半导体工艺腔室的制作方法

1.本发明涉及半导体设备技术领域，具体地，涉及一种半导体工艺腔室。

背景技术：

2.硅外延工艺用于制备硅外延片，硅外延工艺是半导体工艺中的一个关键工艺，硅外延片是半导体产业中的一种原材料。
3.在硅外延腔室中，供硅外延工艺反应的反应腔的容积会对反应气体的流速造成影响，从而影响硅外延薄膜的生长速率。
4.现有的硅外延腔室的反应腔的容积通常为固定的，仅能够实现一种生长速率，而这就导致了现有的硅外延腔室无法满足不同生长速率的需求。

技术实现要素：

5.本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体工艺腔室，其能够调节反应腔的容积，从而能够调节生长速率，进而能够提高适用性及使用灵活性。
6.为实现本发明的目的而提供一种半导体工艺腔室，包括腔室本体、承载部件和调节组件；其中，
7.所述承载部件设置在所述腔室本体内，用于承载晶圆；
8.所述腔室本体包括环结构、顶结构和底结构，所述环结构在其轴向上设置在所述顶结构和底结构之间，且环绕在所述承载部件的周围，所述顶结构、所述环结构和所述承载部件之间形成用于进行工艺反应的反应腔；
9.所述调节组件与所述顶结构连接，用于调节所述顶结构的高度位置，以调节所述反应腔的容积。
10.可选的，所述顶结构包括顶透光部和顶挂台部，所述顶透光部与所述承载部件对应设置，所述顶挂台部环绕所述顶透光部设置；
11.所述调节组件环绕所述顶挂台部的周向设置，且与所述顶挂台部连接。
12.可选的，所述调节组件包括第一调节部件和第二调节部件，所述第一调节部件支撑于所述顶挂台部的底部，用于向所述顶结构施加远离所述承载部件的顶升力，所述第二调节部件压设于所述顶挂台部的顶部，用于向所述顶结构施加靠近所述承载部件的下压力。
13.可选的，所述第一调节部件包括可伸缩的弹性件，所述弹性件设置在所述顶挂台部与所述环结构之间，所述弹性件的一端与所述环结构的顶部密封连接，另一端与所述顶挂台部的底部密封连接，且所述弹性件呈压缩状态，用于向所述顶结构施加所述顶升力。
14.可选的，所述弹性件呈环状。
15.可选的，所述弹性件的一端与所述环结构的顶部之间设置有第一密封件，所述第一密封件呈环状，用于对所述弹性件的一端与所述环结构的顶部之间进行密封连接，所述
弹性件的另一端与所述顶结构的底部之间设置有第二密封件，所述第二密封件呈环状，用于对所述弹性件的另一端与所述顶结构的底部之间进行密封连接。
16.可选的，所述第二调节部件包括压紧件和调节件，所述调节件设置在所述环结构上，所述压紧件与所述调节件连接，并压设于所述顶挂台部的顶部，所述调节件用于通过所述压紧件压紧或松开所述顶挂台部，以与所述弹性件配合调节所述顶结构的高度位置。
17.可选的，所述压紧件呈环状，所述调节件的数量为多个，多个所述调节件沿所述压紧件的周向均匀间隔分布。
18.可选的，各所述调节件均设置有外螺纹和抵接部，所述环结构设置有多个螺纹孔，多个所述螺纹孔沿所述环结构的周向均匀间隔设置，多个所述调节件的外螺纹一一对应的与多个所述螺纹孔螺纹连接，所述抵接部与所述压紧件的顶部抵接，通过旋转各所述调节件，以带动所述压紧件调节所述顶结构的高度位置。
19.可选的，所述顶结构还包括沿其轴向延伸的连接部，所述顶透光部位于所述顶挂台部的下方，所述顶透光部和所述顶挂台部通过所述连接部连接。
20.可选的，所述环结构用于对进入或排出所述反应腔内的气体进行导流，所述环结构包括腔室周壁和衬环，所述腔室周壁和所述衬环均呈环状，且所述腔室周壁环绕在所述衬环的外周，所述腔室周壁上设置有第一子进气道和第一子排气道，所述衬环上设置有第二子进气道和第二子排气道，所述第二子进气道和所述第一子进气道对应设置，用于形成供气体进入所述反应腔的进气通道，所述第二子排气道和所述第一子排气道对应设置，用于形成供气体排出所述反应腔外的排气通道；
