用于向集成电路供电的电压源快启动电路的制作方法

用于向集成电路供电的电压源快启动电路

背景技术：

1.本公开涉及用于向集成电路供电的系统和方法。集成电路可能具有高于其相应的操作阈值的不同on阈值。然而，在操作期间以升压（boosted）稳态操作vcc可能损坏某些集成电路。

技术实现要素：

2.本公开涉及一种用于向集成电路供电的电压源快启动（kickstart）电路。特别地，示例描述了在多个集成电路的启动时段期间提供暂时升高的vcc水平的快启动电路。
3.在一个方面中，描述了一种系统。该系统包括控制晶体管。该系统还包括被配置为提供电压的电压源。该系统还包括连接在控制晶体管的漏极和电压源之间的反馈节点。该系统还包括连接在电压源和地之间的多个电阻器。多个电阻器包括与被偏置的控制晶体管相关联的电阻器的第一串联连接集合和与被解偏置（unbias）的控制晶体管相关联的电阻器的第二串联连接集合。该系统还包括连接到控制晶体管的栅极的控制节点。在启动（startup）时段期间，控制节点被配置为偏置控制晶体管以选择电阻器的第一串联连接集合，从而在反馈节点处设置第一反馈电压，其将电压源的电压水平增加到升高的vcc电压。在启动时段之后，控制节点被配置为解偏置控制晶体管以选择电阻器的第二串联连接集合，从而在反馈节点处设置第二反馈电压，其将电压源的升高的vcc电压降低到正常vcc电压。
4.在另一方面中，描述了一种用于操作电压源快启动电路的方法。该方法包括在启动时段期间，偏置控制晶体管以选择电阻器的第一串联连接集合。该方法还包括基于选择电阻器的第一串联连接集合，在反馈节点处设置第一反馈电压，其将电压源的电压水平增加到升高的vcc电压。该方法还包括在启动时段之后，解偏执控制晶体管以选择电阻器的第二串联连接集合。该方法还包括基于选择电阻器的第二串联连接集合，在反馈节点处设置第二反馈电压，其将电压源的升高的vcc电压降低到正常的vcc电压。
5.在另一方面中，描述了一种系统。该系统包括控制晶体管、被配置为提供电压的电压源、由电压源提供的多个集成电路、连接在控制晶体管的漏极和电压源之间的反馈节点、连接在电压源和地之间的多个电阻器，以及连接到控制晶体管的栅极的控制节点。多个电阻器包括与被偏置的控制晶体管相关联的电阻器的第一串联连接集合和与被解偏置的控制晶体管相关联的电阻器的第二串联连接集合。在启动时段期间，控制节点被配置为偏置控制晶体管以选择电阻器的第一串联连接集合，从而在反馈节点处设置第一反馈电压，其将电压源的电压水平增加到升高的vcc电压。在启动时段之后，控制节点被配置为解偏置控制晶体管以选择电阻器的第二串联连接集合，从而在反馈节点处设置第二反馈电压，其将电压源的升高的vcc电压降低到正常vcc电压。
6.通过在适当的地方参考附图阅读以下详细描述，这些以及其他方面、优势和替代对于本领域普通技术人员将变得清楚。
附图说明
7.图1描绘了根据示例实现的系统。
8.图2描绘了根据示例实现的图1的系统的电路图。
9.图3描绘了根据示例实现的图1系统的电压水平。
10.图4描绘了根据示例实现的方法的流程图。
具体实施方式
11.本文描述了示例方法和系统。本文使用的词语“示例”、“示例性”和“说明性”意味着“用作示例、实例或说明”。本文描述为“示例”、“示例性”或“说明性”的任何实施例或特征不一定被解释为相对于其他实施例或特征是优选的或有利的。本文描述的示例实施例不意味着限制。将容易理解的是，如本文一般地描述的和图中所示的本公开的各方面可以以多种不同的配置被布置、替换、组合、分离和设计，所有这些在本文中都被明确地考虑。
