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一种适用于发光二极管外延片生长的石墨基座[发明专利]

专利名称：一种适用于发光二极管外延片生长的石墨基座专利类型：发明专利

发明人：胡任浩，丁杰，周飚，胡加辉

申请号：CN201810547154.0

申请日：20180531

公开号：CN108987539A

公开日：

20181211

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种适用于发光二极管外延片生长的石墨基座，属于半导体技术领域。石墨基座为圆柱体，石墨基座的一个圆形底面上设有多个凹槽，多个凹槽内以及圆形底面上均铺设有碳化硅层；凹槽与圆形底面平行的截面的边缘包括第一圆弧、第二圆弧、第一连接线和第二连接线，第一圆弧的圆心和第二圆弧的圆心均在第一圆弧和第二圆弧之间，第一圆弧的直径大于第二圆弧的直径，第二圆弧的圆心角大于180°，第一圆弧的第一端点和第二圆弧的第一端点通过第一连接线连接，第一圆弧的第二端点和第二圆弧的第二端点通过第二连接线连接；最靠近圆形底面的边缘的点属于第一圆弧，最靠近圆形底面的中心的点属于第二圆弧。本发明可改善外延片均匀性和边缘良率。

申请人：华灿光电(浙江)有限公司

地址：322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号

国籍：CN

代理机构：北京三高永信知识产权代理有限责任公司

代理人：徐立

本文发布于:2024-09-23 00:27:52，感谢您对本站的认可！

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