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钨化学机械研磨方法及钨插塞的制造方法[发明专利]

专利名称：钨化学机械研磨方法及钨插塞的制造方法专利类型：发明专利

发明人：李健，邓永平

申请号：CN200710094561.2

申请日：20071213

公开号：CN101456153A

公开日：

20090617

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：一种钨化学机械研磨方法，包括：提供具有介质层的半导体结构，在所述介质层中具有开口，在所述开口中和介质层上依次具有金属阻挡层和钨金属层；执行第一阶段化学机械研磨，去除所述介质层上的部分厚度的钨金属层；执行第二阶段化学机械研磨，去除所述介质层上剩余的钨金属层和金属阻挡层；执行第三阶段化学机械研磨，去除部分厚度的介质层。本发明还提供一种钨插塞的制造方法。本发明在制造钨插塞时可减少凹陷的缺陷。

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址：201203 上海市浦东新区张江路18号

国籍：CN

代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：李丽

本文发布于:2024-09-21 16:36:14，感谢您对本站的认可！

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