12.以下描述涉及用于在启动期间为集成电路供电的电压源快启动电路。集成电路可能具有相对大范围的on阈值电压（例如，在11和13 v之间）。此外，集成电路还可能具有低于on阈值电压的操作电压，并且长期（prolonged）暴露于on阈值电压可能损坏集成电路或导致增加的耗散（dissipation），其使得集成电路在较高的温度下操作。因此，具有多个集成电路的系统可能需要具有不同电压输出的多个电压源（或者称为vcc）。
13.示例电压源快启动电路通过提供暂时升高的vcc电压来促进一系列集成电路的启动而解决了这些问题。升高的vcc电压针对启动时段到结束持续足够长，然后减少到适合多个不同集成电路的操作的水平。可以调整电压源快启动电路的不同方面以用于与多个不同的集成电路的兼容性。
14.在示例中，升高vcc电压与对电容器充电和放电同时进行。电路的rc常数虑及升高vcc电压的持续时间的精确控制。例如，可以基于系统中的集成电路的最大启动时段来设置rc常数。
15.在示例中，升高vcc电压包括在启动期间偏置控制晶体管，其选择电阻器的特定集合并且进而在电压源快启动电路的反馈节点处设置特定的反馈电压，从而增加vcc电压。在启动时段之后，解偏置控制晶体管，其选择电阻器的不同集合并且进而在反馈节点处设置不同的反馈电压，其将vcc电压减少回正常水平。
16.所公开的电压源快启动电路和相关系统在各种实施例中是有用的，包括但不限于用开关模式电源内的辅助电源电路来实现。附加地或替代地，所公开的电压源快启动电路和相关系统可以在具有有不同on阈值的多个集成电路的其他电子设备中实现，因为可以调谐电压源快启动电路以向集成电路提供暂时的vcc升高（boost），其大于或等于集成电路的最大on阈值。其他示例优势也是可能的，并且将在本文中更详细地讨论。
17.现在将详细参考各种实施例，其示例在附图中示出。在以下详细描述中，阐述了许多具体细节以便提供对本公开和所描述的实施例的透彻理解。然而，可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开。在其他情况下，没有详细描述公知的方法、过程和部件以及电路，以免不必要地混淆实施例的方面。
18.图1描绘了根据示例实现的系统。特别地，图1示出了系统100。在示例中，系统100是、连接到或包括诸如开关模式电源之类的电源单元（psu）。在以下描述中，系统100将主要
被描述为psu。
19.系统100包括vcc快启动电路102、反馈电路104和具有脉宽调制（pwm）控制器108的辅助功率级106（即，辅助电源电路）。
20.如图所示，系统100还可以包括多个集成电路，包括作为代表性示例的第一集成电路110、第二集成电路112和第n集成电路114，尽管更多或更少的集成电路在替代实施例中是可能的。每个集成电路可能具有不同的on电压、不同的off电压、不同的启动时段和不同的操作电压。更进一步，系统100包括（一个或多个）vdd调节器116，诸如用于调节一个或多个微控制器单元（mcu）（未示出）和存储器（未示出）的那些。
21.辅助功率级106被配置为提供为多个集成电路供电的vcc输出118。在示例中，辅助功率级106可以采用将vcc电压提供给psu内的集成电路的功率转换器的形式，诸如图1中所示的那些。在这种情况下，辅助功率级106是psu 中来自主功率级的单独的转换器。
22.辅助功率级106的pwm控制器108是集成电路，其向辅助功率级106的开关提供pwm信号，以依赖于从反馈电路104感测的电压生成输出。pwm控制器108还感测反馈节点120的电压水平，这可以进一步促进对vcc输出118的控制。具体地，pwm控制器108被配置为从反馈节点120读取反馈电压并控制辅助vcc电源（supply）电路（即，辅助功率级106）的脉宽调制。
23.反馈电路104被配置为检查vcc输出118的电流水平并向pwm控制器108发送信号，以便降低或增加vcc输出118。
