(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201610714671.3
(22)申请日 2016.08.24
(71)申请人 安徽正田能源科技有限公司
地址 239300 安徽省滁州市天长市经济开
发区纬三路128号
(72)发明人 吕凤岗 程林 曹来福 戴珍旭
胡正田
(74)专利代理机构 安徽信拓律师事务所 34117
代理人 张加宽
(51)Int.Cl.
C11D 1/14(2006.01)
C11D 3/04(2006.01)
C11D 3/06(2006.01)
C11D 3/08(2006.01)
C11D 3/20(2006.01)
C11D 3/60(2006.01)
(54)发明名称
(57)摘要
一种用于硅片清洗的酸性超声波清洗剂，涉
成：丙醇80-86份、苯酚15-25份、羧甲基纤维素钠
2-4份、椰油酸6-8份、胶体粒子15-25份、烷基磺
酸钠2-4份、焦磷酸钾6-8份、滑石粉15-25份、醋
酸20-30份、柠檬酸6-8份、葡糖酸洗必太3-5份、
葡庚糖酸钠2-4份、去离子水850-860份。本发明
的有益效果是：本发明制备方法简单，配方合理，
制备的清洗剂，配合超声波清洗技术，能高效去
除附着硅片上的各种污垢，效果良好，不会产生
残留，无污染，清洗效果显著，原料易得，成本低
下。权利要求书1页 说明书2页CN 106336953 A 2017.01.18
C N 106336953
A
1.一种用于硅片清洗的酸性超声波清洗剂，其特征在于，由以下重量份的原料制成：丙醇80-86份、苯酚15-25份、羧甲基纤维素钠2-4份、椰油酸6-8份、胶体粒子15-25份、烷基磺酸钠2-4份、焦磷酸钾6-8份、滑石粉15-25份、醋酸20-30份、柠檬酸6-8份、葡糖酸洗必太3-5份、葡庚糖酸钠2-4份、去离子水850-860份。
2.根据权利要求1所述的一种用于硅片清洗的酸性超声波清洗剂，其特征在于，各原料的优选分量为：丙醇83份、苯酚20份、羧甲基纤维素钠3份、椰油酸7份、胶体粒子20份、烷基磺酸钠3份、焦磷酸钾7份、滑石粉20份、醋酸25份、柠檬酸7份、葡糖酸洗必太4份、葡庚糖酸钠3份、去离子水855份。
3.根据权利要求1所述的一种用于硅片清洗的酸性超声波清洗剂，其特征在于：上述原料中胶体粒子由硅藻土、氧化硅、白土、膨润土中意任意一种或几种复配而成。
4.制备上述权利要求1或2的方法，其特征在于，包括以下制备步骤：
1)将上述原料中丙醇、苯酚、羧甲基纤维素钠、椰油酸、烷基磺酸钠和焦磷酸钾溶于原料中的去离子水中，高速搅拌直至各物料混合均匀；
2)将原料中的胶体粒子预先研磨至颗粒细度为20-22um后，与步骤1中的原料进行合并混合，并搅拌直至混合均匀；
3)将原料中的剩余原料预先采用放入搅拌罐中，并加热至35-40℃，然后开启搅拌，搅拌均匀后，与步骤2中的原料混合，控制转速2500-2600r/min，高速搅拌35-45min后，出料，即可得到。
权 利 要 求 书1/1页CN 106336953 A
一种用于硅片清洗的酸性超声波清洗剂
技术领域
[0001]本发明涉及硅材料加工技术领域，具体涉及一种用于硅片清洗的酸性超声波清洗剂。
背景技术
[0002]硅材料，是重要的半导体材料，化学元素符号Si，电子工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能，硅是产量最大、应用最广的半导体材料，它的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平，单晶硅在太阳能电池中的应用，高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天，利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿能源革命的开始。
[0003]硅片是硅材料存在的一种物理形式，在正常的应用中，硅片，是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力，科学技术的发展不断推动着半导体的发展，自动化和计算机等技术发展，使硅片这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度，然而硅片在加工时，不同的工艺节点都会使得硅片加工出现瑕疵。
