封装结构的制作方法

1.本技术涉及电路板封装领域，具体涉及一种封装结构。

背景技术：

2.现有的封装结构包括电路板和设于电路板开槽内的内埋元件，内埋元件包括引脚，引脚与电路板一外侧线路层电连接。
3.然而，由于只有引脚朝向外侧线路层的内埋元件才可以与电路板实现电连接，制约了电路板内埋元件的数量。

技术实现要素：

4.鉴于此，本技术提供一种有利于提高埋件数量的封装结构。
5.本技术提供一种封装结构，包括内埋元件，所述封装结构还包括内层线路单元，所述内层线路单元包括在第一方向叠设的基层和第一导电线路层，所述内层线路单元中设置有开槽，所述开槽贯穿所述第一导电线路层和至少部分所述基层，所述第一导电线路层包括第一线路区和第二线路区，在垂直于所述第一方向的第二方向上，所述第一线路区和所述第二线路区分别位于所述开槽两侧；
6.所述封装结构还包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层形成所述开槽在所述第二方向上相对的两个侧壁，所述第一导电层电连接所述第一线路区，所述第二导电层电连接所述第二线路区，所述内埋元件包括元件本体、第一引脚和第二引脚，所述第一引脚朝向所述第一导电层并电连接所述元件本体和所述第一导电层，所述第二引脚朝向所述第二导电层并电连接所述元件本体和所述第二导电层。
7.可选地，所述开槽包括在所述第二方向依次排列的第一通孔、第二通孔和第三通孔，所述第一导电层设于所述第一通孔的侧壁上，所述第二导电层设于所述第三通孔的侧壁上。
8.可选地，所述内层线路单元还包括第二导电线路层，所述第二导电线路层置于所述基层远离所述第一导电线路层的一侧，所述开槽还贯穿所述第二导电线路层，所述第二导电线路层包括第三线路区和第四线路区，在所述第二方向上，所述第三线路区和所述第四线路区分别位于所述开槽两侧，所述第三线路区与所述第一导电层电连接，所述第四线路区与所述第二导电层电连接。
9.可选地，所述内埋元件的数量为至少两个，至少两个所述内埋元件在所述第一方向上叠设于所述开槽内。
10.可选地，所述封装结构还包括设于所述开槽内的绝缘层，所述绝缘层包覆所述内埋元件。
11.可选地，所述封装结构还包括第一外层线路单元，所述第一外层线路单元包括第一介电层和第三导电线路层，所述第一介电层覆盖所述第一导电线路层和所述开槽上方，所述第三导电线路层置于所述第一介电层远离所述第一导电线路层的一侧，所述第三导电
线路层与所述第一导电线路层电连接。
12.可选地，所述封装结构还包括第二外层线路单元，所述第二外层线路单元包括第二介电层和第四导电线路层，所述第二介电层覆盖所述第二导电线路层和所述开槽上方，所述第四导电线路层置于所述第二介电层远离所述第二导电线路层的一侧，所述第四导电线路层与所述第二导电线路层电连接。
13.可选地，所述第三导电线路层上电连接有焊球，所述焊球远离所述第一导电线路层凸设于所述第三导电线路层。
14.可选地，所述封装结构还包括第一保护层，所述第一保护层覆盖所述第三导电线路层和所述开槽上方，所述焊球凸设于所述第一保护层。
15.可选地，所述封装结构还包括第二保护层，所述第二保护层覆盖所述第四导电线路层和所述开槽上方。
16.相比于现有技术，本技术通过在开槽侧壁上设置分别与所述第一线路区和所述第二线路区电连接的所述第一导电层和所述第二导电层，所述内埋元件分别与所述第一导电层和所述第二导电层电连接即可分别与所述第一线路区和所述第二线路区实现电连接，使得可以在所述开槽内叠设多个所述内埋元件，从而可以提高所述封装结构的埋件数量。
附图说明
17.图1为本技术实施例提供的封装结构的剖面示意图；
18.图2为图1所述封装结构中内埋元件与第一导电层和所述第二导电层的连接俯视图；
19.图3为制备图1所述封装结构提供的双面覆金属基板的剖面图；
20.图4为在图3所述双面覆金属基板上形成第一通孔和第三通孔的剖面图；
21.图5为在图4所述双面覆金属基板的双金属表面、第一通孔和第三通孔上形成第一电镀层和第二电镀层的剖面图；
22.图6为在图5所述双面覆金属基板上形成开槽的剖面图；
23.图7为在图6所述开槽内放置内埋元件的剖面图；
24.图8为在图7所述开槽内形成第一导电层和第二导电层的剖面图；
25.图9为在图8所述开槽内填充绝缘树脂形成绝缘层的剖面图；
26.图10为在图9所述第一电镀层和所述第二电镀层上分别形成第一导电线路层和第二导电线路层的剖面图；
27.图11为在图10所述第一导电线路层和所述第二导电线路层上分别形成第一介电层和第二介电层的剖面图；
28.图12为在图11所述第一介电层和所述第二介电层上分别形成第三导电线路层和第四导电线路层的剖面图；
29.图13为在图12所述第三导电线路层和所述第四导电线路层上分别形成第一保护层和第二保护层的剖面图。
30.主要元件符号说明
31.封装结构
