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一种提升局部背电场(LBSF)工艺稳定性的方法[发明专利]

专利名称：一种提升局部背电场(LBSF)工艺稳定性的方法专利类型：发明专利

发明人：吴俊旻，张鹏，王岚，尹丙伟，杨蕾

申请号：CN201910923602.7

申请日：20190924

公开号：CN110783424A

公开日：

20200211

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种提升局部背电场(LBSF)工艺稳定性的方法，属于晶硅太阳能电池生产制造技术领域中的一种电池制造工艺，其目的在于提供一种提升局部背电场(LBSF)工艺，其技术方案为(1)PERC电池的半成品加工；(2)采用激光在步骤(1)中PERC电池的半成品的背面氧化铝及氮化硅膜进行激光开槽；(3)使用丝网印刷将硼源印刷至激光开槽区域；(4)采用激光在步骤(3)将硼源上的硼原子掺杂至PERC电池半成品中部的P型硅中；(5)采用HF溶液对磷源进行清洗；(6)采用丝网印刷形成PERC电池成品；本发明提供一种提升局部背电场(LBSF)工艺稳定性的方法，在局部背电场的工艺中额外添加一道激光工艺，就能有效提升效率以及产品的良率，进而提升产品的加工效率和质量。

申请人：通威太阳能(成都)有限公司

地址：610299 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区工业集中发展区六期内

国籍：CN

代理机构：成都弘毅天承知识产权代理有限公司

代理人：谢建

本文发布于:2024-09-22 06:58:48，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/tex/2/433451.html

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