晶圆弯曲度测算方法[发明专利]

专利名称：晶圆弯曲度测算方法专利类型：发明专利

发明人：傅荣颢，刘玮荪

申请号：CN201110296332.5申请日：20110930

公开号：CN102394225A

公开日：

20120328

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供了Wafer Bow测算方法，以在减薄工艺前就测算出Wafer Bow，避免减薄工艺完成后才发现Wafer Bow不符合要求带来的各类损失。本发明提供的一种Wafer Bow测算方法，包括步骤：获得减薄前Wafer的曲面半径R及减薄后wafer的计划厚度T；根据所述曲面半径R和计划厚度T，计算出减薄后wafer的Wafer Bow为t，该计算所采用的模型为：t＝[RT-(RT-

rT)]/T+C(0/T)，其中T为减薄前晶圆厚度，r为晶圆半径，C为减薄前由晶圆重力而产生的晶圆弯曲度。

申请人：上海宏力半导体制造有限公司

地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

国籍：CN

代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：郑玮

本文发布于:2024-09-20 15:07:44，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/tex/2/411752.html

上一篇：...聚合物材料背涂的热风激光封边条[发明专利]

下一篇：一种富有机硒玉米胚芽粉的生产方法[发明专利]