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电子束正性光刻胶Zep 520 掩蔽介质刻蚀的方法[发明专利]

专利名称：电子束正性光刻胶Zep 520 掩蔽介质刻蚀的方法专利类型：发明专利

发明人：徐秋霞，周华杰

申请号：CN200910236719.4

申请日：20091028

公开号：CN102054668A

公开日：

20110511

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：一种电子束正性光刻胶Zep 520掩蔽介质刻蚀的方法，在介质瞙上沉积一层α-Si薄膜，然后将电子束直写光刻技术得到的高分辨率Zep 520胶图形作为掩瞙，用氯(Cl)基等离子刻蚀α-Si，将高分辨率Zep 520胶图形转移到其下层的α-Si瞙上，接着去除Zep 520胶，进一步利用具有良好保真性的α-Si瞙图形为掩膜，采用F基反应离子刻蚀介质形成凹槽图形，最后用湿法或干法将α-Si瞙去净即可。本发明提供的方法简单可行，完全与CMOS工艺兼容，不增加专门的设备，成本低，易于在介质中实现高精度的纳米尺度凹槽图形，解决了新结构CMOS器件制备中的一大难题。

申请人：中国科学院微电子研究所

地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号

国籍：CN

代理机构：中科专利商标代理有限责任公司

代理人：周长兴

本文发布于:2024-09-23 13:24:49，感谢您对本站的认可！

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