24.vcc快启动电路102提供vcc电压122的输出，其可用于帮助为多个集成电路供电。此外，vcc快启动电路102被配置为在启动期间改变反馈电路104（例如，通过选择某些电阻器，如下面更详细讨论的那样），以便向vcc输出118提供升高。该改变可以改变闭环或稳态电压vcc输出118，其用作系统100的至少一些（例如，大部分）部件的电源电压，系统100的至少一些（例如，大部分）部件诸如是多个集成电路。特别地，vcc快启动电路102改变反馈电路104的动作可以向pwm控制器108发信号以在启动期间升高辅助功率级106的vcc输出118。vcc快启动电路102的稳态可以在多个集成电路的操作范围内。
25.图2描绘了根据示例实现的系统100的电路图。特别地，如图所示，系统100包括vcc快启动电路102（以下称为“电压源快启动电路102”）、反馈电路104、辅助功率级106、pwm控制器108、反馈节点120（替代地可以是pwm控制器108的引脚）、第一集成电路110、第二集成电路112、第n集成电路114电路、（一个或多个）vdd调节器116和mcu 200（例如，3.3v或5.1v mcu）。
26.电压源快启动电路102包括控制晶体管202。在本示例中，控制晶体管202被描绘为n沟道mosfet，尽管其他类型的晶体管也是可能的，诸如bjt晶体管。电压源快启动电路102还包括被配置为提供正常vcc电压的电压源204。电压源快启动电路102还包括连接在控制晶体管202的漏极和电压源204之间的反馈节点120。
27.尽管电压源快启动电路102、反馈电路104、电压源204和反馈节点120被示为单独的元件，但在一些实施例中，电压源快启动电路102可以包括反馈电路104、电压源204和反馈节点120。
28.如进一步所示，反馈电路104包括连接在电压源204和地216之间的多个电阻器208、210、212、214。多个电阻器208、210、212、214包括与被偏置的控制晶体管202相关联的电阻器208、210、212的第一串联连接集合和与被解偏置的控制晶体管202相关联的电阻器
210、212、214的第二串联连接集合。电阻器208连接在控制晶体管202的漏极和反馈节点120之间。电阻器210和电阻器212串联连接在电压源204和反馈节点120之间。连接在反馈节点120和地216之间的电阻器214也与电阻器208并联连接，并且与电阻器210和电阻器212串联。
29.电压源快启动电路102还包括连接到控制晶体管202的栅极的控制节点218。控制节点218可以连接到控制器（例如，具有处理器和存储器的控制器）和/或可以用来控制控制晶体管202的系统100的一个或多个其他设备。在操作中，例如，控制节点218用于偏置或解偏置控制晶体管202。
30.具体地，在启动时段期间，控制节点218被配置为偏置控制晶体管202以选择电阻器208、210、212的第一串联连接集合，从而在反馈节点120处设置第一反馈电压，其增加电压源204的电压水平到升高的vcc电压（例如，从0 v到升高的vcc电压）。偏置控制晶体管202增加电阻器208，并且由于电阻器208和电阻器214是并联的，所以反馈节点120和地216之间的总电阻较低，这减少了反馈节点120的电压并将电压源204的电压水平增加到升高的vcc电压。
31.启动时段的持续时间可以通过各种方式设置。例如，如图2中所示，电压源快启动电路102包括连接到控制节点218的rc电路。rc电路是可用于控制控制晶体管202的设备或其他电路的代表性示例。如图所示，rc电路包括连接到电容器222的电源电压源220。电容器连接到控制节点218。rc电路还包括连接到电容器222并且还与地216并联连接到以及连接到地216的二极管224和电阻器226。每当电源电压源220关闭时，二极管224就为存储在电容器222中的能量提供放电路径。这是为了帮助确保电容器222在下一个启动阶段之前完全放电并帮助确保vcc升高持续时间不缩短。