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100
32.内埋元件
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10
33.元件本体
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11
34.第一引脚
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12
35.第二引脚
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13
36.内层线路单元
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20
37.双面覆金属基板
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201
38.基层
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21
39.第一金属层
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202
40.第二金属层
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203
41.第一通孔
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204
42.第二通孔
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205
43.第三通孔
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206
44.第一导电线路层
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22
45.第一线路区
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221
46.第二线路区
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222
47.第二导电线路层
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23
48.第三线路区
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231
49.第四线路区
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232
50.开槽
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30
51.第一导电层
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31
52.第二导电层
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32
53.绝缘层
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33
54.第一电镀层
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301
55.第二电镀层
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302
56.第三电镀层
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303
57.第四电镀层
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304
58.焊球
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40
59.第一外层线路单元
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50
60.第一介电层
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51
61.第三导电线路层
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52
62.第二外层线路单元
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60
63.第二介电层
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61
64.第四导电线路层
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62
65.第一保护层
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70
66.第三通孔
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71
67.第二保护层
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80
68.第一方向
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x
69.第二方向
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具体实施方式
71.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
72.需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。当一个元件被认为是“设置于”另一个元件，它可以是直接设置在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。
73.参照图1，本技术提供了一种封装结构100，所述封装结构100包括内埋元件10和内层线路单元20。所述内层线路单元20包括在第一方向x上叠设的基层21和第一导电线路层22。所述内层线路单元20中设置有开槽30，所述开槽30贯穿所述第一导电线路层22和至少部分所述基层21。所述第一导电线路层22包括第一线路区221和第二线路区222。在垂直于所述第一方向x的第二方向y上，所述第一线路区221和所述第二线路区222分别位于所述开槽30两侧。所述封装结构100还包括第一导电层31和第二导电层32。所述第一导电层31和所述第二导电层32形成所述开槽30在所述第二方向y上相对的两个侧壁。所述第一导电层31电连接所述第一线路区221，所述第二导电层32电连接所述第二线路区222。所述内埋元件10包括元件本体11、第一引脚12和第二引脚13，所述第一引脚12朝向所述第一导电层31并电连接所述元件本体11和所述第一导电层31，所述第二引脚13朝向所述第二导电层32并电连接所述元件本体11和所述第二导电层32。
74.本技术通过在所述侧壁上设置分别与所述第一线路区221和所述第二线路区222电连接的所述第一导电层31和所述第二导电层32，所述内埋元件10分别与所述第一导电层31和所述第二导电层32电连接即可分别与所述第一线路区221和所述第二线路区222实现电连接，使得可以在所述开槽30内叠设多个所述内埋元件10，从而可以提高所述封装结构100的埋件数量。
75.在本实施例中，参照图1，所述第一导电线路层22的层数为一层，在另外的实施例中，所述第一导电线路层22的层数可以为至少两层。
76.在一些实施例中，所述第一导电线路层22、所述第一引脚12和所述第二引脚13的材料可以为铜，但不仅限于铜，所述第一导电层31和所述第二导电层32的材料可以为铜和导电树脂中的一个，但不仅限于铜或者导电树脂。所述基层21的材料包括但不限于高分子玻璃纤维复合材料基板、玻璃基板、陶瓷基板、绝缘硅基板、聚酰亚胺玻璃纤维复合基板。所述开槽30的开槽方式可以采用机械开槽和激光开槽。在本实施例中，所述开槽30贯穿所述基层21和所述第一导电线路层22，在另外的实施例中，所述开槽30可以不贯穿所述基层21。
77.在一些实施例中，所述内埋元件10包括电容。在另外的一些实施例中，所述内埋元件10包括但不限于芯片。
78.在一些实施例中，参照图2，所述开槽30包括在所述第二方向y依次排列的第一通孔204、第二通孔205和第三通孔206，所述第一导电层31设于所述第一通孔204的侧壁上，所述第二导电层32设于所述第三通孔206的侧壁上。因此，形成的所述第一线路区221和所述第二线路区222在结构和电性上彼此分离。
79.在另外的实施例中，所述内层线路单元20可以不设置所述第一通孔204和所述第三通孔206，直接设置所述开槽30。
80.在一些实施例中，参照图1，所述内层线路单元20还包括第二导电线路层23，所述第二导电线路层23置于所述基层21远离所述第一导电线路层22的一侧。所述开槽30还贯穿所述第二导电线路层23。所述第二导电线路层23包括第三线路区231和第四线路区232，在所述第二方向y上，所述第三线路区231和所述第四线路区232分别位于所述开槽30的两侧，所述第三线路区231与所述第一导电层31电连接，所述第四线路区232与所述第二导电层32电连接。
