一种还原炉调控方法、装置及相关设备与流程

1.本技术涉及多晶硅生产技术领域，具体涉及一种还原炉调控方法、装置及相关设备。

背景技术：

2.多晶硅还原工序是生产过程中的关键环节，在多晶硅还原炉高纯度硅棒生长工艺控制过程中，需根据还原炉内的硅粉弥散情况对还原炉的输入原料进行调控，以调控还原炉内的硅粉含量，使还原炉内的硅粉沉积速率得到提高。
3.目前，相关技术多采用人工调控的方式来管控还原炉的输入原料，此种方式受人为因素的干扰较大，会导致还原炉内的硅粉沉积速率偏离预期，也就是说，相关技术对还原炉内的硅粉沉积速率的调控效果的较差。

技术实现要素：

4.本技术的目的在于提供一种还原炉调控方法、装置及相关设备，用于解决相关技术在调控还原炉内的硅粉沉积速率过程中存在的调控效果差的问题。
5.第一方面，本技术实施例提供了一种还原炉调控方法，所述方法包括：
6.获取第一目标参数，其中，所述第一目标参数用于表征还原炉当前的硅粉含量；
7.根据基准硅粉含量和所述第一目标参数之间的差异，确定第一偏差信息；
8.根据所述第一偏差信息，对所述还原炉的影响因子进行调控，所述影响因子包括所述还原炉的输入原料的输入量和所述还原炉的电流值中的至少一项。
9.可选的，所述根据所述第一偏差信息，对所述还原炉的影响因子进行调控，包括：
10.根据所述第一偏差信息，确定第一调控信息；
11.根据所述第一调控信息对所述还原炉的第一影响因子进行调控，获得所述还原炉对应的第二偏差信息，其中，所述第二偏差信息根据所述基准参数和第二目标参数之间的差异确定，所述第二目标参数用于表征调控后的所述还原炉的硅粉含量；
12.根据所述第二偏差信息，确定用于调控所述还原炉的第二影响因子的第二调控信息。
13.可选的，所述硅粉含量的第一变化系数小于所述硅粉含量的第二变化系数；
14.所述第一变化系数为所述硅粉含量的变化速率与所述第一影响因子之间的比例系数，所述第二变化系数为所述硅粉含量的变化速率与所述第二影响因子的变化速率之间的比例系数。
15.可选的，所述根据所述第一偏差信息，对所述还原炉的影响因子进行调控，包括：
16.根据所述第一偏差信息，确定第三调控信息和第四调控信息；
17.按照第一速率参数将所述影响因子调整到第一值，所述第一值和所述第一速率参数基基于所述第三调控信息确定；
18.按照第二速率参数将所述影响因子从第一值调整到第二值，所述第二值和所述第
二速率参数基于所述第四调控信息确定；
19.其中，所述第一速率参数为所述影响因子在单位时间内的第一变化量，所述第二速率参数为所述影响因子在单位时间内的第二变化量，所述第一速率参数大于所述第二速率参数。
20.可选的，所述根据所述第一偏差信息，对所述还原炉的影响因子进行调控之后，所述方法还包括：
21.获得所述还原炉的第一沉积速率，所述第一沉积速率为所述还原炉在调控后的硅粉沉积速率；
22.在所述第一沉积速率大于所述基准硅粉含量对应的硅粉沉积速率时，根据所述还原炉在调控后的硅粉含量对所述基准硅粉含量更新。
23.第二方面，本技术实施例还提供一种还原炉调控装置，所述装置包括：
24.第一获取模块，用于获取第一目标参数，其中，所述第一目标参数用于表征还原炉当前的硅粉含量；
25.比较模块，用于根据基准硅粉含量和所述第一目标参数之间的差异，确定第一偏差信息；
26.调控模块，用于根据所述第一偏差信息，对所述还原炉的影响因子进行调控，所述影响因子包括所述还原炉的输入原料的输入量和所述还原炉的电流值中的至少一项。
27.可选的，所述调控模块包括：
28.第一调控子模块，用于根据所述第一偏差信息，确定第一调控信息；