32.在图2中所示的示例中，启动时段由rc时间常数设置。即，启动时段由将电容器222充电至控制电压的时间的时段定义。换言之，电容器222对电源电压源220充电由电容器222和电阻器226设置的时间的时段。
33.在替代示例中，控制节点218可以连接到控制器（未示出），该控制器被配置为设置启动时段并控制控制晶体管202。
34.在启动时段之后，控制节点218被配置为解偏置控制晶体管202以选择电阻器210、212、214的第二串联连接集合，从而在反馈节点120处设置第二反馈电压，其将电压源204的升高的vcc电压降低正常vcc电压。解偏置控制晶体管202去除电阻器208，并且因为在反馈节点120和地216之间仅保留电阻器214，所以反馈节点120和地216之间的总电阻更高，这增加了反馈节点120处的电压并将电压源204的升高的vcc电压降低到正常vcc电压。也就是说，当电容器222被完全充电时，控制晶体管202上的偏置被去除，并且随着控制晶体管202关闭，电压源204的电压水平从升高的vcc电压下降到正常vcc电压。
35.下面的表1概括了在电压源快启动电路102的三个操作阶段期间控制晶体管202和电容器222的状态。第一阶段是上述的启动时段。第二阶段，表示为“vcc升高”，是在电压源204处于升高的vcc电压时，也如上所述。第三阶段，表示为“vcc正常”，是在电压源204降低到正常vcc电压时，也如上所述。阶段控制晶体管202的状态电容器222的状态启动偏置的充电中
vcc升高on充电中vcc正常解偏置的充电的表1。
36.图3描绘了根据示例实现的系统100的电压水平。特别地，图3描绘了电压源204的电压水平的第一波形300，其被表示虚线。图3进一步描绘了控制晶体管202的栅极处的电压水平的第二波形302，其被表示为实线。如第一波形300所示，电压源204的电压水平在启动时段期间——即在启动时段的开始时间304和启动时段的结束时间306之间被暂时升高。在启动时间304处或之后的短时间，控制晶体管202栅极电压上升，并且栅极电压贯穿启动时段（以及启动时段之后）放电，直到栅极电压接近放电电压水平308。
37.如上所述布置和操作，系统100可以有利地用于为具有宽范围的on阈值电压的集成电路提供启动偏置，以及用于包括多个集成电路的系统，每个集成电路具有不同的on阈值电压。可以至少部分地基于电压源204向其提供vcc电压的一个或多个集成电路的一个或多个参数来设置正常vcc电压和升高的vcc电压（即，暂时升高的、快启动的vcc水平）。
38.当系统100包括或连接到多个集成电路（例如，第一集成电路110、第二集成电路112等，直到第n集成电路114）时，每个集成电路具有相应的on阈值电压和相应的off阈值电压，升高的vcc电压可以基于多个集成电路的最大on阈值电压（即，多个集成电路的最高on阈值电压）来设置，并且正常vcc电压可以基于多个集成电路的最大off阈值电压（即，多个集成电路的最高off阈值电压）设置。举例来说，电阻器208、210、212的第一串联连接集合被配置为设置第一反馈电压并且从而在启动时段期间将电压源204的升高的vcc电压驱动到或高于多个集成电路的最大on阈值电压。换言之，使用电压源快启动电路102，电压源204可以提供增加的启动偏置，该偏置满足或超过由电压源204提供的每个集成电路的最大on阈值。此外，电阻器210、212、214的第二串联连接集合被配置为设置第二反馈电压并且从而在启动时段之后驱动电压源204的正常vcc电压高于多个集成电路的最大off阈值电压。
39.在某些情况下，为了防止损坏部件，希望升高的vcc电压不超过多个集成电路的最小绝对最大额定值（即，多个集成电路的最低绝对最大额定值）。