21.所述顶透光部的外径小于所述衬环的内径。
22.本发明具有以下有益效果：
23.本发明提供的半导体工艺腔室，借助调节组件调节顶结构的高度位置，可以调节顶结构与承载部件之间的距离，由于顶结构、环结构和承载部件之间形成用于进行工艺反应的反应腔，因此，能够调节反应腔的容积，从而能够调节进入反应腔的反应气体的流速，这样对于硅外延工艺来说，就能够调节硅外延薄膜的生长速率，进而能够提高半导体工艺腔室的适用性及使用灵活性，并且，由于调节反应腔的容积还会影响反应气体的流场分布，影响硅外延薄膜的膜厚均匀性，因此，调节反应腔的容积，还能够作为调试膜厚均匀性的一种手段，提高半导体工艺腔室的工艺窗口。
附图说明
24.图1为本发明实施例提供的半导体工艺腔室的反应腔的容积较大时的结构示意图；
25.图2为本发明实施例提供的半导体工艺腔室的反应腔的容积较小时的结构示意图；
26.图3为本发明实施例提供的半导体工艺腔室的顶结构的主视结构示意图；
27.图4为本发明实施例提供的半导体工艺腔室的顶结构的俯视结构示意图；
28.附图标记说明：
29.1、环结构；11、腔室周壁；111、第一子进气道；112、第一子排气道；12、衬环；2、顶结构；21、顶透光部；22、顶挂台部；23、连接部；3、承载部件；41、弹性件；42、第一密封件；43、第
二密封件；5、第二调节部件；51、压紧件；52、调节件；6、底结构；61、底透光部；62、底支撑台部；71、顶加热部件；72、顶测温部件；73、底加热部件；74、底测温部件；75、旋转驱动件；100、反应腔。
具体实施方式
30.为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的半导体工艺腔室进行详细描述。
31.如图1和图2所示，本发明实施例提供一种半导体工艺腔室，包括腔室本体、承载部件3和调节组件；其中，承载部件3设置在腔室本体内，用于承载晶圆；腔室本体包括环结构1、顶结构2和底结构6，环结构1在其轴向上设置在顶结构2和底结构6之间，且环绕在承载部件3的周围，顶结构2、环结构1和承载部件3之间形成用于进行工艺反应的反应腔100；调节组件与顶结构2连接，用于调节顶结构2的高度位置，以调节反应腔100的容积。
32.本发明实施例提供的半导体工艺腔室，借助调节组件调节顶结构2的高度位置，可以调节顶结构2与承载部件3之间的距离，由于顶结构2、环结构1和承载部件3之间形成用于进行工艺反应的反应腔100，因此，能够调节反应腔100的容积，从而能够调节进入反应腔100的反应气体的流速，这样对于硅外延工艺来说，就能够调节硅外延薄膜的生长速率，进而能够提高半导体工艺腔室的适用性及使用灵活性，并且，由于调节反应腔100的容积还会影响反应气体的流场分布，影响硅外延薄膜的膜厚均匀性，因此，调节反应腔100的容积，还能够作为调试膜厚均匀性的一种手段，提高半导体工艺腔室的工艺窗口。
33.如图1和图2所示，环结构1环绕在承载部件3的周围，在环结构1的轴向上，顶结构2设置在环结构1的上方，底结构6设置在环结构1的下方，环结构1、顶结构2和承载部件3三者之间形成用于进行工艺反应的反应腔100，环结构1上可以设置有进气通道和排气通道，进气通道和排气通道均与反应腔100连通。在实际应用中，承载部件3承载晶圆，半导体工艺所需的反应气体通过进气通道进入反应腔100，与晶圆的上表面接触发生反应，反应后的反应气体以及反应副产物通过排气通道排出至反应腔100外。