29.第二调控子模块，用于根据所述第一调控信息对所述还原炉的第一影响因子进行调控，获得所述还原炉对应的第二偏差信息，其中，所述第二偏差信息根据所述基准参数和第二目标参数之间的差异确定，所述第二目标参数用于表征调控后的所述还原炉的硅粉含量；
30.第三调控子模块，用于根据所述第二偏差信息，确定用于调控所述还原炉的第二影响因子的第二调控信息。
31.可选的，所述硅粉含量的第一变化系数小于所述硅粉含量的第二变化系数；
32.所述第一变化系数为所述硅粉含量的变化速率与所述第一影响因子之间的比例系数，所述第二变化系数为所述硅粉含量的变化速率与所述第二影响因子的变化速率之间的比例系数。
33.第三方面，本技术实施例还提供一种电子设备，包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现上述的还原炉调控方法的步骤。
34.第四方面，本技术实施例还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的还原炉调控方法的步骤。
35.在本技术实施例中，通过获取还原炉当前的硅粉含量，将该硅粉含量与基准硅粉含量进行差异比较，确定第一偏差信息，并基于该第一偏差信息对还原炉的影响因子进行调控的自动调控方式，以替换人工调控的方式，避免人为因素的干扰，使还原炉当前的硅粉沉积速率趋近预期，也即令还原炉当前的硅粉沉积速率得到提高。
附图说明
36.图1是本技术实施例提供的一种还原炉调控方法的流程示意图；
37.图2是本技术实施例提供的一种还原炉调控装置的结构示意图；
38.图3是本技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
39.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
40.本技术实施例提供一种还原炉调控方法，参见图1，图1是本技术实施例提供的还原炉调控方法的流程图，如图1所示，包括以下步骤：
41.步骤101、获取第一目标参数。
42.其中，所述第一目标参数用于表征还原炉当前的硅粉含量。
43.上述第一目标参数可以通过设置于还原炉内的目标传感器采集获得，所述目标传感器用于实时或周期性检测还原炉内的硅粉含量。
44.示例性的，可以将目标传感器设置于还原炉的尾气管道中，以根据还原炉的尾气中硅粉与目标传感器摩擦产生静电的电荷量或电压测算还原炉内的硅粉含量。
45.步骤102、根据基准硅粉含量和所述第一目标参数之间的差异，确定第一偏差信息。
46.在第一目标参数小于基准硅粉含量的情况下，所确定第一偏差信息用于升高还原炉内的硅粉含量；而在第一目标参数大于基准硅粉含量的情况下，所确定第一偏差信息用于降低还原炉内的硅粉含量。
47.需要说明的是，还原炉内的硅粉含量维持在基准硅粉含量时，还原炉内会出现“雾化”现象，此时，还原炉内的硅粉沉积速率最快，而当原炉内的硅粉含量偏离前述基准硅粉含量时，还原炉内的硅粉沉积速率会降低，相应的，还原炉内的电能耗损也会增加。
48.示例性的，在控制环境参数(例如：炉内温度、湿度等)以及反应时长(例如：100小时)保持不变的情况，可以对多个还原炉在历史时段内的硅粉沉积量或电能耗损进行统计，并将硅粉沉积量最多或电能耗损最少的还原炉数据确定基准数据，在获取第一目标参数以及第一目标参数的采样时间的情况下，将基准数据内匹配该采样时间的子数据作为基准硅粉含量，以确定所述第一偏差信息。
49.其中，还原炉数据可理解为单个还原炉在一次完整的硅棒生产流程中的硅粉含量数据集，即硅粉含量数据集中的每一硅粉含量数据至少包括时间维度和含量维度两个指标，例如，若某一硅粉含量数据为硅粉含量-a-采样时段-b，则说明还原炉在b时段的硅粉含量为a。
50.在一些实施方式中，也可以基于神经网络模型对还原炉各个时段内的最优硅粉含量进行预估，以获得前述基准数据。