40.在替代示例中，电压源204可以连接到单个集成电路并向单个集成电路提供电压。这样，电阻器208、210、212的第一串联连接集合被配置为设置第一反馈电压并且从而在启动时段期间驱动电压源204的升高的vcc电压到或高于单个集成电路的on阈值电压，并且电阻器210、212、214的第二串联连接集合被配置为设置第二反馈电压并且从而在启动时段之后驱动电压源204的正常vcc电压到或高于单个集成电路的off阈值电压。
41.在进一步的示例中，可以基于考虑花费多长时间开启psu（例如，在其中系统100是psu的实施例中，系统100）或具有各种电压源和相应电路的设备中的所有功率级来设置启动时段（例如，rc电路的rc时间常数）。例如，在一些实现中，并且如图1和图2中所示，电压源204可以连接到多个集成电路（例如，第一集成电路110、第二集成电路112等）和一个或多个mcu调节器（例如，（一个或多个）vdd调节器116）。多个集成电路和一个或多个mcu调节器116中的每个可以被配置为控制psu中的相应不同电路，诸如psu中的相应的不同功率级。此外，每个这样的功率级可以具有相应的启动持续时间。这样，启动时段可以被选择为长于多个功率级的总持续时间。作为更特别的示例，考虑辅助vcc电源电路，一旦具有比辅助vcc电源的稳态电压水平高的稳态电压水平的电源（supply）接管vcc总线，它就关闭。在此情况下，
快启动vcc水平的持续时间必须足以启动pwm控制器108，该控制器108为更高的稳态vcc电源赋能（energize）。
42.图4描绘了根据示例实现的用于操作电压源快启动电路的方法400的流程图。图4中所示的方法400呈现了可以与本文关于图1、2和3描述的系统100或与其部件一起使用的方法的示例。此外，可以使用或配置设备或系统来执行图4中呈现的逻辑功能。方法400可以包括如框402-408中的一个或多个所示的一个或多个操作、功能或动作。尽管以顺序次序示出了框，但是这些框也可以并行执行，和/或以与本文描述的次序不同的次序执行。此外，各种框可以组合成更少的框、划分成附加的框和/或基于期望的实现被移除。
43.对于本文公开的这个和其他过程和方法，流程图显示了本示例的一种可能实现的功能性和操作。每个框或每个框的部分可以表示模块、段或程序代码的一部分，其包括一个或多个可由处理器执行的指令，用于实现过程中的特定逻辑功能或步骤。程序代码可以存储在任何类型的计算机可读介质或数据存储装置上，任何类型的计算机可读介质或数据存储装置例如诸如是包括盘或硬盘驱动器的存储设备。此外，程序代码可以以机器可读格式编码在计算机可读存储介质上，或在其他非暂时性介质或制品上。计算机可读介质可以包括非暂时性计算机可读介质或存储器，例如，诸如存储数据短时间时段的计算机可读介质，比如寄存器存储器、处理器高速缓存和随机存取存储器（ram）。计算机可读介质还可以包括非暂时性介质，诸如二级或持久性长期存储装置，比如只读存储器（rom）、光盘或磁盘、压缩盘只读存储器（cd-rom），例如。计算机可读介质也可以是任何其他易失性或非易失性存储系统。例如，计算机可读介质可以被认为是有形的计算机可读存储介质。
44.此外，图4中以及本文公开的其他过程和方法中的每个框或每个框的部分可以表示被接线以在过程中执行特定逻辑功能的电路。例如，可以使用微控制器单元、专用处理器、模拟控制电路或诸如此类来执行关于方法400所描述的框。替代实现被包括在本公开的示例的范围内，其中如本领域技术人员理解的，根据所涉及的功能性，功能可以与所示或讨论的次序之外的次序执行，包括基本上同时的或以相反的次序执行。
45.在框402处，方法400包括在启动时段期间，偏置控制晶体管以选择电阻器的第一串联连接集合。
