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一种刻蚀方法及系统[发明专利]

专利名称：一种刻蚀方法及系统

专利类型：发明专利

发明人：陈天磊，史书刚，韩玉成，彭昌文，黄钰洁，方亮，朱威禹，廖东

申请号：CN201910593369.0

申请日：20190703

公开号：CN110190020A

公开日：

20190830

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供一种刻蚀方法及系统，涉及技术领域。该刻蚀方法用于对基片进行干法刻蚀，刻蚀方法包括以下步骤：将硅胶垫的一面与基片的一面紧贴；将硅胶垫的另一面与散热组件紧贴；对基片进行刻蚀。通过在基片上贴附硅胶垫的方式保证基片与散热组件之间的紧贴，从而避免在刻蚀过程中基片散热的不均匀，进而提高良品率和生产效率。

申请人：中国振华集团云科电子有限公司，贵州振华电子信息产业技术研究有限公司

地址：550000 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段268号附1号

国籍：CN

代理机构：北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：倪静

本文发布于:2024-09-21 13:21:27，感谢您对本站的认可！

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