81.可以理解的是，当所述内层线路单元20还包括所述第一通孔204、所述第二通孔205和所述第三通孔206时，设置所述第二导电线路层23时，所述第一通孔204、所述第二通孔205和所述第三通孔206均还贯穿所述第二导电线路层23。因此，在一些实施例中，所述第三线路区231和所述第四线路区232在结构上和电性型也彼此分离。
82.在本实施例中，所述第二导电线路层23的层数为1层，在另外的实施例中，所述第二导电线路层23的层数可以为至少两层。所述第二导电线路层23的材料可以为铜。
83.在另外的实施例中，所述内层线路单元20可以不设置所述第二导电线路层23。
84.在一些实施例中，参照图1，所述内埋元件10的数量为至少两个，至少两个所述内埋元件10在所述第一方向x上叠设于所述开槽30内。
85.在一些实施例中，参照图1，所述封装结构100还包括设于所述开槽30内的绝缘层33，所述绝缘层33包覆所述内埋元件10。
86.所述绝缘层33的材料包括但不限于绝缘树脂，例如，环氧树脂和硅胶树脂。
87.在一些实施例中，所述绝缘层33与所述开槽30齐平。在另外的实施例中，所述绝缘层33可以凸设或者凹设于所述开槽30内。
88.在另外的实施例中，可以不设置所述绝缘层33，所述第一引脚12和所述第二引脚13直接分别与所述第一导电层31和所述第二导电层32抵接或者焊接实现所述内埋元件10的固定。
89.在一些实施例中，参照图1，所述封装结构100还包括第一外层线路单元50，所述第一外层线路单元50包括第一介电层51和第三导电线路层52。所述第一介电层51覆盖所述第一导电线路层22和所述开槽30上方。所述第三导电线路层52置于所述第一介电层51远离所述第一导电线路层22的一侧，所述第三导电线路层52与所述第一导电线路层22电连接。
90.在本实施例中，参照图1，当不设置所述绝缘层33时，所述第一介电层51还填充在所述开槽30内，通过填充在所述开槽30内的所述第一介电层51对所述内埋元件10进行固定。
91.在本实施例中，所述第一外层线路单元50的数量为一个，在另外的实施例中，所述第一外层线路单元50的数量可以为至少两个。在另外的实施例中，所述封装结构100可以不设置所述第一外层线路单元50。
92.所述第一介电层51的材料包括但不限于酚醛树脂、环氧树脂、聚亚酰胺树脂。所述第三导电线路层52的材料可以为铜。
93.在一些实施例中，参照图1，所述封装结构100还包括第二外层线路单元60，所述第二外层线路单元60包括第二介电层61和第四导电线路层62。所述第二介电层61覆盖所述第二导电线路层23和所述开槽30上方。所述第四导电线路层62置于所述第二介电层61远离所述第二导电线路层23的一侧，所述第四导电线路层62与所述第二导电线路层23电连接。
94.在本实施例中，所述第二外层线路单元60的数量为一个，在另外的实施例中，所述第二外层线路单元60的数量可以为至少两个。
95.所述第二介电层61的材料包括但不限于酚醛树脂、环氧树脂、聚亚酰胺树脂。所述第四导电线路层62的材料可以为铜。
96.在另外的实施例中，所述封装结构100可以不设置所述第二外层线路单元60。
97.在一些实施例中，参照图1，所述第三导电线路层52上电连接有焊球40，所述焊球40远离所述第一导电线路层22凸设于所述第三导电线路层52。
98.所述焊球40的材料包括但不限于锡。所述焊球40可以用于与外接件进行电连接或者信号连接。
99.在另外的实施例中，所述封装结构100可以不设置所述焊球40。
100.在一些实施例中，参照图1，所述封装结构100还包括第一保护层70，所述第一保护层70覆盖所述第三导电线路层52和所述开槽30上方。所述焊球40凸设于所述第一保护层70。
101.在另外的实施例，所述封装结构100可以不设置所述第一保护层70。
102.在一些实施例中，参照图1，所述封装结构100还包括第二保护层80，所述第二保护层80覆盖所述第四导电线路层62和所述开槽30上方。
103.所述第一保护层70和所述第二保护层80包括但不限于防焊层。
104.在另外的实施例中，所述封装结构100可以不设置所述第二保护层80。
105.本技术提供的所述封装结构100可以根据以下步骤进行制备：
106.步骤一：参照图3，提供一双面覆金属基板201，所述双面覆金属基板201包括在第一方向x上依次叠设的第二金属层203、基层21和第一金属层202。所述第一金属层202和所述第二金属层203均可以为铜，所述基层21的材料包括但不限于高分子玻璃纤维复合材料基板、玻璃基板、陶瓷基板、绝缘硅基板、聚酰亚胺玻璃纤维复合基板。
