基于法拉第磁光效应仿真的磁光调制器设计方法[发明专利]

专利名称：基于法拉第磁光效应仿真的磁光调制器设计方法专利类型：发明专利

发明人：罗李娜，杨志勇，蔡伟，王振业，李洪才，仲启媛，张明娣申请号：CN202111387839.1

申请日：20211122

公开号：CN114154368A

公开日：

20220308

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种基于法拉第磁光效应仿真的磁光调制器设计方法，所述设计方法包括以下步骤：构建螺线管的三维螺线管模型并计算螺线管的磁场分布；根据基于法拉第效应宏观理论的推导式计算磁场作用下磁光材料的介电张量非对角元项；构建三维磁光玻璃模型并根据磁光材料的介电张量非对角元项配置磁场作用下磁光玻璃模型的电磁参数后，仿真计算磁光玻璃模型的电场分布，在此基础上，通过不断调整参数进行仿真得到适配应用需求的磁光调制器参数；依据磁光调制器参数设计磁光调制器。这样能够提升磁光调制器的应用需求适配性。

申请人：中国人民解放军火箭军工程大学

地址：710025 陕西省西安市灞桥区洪庆镇同心路2号

国籍：CN

代理机构：杭州天勤知识产权代理有限公司

代理人：曹兆霞

本文发布于:2024-09-21 20:23:22，感谢您对本站的认可！

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