34.如图2所示，对于硅外延工艺来说，当需要制备的硅外延薄膜的厚度较厚，需要提高硅外延薄膜的生长速率，提高生产效率，降低生产升本时，可以借助调节组件调节顶结构2的高度位置，使顶结构2的高度降低，以减小调节顶结构2与承载部件3之间的距离，使反应腔100的容积减小，从而能够增大进入反应腔100的反应气体的流速，这样可以使反应气体的滞留层减薄(反应气体在进入反应腔100后会分为流速不同多层，其中靠近晶圆上表面的近似于停滞的一层称为滞留层)，从而能够提高反应气体扩散至晶圆上表面的速度，增加单位时间内到达晶圆上表面的反应物，继而能够提高硅外延薄膜的生长速率，进而能够提高生产效率，降低生产升本。
35.如图1所示，当需要制备的硅外延薄膜的厚度较薄，需要降低硅外延薄膜的生长速率，提高晶体质量，提高硅外延片质量时，可以借助调节组件调节顶结构2的高度位置，使顶结构2的高度升高，以增大调节顶结构2与承载部件3之间的距离，使反应腔100的容积增大，从而能够减小进入反应腔100的反应气体的流速，这样可以使反应气体的滞留层增厚，从而能够降低反应气体扩散至晶圆上表面的速度，减少单位时间内到达晶圆上表面的反应物，继而能够降低硅外延薄膜的生长速率，进而能够提高晶体质量，提高硅外延片质量。
36.可选的，进气通道的出气口和排气通道的出气口可以高于承载部件3。
37.可选的，进气通道和排气通道可以在水平方向上相对设置。这样可以使反应气体水平的流过晶圆的上表面(如图1中箭头所示)。
38.可选的，承载部件3可以包括石墨基座。
39.如图1和图2所示，在本发明一实施例中，顶结构2可以包括顶透光部21和顶挂台部22，顶透光部21与承载部件3对应设置，顶挂台部22环绕顶透光部21设置；调节组件可以环绕顶挂台部22的周向设置，且与顶挂台部22连接。
40.如图1和图2所示，在实际应用中，半导体工艺腔室可以还包括顶加热部件71和顶测温部件72，由于顶透光部21与承载部件3对应设置，因此，顶加热部件71和顶测温部件72可以均设置在顶透光部21的上方，这样顶加热部件71发出的加热光能够穿过顶透光部21照射至晶圆上，对晶圆进行加热，顶测温部件72发出的测温光能够穿过顶透光部21照射至晶圆上，对晶圆的温度进行检测。而由于顶挂台部22环绕顶透光部21设置，因此，顶挂台部22无需使顶加热部件71发出的加热光以及顶测温部件72发出的测温光穿过，因此，顶挂台部22可以采用机械强度更高以及隔热性能更强的材料制作，以提高顶结构2的机械强度，并使顶结构2具有优良的隔热性能。
41.通过使调节组件环绕顶挂台部22的周向设置，且与顶挂台部22连接，一方面由于顶挂台部22相对于顶透光部21具有更高的机械强度，因此，可以避免调节组件在调节顶结构2时，损坏顶透光部21，并且提高支撑的稳定性，另一方面还可以避免调节组件对例如顶加热部件71发出的加热光以及顶测温部件72发出的测温光造成影响。
42.可选的，顶透光部21的材料可以包括透明石英。
43.可选的，顶挂台部22的材料可以包括发泡石英。
44.可选的，顶挂台部22和顶透光部21可以焊接。
45.如图1和图2所示，在本发明一实施例中，调节组件可以包括第一调节部件和第二调节部件5，第一调节部件支撑于顶挂台部22的底部，用于向顶结构2施加远离承载部件3的顶升力，第二调节部件5压设于顶挂台部22的顶部，用于向顶结构2施加靠近承载部件3的下压力。
46.在实际应用中，当第一调节部件通过顶挂台部22向顶结构2施加远离承载部件3的顶升力时，即，向顶挂台部22的底部施加向上的力时，顶结构2可以相对于承载部件3上升。第二调节部件5通过顶挂台部22向顶结构2施加靠近承载部件3的下压力时，即，向顶挂台部22的顶部施加向下的力时，顶结构2可以相对于承载部件3下降。这样通过第一调节部件和第二调节部件5的配合，就可以调节顶结构2的高度位置。