107.步骤二：参照图4，在所述双面覆金属基板201上开设第一通孔204和第三通孔206，所述第一通孔204和所述第三通孔206均贯穿所述第一金属层202、所述基层21和所述第二金属层203，且，所述第一通孔204和所述第二通孔205在垂直所述第一方向x的第二方向y上间隔设置。
108.步骤三：参照图5，对所述第一通孔204、所述第三通孔206、所述第一金属层202和所述第二金属层203进行电镀，以在所述第一通孔204和所述第三通孔206内分别形成第一电镀层301和第二电镀层302，在所述第一金属层202和第二金属层203上分别形成第三电镀层303和第四电镀层304。此时，得到中间体。所述第一电镀层301、所述第二电镀层302、所述第三电镀层303和所述第四电镀层的材料可以为铜。
109.步骤四：参照图6和图2，在所述第一通孔204和所述第三通孔206之间开设第二通孔205，所述第二通孔205连通所述第一通孔204和所述第三通孔206，所述第一通孔204、所述第二通孔205和所述第三通孔206在所述第二方向y上依次排列形成开槽30。部分所述第一电镀层301设于所述第一通孔204的侧壁上，部分所述第二电镀层302设于所述第三通孔206的侧壁上。因此，所述开槽30所贯穿的所述第一电镀层301、部分所述第二电镀层302和部分所述中间体被移除。剩余的所述第一电镀层301和所述第二电镀层302形成所述开槽30的侧壁。另外，所述开槽30在所述第一方向x上贯穿所述第一金属层202、所述基层21和所述
第二金属层203。
110.步骤五：参照图7，在所述开槽30内放置内埋元件10，所述内埋元件10包括元件本体11、第一引脚12和第二引脚13，所述第一引脚12和所述第二引脚13分别朝向所述第一电镀层301和所述第二电镀层302进行放置，所述开槽30在所述第二方向y的宽度大于所述内埋元件10的宽度。
111.步骤六：参照图8，对所述开槽30内的所述第一电镀层301和所述第二电镀层302进行电镀，以形成第一导电层31和第二导电层32，所述第一导电层31和所述第二导电层32分别与所述第一引脚12和所述第二引脚13进行电连接。
112.步骤七：参照图9，在所述开槽30中填充绝缘树脂以形成绝缘层33，实现对所述内埋元件10与所述开槽30的固定连接。所述绝缘层33的材料可以为环氧树脂和硅胶树脂。
113.步骤八：参照图10，通过曝光显影的方式，将所述第一金属层202和所述第三电镀层303蚀刻形成第一导电线路层22。所述第一导电线路层22包括第一线路区221和第二线路区222，所述第一线路区221和所述第二线路区222在所述第二方向y上分别位于所述开槽30的两侧，所述第一线路区221与所述第一导电层31电连接，所述第二线路区222与所述第二导电层32电连接。
114.以及，通过曝光显影的方式将所述第二金属层203和所述第四电镀层304蚀刻形成第二导电线路层23。所述第二导电线路层23包括第三线路区231和第四线路区232，所述第三线路区231和所述第四线路区232在所述第二方向y上分别位于所述开槽30的两侧。所述第三线路区231与所述第一导电层31电连接，所述第四线路区232与所述第二导电层32电连接。在一些实施例中，所述第一线路区221和所述第二线路区222在结构和电性连接上彼此独立，所述第三线路区231和所述第四线路区232在结构和电性连接上彼此独立。
115.步骤九：参照图11，在所述第一导电线路层22和所述第二导电线路层23上分别压合第一介电层51和第二介电层61。所述第一介电层51覆盖所述第一导电线路层22和所述开槽30上。所述第二介电层61覆盖所述第二导电线路层23和所述开槽30上。所述第一介电层51和所述第二介电层61的材料可以为酚醛树脂、环氧树脂、聚亚酰胺树脂。
116.步骤十：参照图12，在所述第一介电层51远离所述第一导电线路层22的一侧上通过开槽电镀以及刻蚀的方式形成第三导电线路层52，所述第三导电线路层52与所述第一导电线路层22电连接，电连接的方式包括导孔和/或导电柱。以及，在所述第二介电层61远离所述第二导电线路层23的一侧上通过开槽电镀以及刻蚀的方式形成第四导电线路层62，所述第四导电线路层62与所述第二导电线路层23电连接，电连接的方式包括导电孔和/或导电柱。所述第三导电线路层52和所述第四导电线路层62的材料可以为铜。
117.步骤十一：参照图13，在所述第三导电线路层52远离所述第一导电线路层22的一侧上形成第一保护层70，所述第一保护层70覆盖所述第三导电线路层52和所述开槽30上。并且在所述第一保护层70上形成第三通孔71，所述第三通孔71暴露部分所述第三导电线路层52。以及，在所述第四导电线路层62远离所述第二导电线路层23的一侧上形成第二保护层80。所述第二保护层80覆盖所述第四导电线路层62和所述开槽30上。
