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在气体环境中执行曝光处理的基片处理系统[发明专利]

专利名称：在气体环境中执行曝光处理的基片处理系统专利类型：发明专利

发明人：城户秀作，饭尾善秀，池田雅树

申请号：CN200410071263.8

申请日：20020828

公开号：CN1555084A

公开日：

20041215

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：一种能够将曝光处理气体喷向设置在小室中的基片上的基片处理系统。小室用来在通过蒸发有机溶剂溶液获得的气体环境中执行在基片表面上形成有机薄膜的曝光处理，以便溶解和回流有机薄膜。基片处理系统包括：具有至少一个进气口和至少一个出气口的小室；将曝光处理气体由进气口导入小室的气体导入装置；和气体分配装置。气体分配装置将小室的内部空间分成曝光气体经过进气口进入的第一空间和设置基片的第二空间。气体分配装置具有多个开口，通过开口第一空间和第二空间相互连通；和气体分配装置将导入第一空间的曝光气体经过开口导入第二空间。

申请人：NEC液晶技术株式会社

地址：日本神奈川县

国籍：JP

代理机构：中科专利商标代理有限责任公司

代理人：朱进桂

本文发布于:2024-09-20 15:33:41，感谢您对本站的认可！

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