一种基于自热效应的FinFET器件建模仿真优化方法和系统

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 113343501 A (43)申请公布日 2021.09.03

(21)申请号 CN202110777486.X

(22)申请日 2021.07.09

(71)申请人华南理工大学

地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号

(72)发明人李斌卢丹吴朝晖

(74)专利代理机构 44295 广州海心联合专利代理事务所(普通合伙)

代理人黄为;冼俊鹏

(51)Int.CI

G06F30/20(20200101)

G06F119/08(20200101)

G06F119/14(20200101)

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种基于自热效应的FinFET器件建模仿真优化方法和系统

(57)摘要

本发明公开了一种基于自热效应的FinFET器件建模仿真优化方法和系统，该方法包括：基于通用数据，运用仿真软件建立FinFET器件模型并进行电仿真，获取电特性参数；通过对FinFET器件模型进行热仿真，获得热参数；根据所述热参数修改仿真的环境温度，在FinFET器件受自热影响的环境下修正FinFET器件模型的电特性参数；最后建立基于自热效应的FinFET器件模型。本发明提供的一种基于自热效应的FinFET器件建模仿真优化方法和系统，与不考虑自热效应的传统建模相比较，能够降低器件仿真的误差、提高建模的精准性、提高可靠性分析的准确性。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2021-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2021-09-03	公开	公开
2022-10-18	发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):G06F30/20专利申请号:202110777486X申请公布日:20210903	发明专利申请公布后的驳回