47.通过使第一调节部件支撑于顶挂台部22的底部，并使第二调节部件5压设于顶挂台部22的顶部，可以便于对顶结构2的高度调节。
48.如图1和图2所示，在本发明一实施例中，第一调节部件可以包括可伸缩的弹性件41，弹性件41设置在顶挂台部22与环结构1之间，弹性件41的一端与环结构1的顶部密封连接，另一端与顶挂台部22的底部密封连接，且弹性件41呈压缩状态，用于向顶结构2施加顶升力。
49.在实际应用中，可伸缩的弹性件41呈压缩状态时具有伸长的趋势，由于弹性件41的一端与环结构1的顶部密封连接，另一端与顶结构2的底部密封连接，因此，弹性件41能够
向顶挂台部22的底部施加远离承载部件3的顶升力，使顶结构2相对于承载部件3上升，当第二调节部件5通过顶挂台部22向顶结构2施加靠近承载部件3的下压力时，可伸缩的弹性件41可以在下压力的作用下缩短，使顶结构2能够在第二调节件52的下压力的作用力下相对于承载部件3下降。
50.通过使弹性件41的一端与环结构1的顶部密封连接，另一端与顶结构2的底部密封连接，可以避免反应腔100由弹性件41的一端与环结构1的顶部之间，以及由弹性件41的另一端与顶结构2的底部之间漏气，从而能够提高反应腔100的密封性。
51.在本发明一实施例中，弹性件41可以呈环状。
52.这样可以使弹性件41的一端能够与环结构1的整个呈环状的顶部密封连接，使弹性件41的另一端能够与顶挂台部22的整个呈环状的底部密封连接，从而能够提高弹性件41通过顶挂台部22施加向顶结构2的顶升力的均匀性，提高顶结构2受到的由弹性件41施加的顶升力的均匀性，也就是说，使弹性件41通过顶挂台部22对顶结构2的施力更加均匀，顶结构2的受力更加均匀，继而能够使顶结构2处于平衡稳定的状态，进而能够使顶结构2处于水平状态，有利于反应气体的水平流动。
53.如图1和图2所示，在本发明一实施例中，弹性件41的一端与环结构1的顶部之间可以设置有第一密封件42，第一密封件42呈环状，用于对弹性件41的一端与环结构1的顶部之间进行密封连接，弹性件41的另一端与顶结构2的底部之间可以设置有第二密封件43，第二密封件43呈环状，用于对弹性件41的另一端与顶结构2的底部之间进行密封连接。
54.借助第一密封件42可以实现弹性件41的一端与环结构1的顶部密封连接，借助第二密封件43可以实现弹性件41的另一端与顶结构2的底部密封连接，从而可以避免反应腔100由弹性件41的一端与环结构1的顶部之间，以及由弹性件41的另一端与顶结构2的底部之间漏气。
55.可选的，弹性件41可以包括波纹管。
56.可选的，第一密封件42可以包括o型密封圈。
57.可选的，第二密封件43可以包括o型密封圈。
58.可选的，第一密封件42可以设置在弹性件41的一端。
59.可选的，第二密封件43可以设置在弹性件41的另一端。
60.如图1和图2所示，在本发明一实施例中，第二调节部件5可以包括压紧件51和调节件52，调节件52设置在环结构1上，压紧件51与调节件52连接，并压设于顶挂台部22的顶部，调节件52用于通过压紧件51压紧或松开顶挂台部22，以与弹性件41配合调节顶结构2的高度位置。
61.在实际应用中，当调节件52通过压紧件51压紧顶挂台部22时，由于压紧件51压设于顶挂台部22的顶部，因此，压紧件51能够通过顶挂台部22向顶结构2的顶部施加靠近承载部件3的下压力，此时，可伸缩的弹性件41可以在下压力的作用下缩短，使顶结构2的高度降低，当调节件52通过压紧件51松开顶挂台部22时，可伸缩的弹性件41通过顶挂台部22向顶结构2的底部施加的远离承载部件3的顶升力，可以使顶结构2的高度升高。
62.如图1和图2所示，在本发明一实施例中，压紧件51可以呈环状，或调节件52的数量可以为多个，多个调节件52沿压紧件51的周向均匀间隔分布。
