专利类型：发明专利
发明人：贺利军，赵勃阳，何承运，谢治杨，张金沙，戚飞，张楠，陈伟中
申请号：CN202011409291.1
申请日：20201204
公开号：CN112420830A
公开日：
20210226
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及一种具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件，属于半导体射频器件技术领域。该InP高电子迁移率晶体管器件结构包括金属源极、金属漏极、金属多指形栅极、金属背栅、InGaAs 盖帽层、InAlAs肖特基势垒层、InAlAs间隔层、InGaAs沟道层、InAlAs缓冲层、InP衬底。该器件结构特点在于：使用了多指形栅和背栅作为栅极，并在InAlAs肖特基势垒层和InGaAs沟道层引入了两层δ掺杂，减小了栅极的寄生参数，并减弱因缩小栅极尺寸而引起的短沟道效应。本发明在保证器件的正向导通性能不改变的前提下，通过减小栅极寄生参数和引入δ掺杂，能够有效地提高器件的截止频率和最大振荡频率。
申请人：重庆邮电大学
地址：400065 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号
国籍：CN
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司
代理人：赵荣之
豫公网安备41160202000603
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