专利类型：发明专利
发明人：张凤嘉，任俊江，薇儿妮卡·夏丽叶，张灵，肖益波申请号：CN202010070654.7
申请日：20200121
公开号：CN111074239A
公开日：
20200428
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开一种LPCVD双材质真空反应室，其包括反应室、进气组件及出气管，进气组件与外部气源连接，反应室包括外层腔体及设在外层腔体内的内层腔体；进气组件包括至少一个左进气管及至少一个右进气管，每一个左进气管的进气口设置在反应室长度方向的一端部，每一个右进气管的进气口设置在反应室长度方向的另一端部，左进气管和右进气管上均设有多个出气孔。本发明设计的真空反应室，反应室两端均有进气管进行气体扩散，使得反应室内气体分散广泛均匀，出气稳定，提高硅片薄膜均匀性及工艺质量，提高产品优良率；真空反应室采用双层结构，真空性优异，抗冲击性能强，提高整体反应室的强度，提高使用寿命。 地址：215000 江苏省苏州市苏州相城区经济技术开发区漕湖街道漕湖产业园方桥路569号航空产业园A5标准厂房
国籍：CN
代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人：吴芳
豫公网安备41160202000603
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