63.这样借助多个调节件52，可以在压紧件51的周向上从多个均匀间隔的位置对压紧
件51进行调节，使压紧件51压紧或松开顶挂台部22，从而使压紧件51能够处于水平状态，并且，由于压紧件51呈环状，因此，压紧件51能够与顶挂台部22的整个呈环状的顶部接触，从而使顶挂台部22和弹性件41能够均处于平衡稳定的状态，进而使顶结构2能够处于水平状态，进而有利于反应气体的水平流动。
64.可选的，调节件52的数量可以为至少三个。
65.如图1和图2所示，在本发明一实施例中，各调节件52可以均设置有外螺纹和抵接部，环结构1可以设置有多个螺纹孔，多个螺纹孔沿环结构1的周向均匀间隔设置，多个调节件52的外螺纹一一对应的与多个螺纹孔螺纹连接，抵接部与压紧件51的顶部抵接，通过旋转各调节件52，以带动压紧件51调节顶结构2的高度位置。
66.在实际应用中，由于调节件52的抵接部与压紧件51的顶部抵接，因此，通过旋转多个调节件52，可以使多个调节件52的抵接部压紧或松开压紧件51，当多个抵接部压紧压紧件51时，呈环状的压紧件51整体向下压顶挂台部22，向顶结构2的顶部施加靠近承载部件3的下压力，可以使顶结构2的高度降低，当多个抵接部松开压紧件51时，呈环状的压紧件51整体向上松开顶挂台部22，可伸缩的弹性件41通过顶挂台部22向顶结构2的底部施加的远离承载部件3的顶升力，可以使顶结构2的高度升高。
67.但是，调节件52通过压紧件51压紧或松开顶挂台部22的方式并不以此为限，例如，各调节件52可以均设置有外螺纹，压紧件51可以设置有多个螺纹孔，多个螺纹孔沿压紧件51的周向均匀间隔设置，多个螺纹孔用于与多个调节件52的外螺纹一一对应的螺纹连接，通过旋转各调节件52，能够调节压紧件51在调节件52上的高度位置。
68.也就是说，由于多个调节件52的外螺纹一一对应的与压紧件51的多个螺纹孔螺纹连接，因此，调节件52与环结构1的顶部旋转连接，通过旋转各调节件52，可以使压紧件51整体在多个调节件52上的高度降低或者升高，从而使压紧件51压紧或松开顶挂台部22。
69.可选的，多个调节件52可以环绕顶结构2设置。
70.需要说明的是，第一调节部件和第二调节部件5的设置方式并不以此为限，例如，第一调节部件可以包括顶升件和调整件，第二调节部件5可以包括固定件和可伸缩的弹力件，调整件设置在环结构1上，顶升件可升降的设置在调整件上，并与顶结构2的底部接触，调整件用于通过调整顶升件在调整件上的高度位置，以通过顶升件向顶挂台部22施加顶升力，固定件设置在环结构1上，弹力件的一端与固定件固定设置，另一端与顶挂台部22的顶部接触，且弹力件呈压缩状态，用于向顶挂台部22施加下压力，这样借助顶升件、调整件、固定件和弹力件也可以调节顶结构2的高度位置。
71.如图1-图4所示，在本发明一实施例中，顶结构2可以还包括沿其轴向延伸的连接部23，顶透光部21位于顶挂台部22的下方，顶透光部21和顶挂台部22通过连接部23连接。
72.通过使顶透光部21位于顶挂台部22的下方，可以使顶透光部21与承载部件3之间的距离更近，从而能够进一步减小反应腔100的容积，进而能够进一步提高硅外延薄膜的生长速率。
73.如图1和图2所示，在本发明一实施例中，环结构1包括腔室周壁11和衬环12，腔室周壁11和衬环12均呈环状，且腔室周壁11环绕在衬环12的外周，腔室周壁11上设置有第一子进气道111和第一子排气道112，衬环12上设置有第二子进气道和第二子排气道，第二子进气道和第一子进气道111对应设置，用于形成供气体进入反应腔100的进气通道，第二子
排气道和第一子排气道112对应设置，用于形成供气体排出反应腔100外的排气通道；顶透光部21的外径小于衬环12的内径。