[0004]硅片一般都是通过相应的硅碇进行切片而成，由于在切割时，应用大量的切削液，润滑液等化学试剂，因此硅片在切割后，在其本身会存留有大量的化学污渍，此类污渍附着在加工成型后的硅片表面，
会影响硅片本身性能，因此必须进行相应的清洗，硅片清洗相对于普通材料清洗不同，如果清洗不当，很容易将硅片表面划伤或者磕伤，因此超声波清洗时相对较为温和的清洗方法，但是现有的技术中，利用超声波技术进行清洗的清洗剂一般都是普通的清洗试剂，这种试剂在进行使用时，清洗的效果并不明显，并且清洗后也会有部分附着在硅片表面，还会对硅片造成损伤，造成二次污染等技术问题。
发明内容：
[0005]本发明所要解决的技术问题在于提供一种配方合理，清洗效果显著的用于硅片清洗的酸性超声波清洗剂。
[0006]本发明所要解决的技术问题采用以下技术方案来实现：
[0007]一种用于硅片清洗的酸性超声波清洗剂，其特征在于，由以下重量份的原料制成：[0008]丙醇80-86份、苯酚15-25份、羧甲基纤维素钠2-4份、椰油酸6-8份、胶体粒子15-25份、烷基磺酸钠2-4份、焦磷酸钾6-8份、滑石粉15-25份、醋酸20-30份、柠檬酸6-8份、葡糖酸洗必太3-5份、葡庚糖酸钠2-4份、去离子水850-860份。
[0009]上述原料优选分量为：
[0010]丙醇83份、苯酚20份、羧甲基纤维素钠3份、椰油酸7份、胶体粒子20份、烷基磺酸钠3份、焦磷
酸钾7份、滑石粉20份、醋酸25份、柠檬酸7份、葡糖酸洗必太4份、葡庚糖酸钠3份、去离子水855份。
[0011]上述原料中胶体粒子由硅藻土、氧化硅、白土、膨润土中意任意一种或几种复配而
成，胶体粒子起研磨和吸附作用，达到洗净的目的。
[0012]上述清洗剂的制备方法为：
[0013]1)将上述原料中丙醇、苯酚、羧甲基纤维素钠、椰油酸、烷基磺酸钠和焦磷酸钾溶于原料中的去离子水中，高速搅拌直至各物料混合均匀；
[0014]2)将原料中的胶体粒子预先研磨至颗粒细度为20-22um后，与步骤1中的原料进行合并混合，并搅拌直至混合均匀；
[0015]3)将原料中的剩余原料预先采用放入搅拌罐中，并加热至35-40℃，然后开启搅拌，搅拌均匀后，与步骤2中的原料混合，控制转速2500-2600r/min，高速搅拌35-45min后，出料，即可得到。
[0016]本发明的有益效果是：本发明制备方法简单，配方合理，制备的清洗剂，配合超声波清洗技术，能高效去除附着硅片上的各种污垢，效果良好，不会产生残留，无污染，清洗效果显著，原料易得，成本低下。
具体实施方式
[0017]为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。
[0018]实施例1
[0019]称取：丙醇80kg、苯酚15kg、羧甲基纤维素钠2kg、椰油酸6kg、胶体粒子15kg、烷基磺酸钠2kg、焦磷酸钾6kg、滑石粉15kg、醋酸20kg、柠檬酸6kg、葡糖酸洗必太3kg、葡庚糖酸钠2kg、去离子水850kg。
[0020]实施例2
[0021]称取：丙醇83kg、苯酚20kg、羧甲基纤维素钠3kg、椰油酸7kg、胶体粒子20kg、烷基磺酸钠3kg、焦磷酸钾7kg、滑石粉20kg、醋酸25kg、柠檬酸7kg、葡糖酸洗必太4kg、葡庚糖酸钠3kg、去离子水855kg。
[0022]制备上述实施例1或2的方法为：
[0023]1)将上述原料中丙醇、苯酚、羧甲基纤维素钠、椰油酸、烷基磺酸钠和焦磷酸钾溶于原料中的去离子水中，高速搅拌直至各物料混合均匀；
[0024]2)将原料中的胶体粒子预先研磨至颗粒细度为20-22um后，与步骤1中的原料进行合并混合，并搅拌直至混合均匀；
[0025]3)将原料中的剩余原料预先采用放入搅拌罐中，并加热至35-40℃，然后开启搅拌，搅拌均匀后，与步骤2中的原料混合，控制转速2500-2600r/min，高速搅拌35-45min后，出料，即可得到。
[0026]以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
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