46.在框404处，方法400包括基于选择电阻器的第一串联连接集合，在反馈节点处设置第一反馈电压，其将电压源的电压水平增加到升高的vcc电压。
47.在框406处，方法400包括在启动时段之后，解偏置控制晶体管以选择电阻器的第二串联连接集合。
48.在框408处，方法400包括基于选择电阻器的第二串联连接集合，在反馈节点处设置第二反馈电压，其将电压源的升高的vcc电压降低到正常vcc电压。
49.在示例中，多个集成电路由电压源供电。在这样的示例中，将电压源的电压水平增加到升高的vcc电压的动作涉及设置第一反馈电压，从而在启动时段期间将电压源的升高的vcc电压驱动到或高于多个集成电路的最大on阈值电压。例如，这可以如上面关于图2所述的那样执行。
50.在示例中，每个集成电路都具有off阈值电压。在这样的示例中，设置第二反馈电压的动作在启动时段之后将电压源的正常vcc电压驱动到高于多个集成电路的最大off阈值电压。例如，这可以如上面关于图2所述的那样执行。
51.在示例中，方法400还包括将电容器充电到控制电压。在这样的示例中，启动时段由对电容器充电的时间的时段定义。例如，这可以如上面关于图2所述的那样执行。
52.图中所示的特定布置不应被视为限制。应当理解，其他实施例可以包括更多或更少的给定图中所示的每个元件。此外，一些图示的元件可以组合或省略。此外，示例实施例可以包括图中未示出的元件。
53.虽然本文已经公开了各个方面和实施例，但其他方面和实施例对于本领域技术人员来说将是清楚的。本文公开的各个方面和实施例是出于说明的目的并且不旨在是限制性的，真实范围由以下权利要求书指示。

技术特征：

1.一种系统，包括：控制晶体管；电压源，被配置为提供电压；反馈节点，连接在控制晶体管的漏极和电压源之间；多个电阻器，连接在电压源和地之间，其中多个电阻器包括与被偏置的控制晶体管相关联的电阻器的第一串联连接集合和与被解偏置的控制晶体管相关联的电阻器的第二串联连接集合；和控制节点，连接到控制晶体管的栅极，其中，在启动时段期间，控制节点被配置为偏置控制晶体管以选择电阻器的第一串联连接集合，从而在反馈节点处设置第一反馈电压，其将电压源的电压水平增加到升高的vcc电压，和其中，在启动时段之后，控制节点被配置为解偏置控制晶体管以选择电阻器的第二串联连接集合，从而在反馈节点处设置第二反馈电压，其将电压源的升高的vcc电压降低到正常vcc电压。2.根据权利要求1所述的系统，还包括：由电压源供电的多个集成电路，其中每个集成电路具有on阈值电压，并且其中，电阻器的第一串联连接集合被配置为设置第一反馈电压并且从而在启动时段期间将电压源的升高的vcc电压驱动到或高于多个集成电路的最大on阈值电压。3.根据权利要求2所述的系统，其中每个集成电路具有off阈值电压，并且其中电阻器的第二串联连接集合被配置为设置第二反馈电压并且从而在启动时段后驱动电压源的正常vcc电压高于多个集成电路的最大off阈值电压。4.根据权利要求1所述的系统，其中，电压源被配置为向多个集成电路提供vcc电压。5.根据权利要求1所述的系统，还包括：连接到控制节点的电容器，其中，启动时段由将电容器充电至控制电压的时间的时段定义。6.根据权利要求1所述的系统，其中电压源连接到多个集成电路和一个或多个微控制器单元（mcu）调节器，其中，多个集成电路和一个或多个mcu调节器被配置为控制电源系统中的不同电路，不同电路包括多个功率级，每个功率级具有相应的启动持续时间，以及其中，启动时段长于多个功率级的总持续时间。7.根据权利要求1所述的系统，其中，控制节点连接到被配置为设置启动时段的控制器。8.根据权利要求1所述的系统，其中，反馈节点连接到被配置为设置第一反馈电压的控制器。9.一种用于操作电压源快启动电路的方法，所述方法包括：在启动时段期间，偏置控制晶体管以选择电阻器的第一串联连接集合；基于选择电阻器的第一串联连接集合，在反馈节点处设置第一反馈电压，其将电压源的电压水平增加到升高的vcc电压；
