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发光二极管芯片的制作方法[发明专利]

专利名称：发光二极管芯片的制作方法

专利类型：发明专利

发明人：蔡家豪，高维洋，孟亚薇，查劲松，古静，王印申请号：CN201410143592.2

申请日：20140411

公开号：CN103904174A

公开日：

20140702

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供一种激光划片、蚀刻和背镀反射层技术制作发光二极管芯片的方法，采用2次激光偏移背划，增加划宽、划深，形成U型缺口；通过蚀刻作业，可以去除激光划片留下的碎屑并使得U型缺口的表面更为平整；U型缺口使得蓝宝石衬底形成局部倾斜的侧面，该侧面加上衬底背面形成高反射层后，可以更大程度地向上反射从发光层发光的光线，提高发光二极管芯片的出光效率。

申请人：安徽三安光电有限公司

地址：241000 安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号

国籍：CN

本文发布于:2024-09-23 02:25:59，感谢您对本站的认可！

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