74.在实际应用中，腔室周壁11环绕在衬环12的外周，衬环12环绕在承载部件3的周围，反应气体依次经过第一子进气道111和第二子进气道进入反应腔100，并在流经反应腔100后，依次经过第二子排气道和第一子排气道112排出至反应腔100外。衬环12用于改变反应气体的气流方向，对反应气体进行导流。
75.通过使顶透光部21的外径小于衬环12的内径，能够避免在调节顶结构2的高度下降的过程中，顶透光部21与呈环状的衬环12发生干涉，从而使顶透光部21能够从呈环状的衬环12的内部穿过，继而使顶透光部21与承载部件3之间的距离能够更近，进而能够进一步减小反应腔100的容积，能够进一步提高硅外延薄膜的生长速率。
76.如图1和图2所示，可选的，调节组件可以设置在腔室周壁11上。
77.如图1和图2所示，可选的，底结构6可以包括底透光部61和底支撑台部62，底透光部61与承载部件3对应设置，底支撑台部62环绕底透光部61设置，底支撑台部62可以与环结构1密封连接，并可以采用机械强度高以及隔热性能强的材料制作。
78.如图1和图2所示，可选的，半导体工艺腔室可以还包括底加热部件73、底测温部件74和旋转驱动件75，由于底透光部61与承载部件3对应设置，因此，底加热部件73和底测温部件74可以均设置在底透光部61的下方，底加热部件73发出的加热光能够穿过顶透光部21照射至承载部件3上，通过对承载部件3进行加热，来对晶圆进行加热，底测温部件74发出的测温光能够穿过底透光部61照射至承载部件3上，对承载部件3的温度进行检测。而由于底支撑台部62环绕底透光部61设置，因此，底支撑台部62无需使底加热部件73发出的加热光以及底测温部件74发出的测温光穿过，因此，底支撑台部62可以采用机械强度更高以及隔热性能更强的材料制作，以提高底结构6的机械强度，并使底结构6具有优良的隔热性能。旋转驱动件75可以设置在底结构6的下方，并与承载部件3连接，用于带动承载部件3旋转，借助旋转驱动件75在半导体工艺带动承载部件3旋转，能够提高半导体工艺的均匀性。
79.综上所述，本发明实施例提供的半导体工艺腔室，能够调节反应腔100的容积，从而能够调节生长速率，进而能够提高适用性及使用灵活性，并且，还能够作为调试膜厚均匀性的一种手段，提高半导体工艺腔室的工艺窗口。
80.可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变形和改进，这些变形和改进也视为本发明的保护范围。

技术特征：

1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体、承载部件和调节组件；其中，所述承载部件设置在所述腔室本体内，用于承载晶圆；所述腔室本体包括环结构、顶结构和底结构，所述环结构在其轴向上设置在所述顶结构和底结构之间，且环绕在所述承载部件的周围，所述顶结构、所述环结构和所述承载部件之间形成用于进行工艺反应的反应腔；所述调节组件与所述顶结构连接，用于调节所述顶结构的高度位置，以调节所述反应腔的容积。2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述顶结构包括顶透光部和顶挂台部，所述顶透光部与所述承载部件对应设置，所述顶挂台部环绕所述顶透光部设置；所述调节组件环绕所述顶挂台部的周向设置，且与所述顶挂台部连接。3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述调节组件包括第一调节部件和第二调节部件，所述第一调节部件支撑于所述顶挂台部的底部，用于向所述顶结构施加远离所述承载部件的顶升力，所述第二调节部件压设于所述顶挂台部的顶部，用于向所述顶结构施加靠近所述承载部件的下压力。