在启动时段之后，解偏置控制晶体管以选择电阻器的第二串联连接集合；和基于选择电阻器的第二串联连接集合，在反馈节点处设置第二反馈电压，其将电压源的升高的vcc电压降低到正常vcc电压。10.根据权利要求9所述的方法，其中多个集成电路由电压源供电，并且其中将电压源的电压水平增加到升高的vcc电压包括设置第一反馈电压，从而在启动时段期间将电压源的升高的vcc电压驱动到或高于多个集成电路的最大on阈值电压。11.根据权利要求9所述的方法，其中每个集成电路具有off阈值电压，并且其中，设置第二反馈电压在启动时段后驱动电压源的正常vcc电压高于多个集成电路的最大off阈值电压。12.根据权利要求9所述的方法，还包括：将电容器充电至控制电压，其中，启动时段由对电容器充电的时间的时段定义。13.一种系统，包括：控制晶体管；电压源，被配置为提供电压；由电压源供电的多个集成电路；反馈节点，连接在控制晶体管的漏极和电压源之间；多个电阻器，连接在电压源和地之间，其中多个电阻器包括与被偏置的控制晶体管相关联的电阻器的第一串联连接集合和与被解偏置的控制晶体管相关联的电阻器的第二串联连接集合；和控制节点，连接到控制晶体管的栅极，其中，在启动时段期间，控制节点被配置为偏置控制晶体管以选择电阻器的第一串联连接集合，从而在反馈节点处设置第一反馈电压，其将电压源的电压水平增加到升高的vcc电压，和其中，在启动时段之后，控制节点被配置为解偏置控制晶体管以选择电阻器的第二串联连接集合，从而在反馈节点处设置第二反馈电压，其将电压源的升高的vcc电压降低到正常vcc电压。14.根据权利要求13所述的系统，还包括：电压源快启动电路，其中,电压源快启动电路包括控制晶体管、电压源和反馈节点。15.根据权利要求13所述的系统，还包括：控制器，其中,控制器被配置为从反馈节点读取反馈电压并控制辅助vcc电源电路的脉宽调制。16. 根据权利要求13所述的系统，其中,每个集成电路具有on阈值电压，并且其中，电阻器的第一串联连接集合被配置为设置第一反馈电压并且从而在启动时段期间将电压源的升高的vcc电压驱动到或高于多个集成电路的最大on阈值电压。17.根据权利要求13所述的系统，其中，每个集成电路具有off阈值电压，并且其中，电阻器的第二串联连接集合被配置为设置第二反馈电压并且从而在启动时段之
后驱动电压源的正常vcc电压高于多个集成电路的最大off阈值电压。18.根据权利要求13所述的系统，其中，电压源被配置为向多个集成电路提供vcc电压。19.根据权利要求13所述的系统，还包括：连接到控制节点的电容器，其中，启动时段由将电容器充电至控制电压的时间的时段定义。20.根据权利要求13所述的系统，其中电压源进一步连接到一个或多个微控制器单元（mcu）调节器，其中，多个集成电路和一个或多个mcu调节器被配置为控制系统中的不同电路，不同电路包括多个功率级，每个功率级具有相应的启动持续时间，以及其中，启动时段长于多个功率级的总持续时间。

技术总结

用于向集成电路供电的电压源快启动电路。描述了一种系统。该系统包括控制晶体管、电压源、连接在控制晶体管的漏极和电压源之间的反馈节点、连接在电压源和地之间的多个电阻器以及连接到控制晶体管的栅极的控制节点。电阻器包括与被偏置的控制晶体管相关联的电阻器的第一串联连接集合和与解偏置的控制晶体管相关联的电阻器的第二串联连接集合。在启动期间，控制节点被配置为偏置控制晶体管以选择电阻器的第一串联连接集合，从而将电压源的电压水平增加到升高的VCC电压。在启动时段之后，控制节点被配置为解偏置控制晶体管以选择电阻器的第二串联连接集合，从而将升高的VCC电压降低到正常的VCC电压。降低到正常的VCC电压。降低到正常的VCC电压。