118.步骤十二：参照图1，通过流焊技术，在所述第三通孔71内形成电连接所述第三导电线路层52的焊球40，所述焊球40远离所述第一导电线路层22凸设于所述第三导电线路层52，并且，所述焊球40凸设于所述第一保护层70。所述第一保护层70和所述第二保护层80可
以包括防焊层。所述焊球40的材料可以为锡。
119.以上说明仅仅是对本技术一种优化的具体实施方式，但在实际的应用过程中不能仅仅局限于这种实施方式。对本领域的普通技术人员来说，根据本技术的技术构思做出的其他变形和改变，都应该属于本技术的保护范围。

技术特征：

1.一种封装结构，包括内埋元件，其特征在于，所述封装结构还包括内层线路单元，所述内层线路单元包括在第一方向叠设的基层和第一导电线路层，所述内层线路单元中设置有开槽，所述开槽贯穿所述第一导电线路层和至少部分所述基层，所述第一导电线路层包括第一线路区和第二线路区，在垂直于所述第一方向的第二方向上，所述第一线路区和所述第二线路区分别位于所述开槽两侧；所述封装结构还包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层形成所述开槽在所述第二方向上相对的两个侧壁，所述第一导电层电连接所述第一线路区，所述第二导电层电连接所述第二线路区，所述内埋元件包括元件本体、第一引脚和第二引脚，所述第一引脚朝向所述第一导电层并电连接所述元件本体和所述第一导电层，所述第二引脚朝向所述第二导电层并电连接所述元件本体和所述第二导电层。2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述开槽包括在所述第二方向依次排列的第一通孔、第二通孔和第三通孔，所述第一导电层设于所述第一通孔的侧壁上，所述第二导电层设于所述第三通孔的侧壁上。3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述内层线路单元还包括第二导电线路层，所述第二导电线路层置于所述基层远离所述第一导电线路层的一侧，所述开槽还贯穿所述第二导电线路层，所述第二导电线路层包括第三线路区和第四线路区，在所述第二方向上，所述第三线路区和所述第四线路区分别位于所述开槽两侧，所述第三线路区与所述第一导电层电连接，所述第四线路区与所述第二导电层电连接。4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述内埋元件的数量为至少两个，至少两个所述内埋元件在所述第一方向上叠设于所述开槽内。5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括设于所述开槽内的绝缘层，所述绝缘层包覆所述内埋元件。6.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括第一外层线路单元，所述第一外层线路单元包括第一介电层和第三导电线路层，所述第一介电层覆盖所述第一导电线路层和所述开槽上方，所述第三导电线路层置于所述第一介电层远离所述第一导电线路层的一侧，所述第三导电线路层与所述第一导电线路层电连接。7.如权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括第二外层线路单元，所述第二外层线路单元包括第二介电层和第四导电线路层，所述第二介电层覆盖所述第二导电线路层和所述开槽上方，所述第四导电线路层置于所述第二介电层远离所述第二导电线路层的一侧，所述第四导电线路层与所述第二导电线路层电连接。8.如权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述第三导电线路层上电连接有焊球，所述焊球远离所述第一导电线路层凸设于所述第三导电线路层。9.如权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括第一保护层，所述第一保护层覆盖所述第三导电线路层和所述开槽上方，所述焊球凸设于所述第一保护层。10.如权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括第二保护层，所述第二保护层覆盖所述第四导电线路层和所述开槽上方。

技术总结

本申请提出的一种封装结构，包括内埋元件、内层线路单元、第一导电层和第二导电层，内层线路单元包括在第一方向叠设的基层和第一导电线路层，内层线路单元中设置有贯穿第一导电线路层和至少部分基层的开槽，第一导电线路层包括第一线路区和第二线路区，在垂直于第一方向的第二方向上，第一线路区和第二线路区分别位于开槽两侧；第一导电层和第二导电层形成开槽在第二方向上相对的两个侧壁，第一导电层电连接第一线路区，第二导电层电连接第二线路区，内埋元件包括元件本体、第一引脚和第二引脚，第一引脚朝向第一导电层并电连接元件本体和第一导电层，第二引脚朝向第二导电层并电连接元件本体和第二导电层。利于提高封装结构的埋件数量。埋件数量。埋件数量。