一种转印图案化电极制备微米LED的方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 113937244 A (43)申请公布日 2022.01.14

(21)申请号 CN202111005348.6

(22)申请日 2021.08.30

(71)申请人福州大学;闽都创新实验室

地址 350108 福建省福州市闽侯县福州大学城乌龙江北大道2号福州大学

(72)发明人李福山郑文晨郑悦婷孟汀涛赵等临毛超民胡海龙郭太良

(74)专利代理机构 35100 福州元创专利商标代理有限公司

代理人郭东亮;蔡学俊

(51)Int.CI

H01L51/56(20060101)

H01L51/50(20060101)

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种转印图案化电极制备微米LED的方法

(57)摘要

本发明提出一种转印图案化电极制备微米LED的方法，所述方法中，先制备带图案凹槽的PDMS印章，再通过PDMS印章在PET面上印制图案形状的PVA图形，然后以印制出的PVA图形制备图案化的电极，在图案化的电极上依次沉积空穴注入层、空穴传输层、量子点薄膜、电子传输层、金属阴极；本发明所述方法可以使QLED器件的像素尺寸缩小至微米级别，从而获得高亮度、高PPI的显示像素单元。

法律状态