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一种非易失性存储器结构[实用新型专利]

专利名称：一种非易失性存储器结构专利类型：实用新型专利

发明人：张傲峰，李建财

申请号：CN202020519501.1

申请日：20200410

公开号：CN211480026U

公开日：

20200911

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本实用新型公开了一种非易失性存储器结构，属于集成电路技术领域。本实用新型的存储器结构包括：衬底；至少两个隔离结构，每个隔离结构的一端伸入衬底中，使衬底暴露侧壁；凹部形成于每个所述隔离结构侧壁与相邻所述衬底侧壁之间，所述凹部的一部分具有倾斜直线剖面形状所述凹部的另一部分具有弧形曲线剖面形状；隧穿氧化层形成于所衬底的一侧，且覆盖衬底表面及衬底侧壁；浮栅层形成于隧穿氧化层背离衬底的一侧，且覆盖隧穿氧化层、凹部及隔离结构；栅极闸门形成于浮栅层与隧穿氧化层之间，栅极闸门包括多个电流隧穿通道控制面。本实用新型有效的提高了栅极闸门对于电流隧穿通道的控制，减少漏电。

申请人：合肥晶合集成电路有限公司

地址：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

国籍：CN

代理机构：上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：苗晓娟

本文发布于:2024-09-25 18:20:52，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/tex/2/395422.html

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