LTK5209
2019.03修订LTK5209 2⨯7.9W 、防破音_F类、双声道音频放大器
PVDD INL
MODE INR Bottom View
BYPASS
EN
OUTNR OUTPR
OUTPL OUTNL Top View
⏹基本电气特性
图1：Input Amplitude VS. Output Amplitude
图2：THD+N VS .Output Power Class_D
图3：THD+N VS .Output Power Class_D
图4：THD+N VS. Output Power Class_AB
10100
1000
10000
10
100
100010000
O u t p u t A m p l i t u d e (m V r m s )
Input Amplitude （mVrms ）
VDD=5V RL=4Ω+33uH Class_D
Input Amplitude VS Output Amplitude 0.01
0.1
110
1000.1
1
10
T H D +N %
Output Power （W ）
VDD=7V RL=3Ω+22uH Class_D VDD=6V RL=3Ω+22uH Class_D VDD=5V RL=3Ω+22uH Class_D VDD=4.2V RL=3Ω+22uH Class_D
THD+N VS Output Power
0.010.1
低频功率放大器
110100
0.1
1
10
T H D +N （%）
Output Power （W ）
VDD=7V RL=4Ω+33uH Class_D VDD=6V RL=4Ω+33uH Class_D VDD=5V RL=4Ω+33uH Class_D VDD=4.2V RL4Ω+33uH Class_D
THD+N VS Output Power
0.01
0.1
1
10
1000.1
110
T H D +N (%)
Output Power （W ）
VDD=5V RL=4Ω Claas_AB VDD=4.2V RL=4Ω Claas_AB
Output Power VS THD+N%
图5：Frequency VS.THD+N
图6：Power Crrent VS. Suppy Voltage
图7：Input Voltage VS. Maximum Output Power
图
8：Frequency Response
LTK5209有两种控制方式：软件控制（一线脉冲）和硬件控制（高低电平控制），一线脉冲控制的好处是可以节省主控 IO ，仅使用一个IO 口即可切换功放多种工作模式。
EN 管脚软件控制（一线脉冲）：EN 管脚输入不同脉冲信号切换功放:D 类防破音1（AGC1：THD ≦1%）、D 类防破音2 (AGC2：THD ≦5%）AB 类和D 类模式。一线脉冲控制时MODE
管脚必须置为高电平 1、 芯片切换到D 类AGC2（THD ≦5%），模式波形： 3、芯片切换到D 类无防破音模式波形：
0.001
0.01
0.11
1010
100
1000
10000
T H D +N %
Frequency(HZ)
VDD=5V PO=1W RL=4Ω+33uH
Frequency VS THD+N %
-6-5-4-3-2-1012310
100100010000
G a i n （d b ）
Frequency(HZ)
VDD=5V RL=4Ω Class_D
Frequency Response
保持高电平保持高电平保持高电平
4、芯片切换到AB 类模式波形：
硬件控制（高低电平控制）： EN 管脚为高电平时，功放芯片打开，正常工作，EN 管脚为低电平时，功放芯片关断。EN 管脚不能悬空。
● MODE 管脚控制
功放MODE 管脚可以控制芯片AB 类和D 类的模式切换。建议在FM 模式时切换为AB 类。一线脉冲控制时置为高电平
● 功放增益控制
D 类模式时输出为（PWM 信号）数字信号，AB 类输出为模拟信号，其增益均可通过R IN 调节。
A V 为增益，通常用D
B 表示，上述计算结果单位为倍数、20Log 倍数=DB 。
RIN 电阻的单位为K Ω、185K Ω为内部反馈电阻
（R F ）, 7.5K Ω为内置串联电阻（R S ）,RIN 由用户 根据实际供电电压、输入幅度、和失真度定义。 如RIN=27K 时，=10.5倍、A V =20.4DB
输入电容（CIN ）和输入电阻（RIN ）组成高通滤波器，其截止频率为： ()IN IN
C C K R f ⨯+⨯=
5.721
π
Cin 电容选取较小值时，可以滤除从输入端耦合入的低频噪声，同时有助于减小开启时的POP
● Bypass 电容
Byp 电容是非常重要的，该电容的大小决定了功放芯片的开启时间，同时Byp 电容的大小会影响芯片的电源抑制比、噪声、以及POP 声等重要性能。 建议将该电容设置为1uf，因该Byp 的充电速度
速度比输入信号端的充电速度越慢，POP 声越小。
● EMI 处理
对于输出走线较长或靠近敏感器件时，建议加上 磁珠和电容，能有效减小EMI 。器件靠近芯片放置。
● RC 缓冲电路
如喇叭负载阻抗值较小时，建议在输出端并一个电阻和一个电容来吸收电压尖峰，防止芯片工作异常。
电阻推荐使用：2Ω-5Ω，电容推荐：500PF-10N
）
5.7（1852Ω+Ω
⨯=K R K A IN V
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
关于我们
投诉建议