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一种生产氮化硅系合金的新方法[发明专利]

专利名称：一种生产氮化硅系合金的新方法专利类型：发明专利

发明人：宁俊才，陈奎生，姜霞

申请号：CN200710304869.5

申请日：20071230

公开号：CN101468392A

公开日：

20090701

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种生产氮化硅系合金的新方法，是将硅系合金粉放入真空氮化炉内进行氮化反应而得，通电后，从室温升温到200℃时，抽真空到－0.06MPa，继续升温到700℃，充入氮气，使炉内压力达到0.06MPa，继续升温至900℃，从室温到900℃的升温速度为每小时40～70℃，从900℃到1100℃进入连充状态，到1100℃时结束连充，转为间隔充氮，至渗氮反应结束后，停电，降温后出炉。本发明可以避免温度达到1000℃以上时，外围硅粉产生液化而造成的析集硅滴，此后，即使温度达到1300℃以上时，因大部分硅粉已经与氮气化合，也不会再产生析硅现象。经检测，用本发明方法生产的氮化硅的含氮量可达到39％。

申请人：陈奎生，宁俊才，姜霞

地址：455133 河南省安阳县北曲沟村西太行冶金公司

国籍：CN

代理机构：郑州中原专利事务所有限公司

代理人：赵磊

本文发布于:2024-09-21 22:18:26，感谢您对本站的认可！

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