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LiMnO@C三维纳米片阵列、制备方法及其应用[发明专利]

专利名称：LiMnO@C三维纳米片阵列、制备方法及其应用专利类型：发明专利

发明人：郝青丽，姚迪，吴宗燈，雷武，宋娟娟

申请号：CN201911156111.0

申请日：20191122

公开号：CN110993371A

公开日：

20200410

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种三LiMnO@C三维纳米片阵列、制备方法及其应用。所述的三维纳米片阵列表面富含氧空位，由碳层包覆的MnO，γ‑MnO及LiMnO构成的复合物组成，以Mn(CHCOO)为原料，NaSO为电解质，水作为溶剂，泡沫镍作为集流体，通过电化学沉积法制备前驱体，再将其转移到LiOH水溶液中通过水热反应嵌锂，最后将嵌锂后的前驱体浸泡在葡萄糖水溶液中，再经过Ar/H 退火得到表面富含氧空位缺陷的三维LiMnO@C纳米片阵列材料。该材料具有三维阵列结构，利于电解质进入与活性材料反应，富含氧空位，电化学性能得到有效提高，同时包覆的碳层可以提高电极材料的导电性和机械稳定性；制备方法简单环保，不需要复杂的后处理过程。

申请人：南京理工大学

地址：210094 江苏省南京市孝陵卫200号

国籍：CN

代理机构：南京理工大学专利中心

代理人：邹伟红

氧空位

本文发布于:2024-09-22 21:22:39，感谢您对本站的认可！

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