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一种单外部驱动的MOSFET管串联高压模块[发明专利]

专利名称：一种单外部驱动的MOSFET管串联高压模块专利类型：发明专利

发明人：庞磊，龙天骏，周晨晖，叶明天，陈炫宇，蔡付炜

申请号：CN201910230132.6

申请日：20190325

公开号：CN109995224A

公开日：

20190709

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本公开揭示了一种单外部驱动的MOSFET管串联高压模块，包括：依次串联的MOSFET管M～M、栅源极并联均压电阻R～R、储能电容C、栅极触发电容C～C、漏源极并联均压电阻R～R、外部驱动电路及负载。本公开还揭示了一种基于单外部驱动的MOSFET管串联高压模块的marx发生器。本公开一方面能较好解决传统半导体器件串联中复杂的驱动隔离问题，实现模块小型化；另一方面通过栅极触发电容交错连接，能够较好改善较多器件串联应用时器件导通的乱序问题。

申请人：西安交通大学

地址：710049 陕西省西安市咸宁西路28号

国籍：CN

代理机构：北京中济纬天专利代理有限公司

代理人：覃婧婵

本文发布于:2024-09-24 01:23:04，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/tex/2/427483.html

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