述读校验操作通过后，将所述源数据集合对应的写入顺序中的下一个测试数据确定为读校验操作对应的测试数据，并根据所述待测试sram的容量大小，通过所述cpu写入方式写入满足所述待测试sram的容量大小的所述源数据集合中的下一个测试数据；直到将所述写入顺序中的每一个测试数据均确定为读校验操作对应的测试数据，并通过所述cpu写入方式写入完成，且，对所述待测试sram进行的所述读校验操作通过后，将所述cpu写入方式转换为预设模块写入方式，重新写入所述读校验操作对应的每一个测试数据。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，如果所述测试模型为延时读校验模型，则使用延时读校验模型对待测试sram进行测试；所述当所述测试数据写入完成后，针对所述测试数据对所述待测试sram进行读校验操作的步骤，还包括：当所述测试数据写入完成后，等待预设的时长阈值后，针对所述测试数据对所述待测试sram进行读校验操作。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，如果所述测试模型为持续读校验模型，则使用持续读校验模型对待测试sram进行测试；所述第一校验方式和第二校验方式均包括预设的校验重复次数；所述源数据写入规则还包括预设的字节大小，其中，所述预设的字节大小小于所述待测试sram的容量大小；所述根据所述待测试sram的容量大小，通过所述cpu写入方式写入满足所述待测试sram的容量大小的所述测试数据；当所述测试数据写入完成后，针对所述测试数据对所述待测试sram进行读校验操作的步骤，包括：通过所述cpu写入方式写入预设的字节大小的测试数据；当所述预设的字节大小的测试数据写入完成后，使用第一校验方式和第二校验方式依次将所述预设的字节大小的测试数据与所述待测试sram的预设的字节大小的数据进行比较，并按照预设的校验重复次数执行所述比较的过程，以对所述待测试sram进行读校验操作。8.一种故障sram的筛选装置，其特征在于，所述故障sram的筛选装置用于执行权利要求1-7任一项所述的故障sram的筛选方法；
所述装置包括：温度设置模块，用于设置测试温度；测试模块，用于基于所述测试温度，按照预先设置的读写顺序，使用测试模型对待测试sram进行测试；判断模块，用于判断所述测试模型的测试流程是否通过；筛选模块，用于在所述判断模块的判断结果为否时，结束所述测试流程，并将所述待测试sram确定为故障sram。9.一种筛选sram的软硬件系统，其特征在于，所述筛选sram的软硬件系统用于执行权利要求1-7任一项所述的故障sram的筛选方法；所述筛选sram的软硬件系统，包括ssd控制芯片，以及所述ssd控制芯片配置的cpu模块和dmacc模块；所述cpu模块、dmacc模块通过总线连接；其中，所述总线上还连接有待测试sram；所述cpu模块用于针对所述待测试sram执行所述测试模型对应的cpu写入方式的写入操作，以及所述测试模型对应的第一校验方式的读校验操作；所述dmacc模块用于针对所述待测试sram执行所述测试模型对应的预设模块写入方式的写入操作，以及所述测试模型对应的第二校验方式的读校验操作；所述软硬件系统还包括存储模块，用于存储固件程序和测试结果；所述固件程序用于实现筛选sram的测试策略。10.一种服务器，其特征在于，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述权利要求1-7任一项所述的故障sram的筛选方法的步骤。

技术总结

本发明提供了一种故障SRAM的筛选方法、装置及软硬件系统，包括：设置测试温度；基于所述测试温度，按照预先设置的读写顺序，使用多种测试模型对待测试SRAM进行测试；判断每种所述测试模型的测试流程是否通过；如果否，则结束所述测试流程，并将所述待测试SRAM确定为故障SRAM。本发明基于设置的测试温度对SRAM进行测试，且，采用多种测试模型对SRAM进行筛选，另外，还在每种测试模型的测试流程没有通过时，直接结束测试流程，将该SRAM确定为筛选出来的SRAM，筛选模型多样且测试快速，能够快速且全面的筛选出来故障SRAM。面的筛选出来故障SRAM。面的筛选出来故障SRAM。