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一种电沉积硅的方法[发明专利]

专利名称：一种电沉积硅的方法

专利类型：发明专利

发明人：李运刚，梁精龙，田薇，何小凤申请号：CN200710106013.7

申请日：20070529

公开号：CN101054675A

公开日：

20071017

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：一种电沉积硅的方法，属电解和电泳技术领域，用于解决以熔盐为介质，在直流电的作用下，由SiO一步电沉积出硅的问题。特别之处是：它以NaCl、KCl、NaF构成的三组元为介质，其中NaCl、KCl、NaF三组元的摩尔比为：1∶1∶0.5～1∶1∶4.5，加入占熔盐介质质量百分数的10％的粉状SiO；经过预电解除杂，在电沉积温度800℃～950℃、电沉积时间0.5～3小时、电流密度为500A/m～1000A/m电沉积出纯硅。本发明其特点如下：1.构成熔盐的组元为常用廉价药剂，易获得，成本低，且消耗少。2.生产工艺简单，过程容易控制。本发明方法在半导体器件的制造中具有很好的应用前景。

申请人：河北理工大学

地址：063009 河北省唐山市路南区新华西道46号

国籍：CN

代理机构：石家庄冀科专利商标事务所有限公司

本文发布于:2024-09-22 17:30:44，感谢您对本站的认可！

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