一种具有异质结的超结逆导型IGBT

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114256331 A (43)申请公布日 2022.03.29

(21)申请号 CN202111584337.8

(22)申请日 2021.12.22

(71)申请人电子科技大学

地址 611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

(72)发明人陈万军吴毅夏云孙瑞泽刘超张波

(74)专利代理机构 51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)

代理人葛启函

(51)Int.CI

H01L29/06(20060101)

H01L29/739(20060101)

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种具有异质结的超结逆导型IGBT

(57)摘要

本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有异质结的超结逆导型IGBT。本发明的异质结的超结逆导型IGBT，其元胞结构包括集电极结构、耐压层结构、栅极结构和发射极结构，相对于传统结构，首先本发明的集电极结构进行了改进，将绝缘介质设置在集电极金属中部，将集电极区完全设置在N漂移区下方，同时将另一侧的P漂移区及漂移区之上的P阱、P接触区都采用碳化硅制作，从而本发明的异质结超结逆导型IGBT消除了传统超结逆导型IGBT正向导通时的snapback现象，并且反向恢复电荷可以有效降低。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-03-29	公开	发明专利申请公布
2022-04-15	实质审查的生效IPC(主分类):H01L29/06专利申请号:2021115843378申请日:20211222	实质审查的生效
2023-04-25	授权	发明专利权授予