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图形关键尺寸的量测方法[发明专利]

专利名称：图形关键尺寸的量测方法

专利类型：发明专利

发明人：栾会倩，吴长明，姚振海，金乐，姜冒泉申请号：CN202011468395.X

申请日：20201214

公开号：CN112612184A

公开日：

20210406

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本申请公开了一种图形关键尺寸的量测方法，涉及半导体制造领域。该图形关键尺寸的量测方法包括利用曝光机对晶圆上的各个曝光单元进行曝光，所述晶圆被曝光后各个曝光单元上形成的特定图形不相同；利用套刻量测机台量测各个曝光单元上形成的特定图形的关键尺寸；在利用套刻量测机台量测各个曝光单元上形成的特定图形的关键尺寸时，针对各个曝光单元建立不同的参照图形；解决了目前曝光单元上特定图形差异较大时，套刻量测机台采用一个参照图形量测全部曝光单元容易出现报错的问题；达到了避免套刻量测机台量测失败，提高关键尺寸的量测稳定性的效果。

申请人：华虹半导体(无锡)有限公司

地址：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

国籍：CN

代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：罗雅文

本文发布于:2024-09-22 14:21:31，感谢您对本站的认可！

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