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一种制备钽酸锂晶片的方法[发明专利]

专利名称：一种制备钽酸锂晶片的方法

专利类型：发明专利

发明人：刘子骥，梁志清，郑兴，黎威志，于云飞，谢佳林，李宁亮申请号：CN201310481244.1

申请日：20131015

公开号：CN103603054A

公开日：

20140226

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明实施例公开了一种制备钽酸锂晶片的方法，包括：获取钽酸锂基片；清洗钽酸锂基片；将钽酸锂基片置于腐蚀溶液中，并且在钽酸锂基片的中心位置处加热腐蚀溶液，使钽酸锂基片在腐蚀溶液中腐蚀第一时间，获得钽酸锂晶片；清洗并干燥钽酸锂晶片。本发明的实施例的方法中，对钽酸锂基片进行腐蚀时，在钽酸锂基片的中心位置处加热腐蚀溶液，通过对该加热位置的控制，实现了对钽酸锂基片表面的温度分布的控制，进而控制了腐蚀速率，从而可以控制腐蚀后的表面粗糙度和均匀性。该方法制备的钽酸锂晶片的表面均匀性好，表面粗糙度小，并且背侵、背花等问题得到改善。

申请人：电子科技大学

地址：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

国籍：CN

代理机构：成都行之专利代理事务所(普通合伙)

代理人：谭新民

本文发布于:2024-09-24 13:15:47，感谢您对本站的认可！

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