4.根据权利要求3所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一调节部件包括可伸缩的弹性件，所述弹性件设置在所述顶挂台部与所述环结构之间，所述弹性件的一端与所述环结构的顶部密封连接，另一端与所述顶挂台部的底部密封连接，且所述弹性件呈压缩状态，用于向所述顶结构施加所述顶升力。5.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述弹性件呈环状。6.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述弹性件的一端与所述环结构的顶部之间设置有第一密封件，所述第一密封件呈环状，用于对所述弹性件的一端与所述环结构的顶部之间进行密封连接，所述弹性件的另一端与所述顶结构的底部之间设置有第二密封件，所述第二密封件呈环状，用于对所述弹性件的另一端与所述顶结构的底部之间进行密封连接。7.根据权利要求4所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第二调节部件包括压紧件和调节件，所述调节件设置在所述环结构上，所述压紧件与所述调节件连接，并压设于所述顶挂台部的顶部，所述调节件用于通过所述压紧件压紧或松开所述顶挂台部，以与所述弹性件配合调节所述顶结构的高度位置。8.根据权利要求7所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述压紧件呈环状，所述调节件的数量为多个，多个所述调节件沿所述压紧件的周向均匀间隔分布。9.根据权利要求7所述的半导体工艺腔室，其特征在于，各所述调节件均设置有外螺纹和抵接部，所述环结构设置有多个螺纹孔，多个所述螺纹孔沿所述环结构的周向均匀间隔设置，多个所述调节件的外螺纹一一对应的与多个所述螺纹孔螺纹连接，所述抵接部与所述压紧件的顶部抵接，通过旋转各所述调节件，以带动所述压紧件调节所述顶结构的高度位置。10.根据权利要求9所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述顶结构还包括沿其轴向延伸的连接部，所述顶透光部位于所述顶挂台部的下方，所述顶透光部和所述顶挂台部通过所述连接部连接。11.根据权利要求10所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述环结构用于对进入或排
出所述反应腔内的气体进行导流，所述环结构包括腔室周壁和衬环，所述腔室周壁和所述衬环均呈环状，且所述腔室周壁环绕在所述衬环的外周，所述腔室周壁上设置有第一子进气道和第一子排气道，所述衬环上设置有第二子进气道和第二子排气道，所述第二子进气道和所述第一子进气道对应设置，用于形成供气体进入所述反应腔的进气通道，所述第二子排气道和所述第一子排气道对应设置，用于形成供气体排出所述反应腔外的排气通道；所述顶透光部的外径小于所述衬环的内径。

技术总结

本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔室本体、承载部件和调节组件；其中，承载部件设置在腔室本体内，用于承载晶圆；腔室本体包括环结构、顶结构和底结构，环结构在其轴向上设置在顶结构和底结构之间，且环绕在承载部件的周围，顶结构、环结构和承载部件之间形成用于进行工艺反应的反应腔；调节组件与顶结构连接，用于调节顶结构的高度位置，以调节反应腔的容积。本发明提供的半导体工艺腔室，能够调节反应腔的容积，从而能够调节生长速率，进而能够提高适用性及使用灵活性。提高适用性及使用灵活性。提高适用性及使用灵活性。