51.步骤103、根据所述第一偏差信息，对所述还原炉的影响因子进行调控。
52.其中，所述影响因子包括所述还原炉的输入原料的输入量和所述还原炉的电流值
中的至少一项。
53.示例性的，若设定还原炉的影响因子包括氢气的输入量、电流值以及三氯氢硅的输入量三种，则在第一偏差信息指示对还原炉内的硅粉含量进行升高时，可以通过增加氢气的输入量的方式、增加电流输入的方式以及降低三氯氢硅的输入量的方式中的至少一种，以提升还原炉内的硅粉含量；相应的，在第一偏差信息指示对还原炉内的硅粉含量进行降低时，可以通过降低氢气的输入量的方式、降低电流输入的方式以及升高三氯氢硅的输入量的方式中的至少一种，以降低还原炉内的硅粉含量。
54.需要说明的是，随着还原炉的反应时间的变化，氢气和三氯氢硅的输入量也会相应动态变化，因此，增加氢气的输入量的方式应理解为——增加氢气的增幅幅度或降低氢气的降幅幅度，而减少氢气的进料速率的方式应理解为——增加氢气的降幅幅度或降低氢气的增幅幅度；同理，增加三氯氢硅的输入量的方式应理解为——增加三氯氢硅的增幅幅度或降低三氯氢硅的降幅幅度，而减少三氯氢硅的进料速率的方式应理解为——增加三氯氢硅的降幅幅度或降低三氯氢硅的增幅幅度。
55.另外，随着还原炉的反应时间的增加，电流值也会逐渐增加，因此，增加电流输入的方式应理解为，提高电流值的增幅幅度；而降低电流输入的方式应理解为，降低电流值的增幅幅度。
56.如上，本技术通过获取还原炉当前的硅粉含量，将该硅粉含量与基准硅粉含量进行差异比较，确定第一偏差信息，并基于该第一偏差信息对还原炉的影响因子进行调控的自动调控方式，以替换人工调控的方式，避免人为因素的干扰，使还原炉当前的硅粉沉积速率趋近预期，也即令还原炉当前的硅粉沉积速率得到提高。
57.可选的，所述根据所述第一偏差信息，对所述还原炉的影响因子进行调控，包括：
58.根据所述第一偏差信息，确定第一调控信息；
59.根据所述第一调控信息对所述还原炉的第一影响因子进行调控，获得所述还原炉对应的第二偏差信息，其中，所述第二偏差信息根据所述基准参数和第二目标参数之间的差异确定，所述第二目标参数用于表征调控后的所述还原炉的硅粉含量；
60.根据所述第二偏差信息，确定用于调控所述还原炉的第二影响因子的第二调控信息。
61.在一些实施方式中，在存在多个影响因子的情况下，针对还原炉当前的硅粉含量与基准硅粉含量之间的差异，可以经由逐一调控多个影响因子中每一影响因子，来保障调控过程中的调控稳定性，避免两个或两个以上影响因子同时改变导致调控效果偏离预期的情况，也即出现调控过量或调控不足的问题。
62.示例性的，在存在第一影响因子和第二影响因子的情况下，可以先对第一影响因子进行调控，若第一影响因子调控至极限时，还原炉的硅粉含量仍与基准硅粉含量存在一定偏差，再对第二影响因子进行调控，以使还原炉的硅粉含量与基准硅粉含量趋于一致。
63.需要说明的是，上述示例仅示出了存在两个影响因子的情况；实际应用中，在影响因子的数量为三个或三个以上的情况下，也可参照上述示例进行多个影响因子的调控，即对三个或三个以上的影响因子进行逐一调控，仅在当前所调控影响因子调整至极限的情况下，再进行下一个影响因子的调控操作。
64.其中，影响因子调整至极限可理解为，影响因子的增加量与影响因子的当前量之
和小于或等于上限值，或者，影响因子的当前量与影响因子的减少量之差大于或等于下限值。
65.例如，在影响因子的当前量为氢气的输入量时，若氢气当前输入量处于增幅阶段，预计增幅量为1单位的情况下，氢气的实际增幅量的调整极限范围可以为[0.8，1.2]单位，即氢气的实际增幅量与预计增幅量之间的差值与氢气的预计增幅量的比值小于或等于20％。
[0066]
可选的，所述硅粉含量的第一变化系数小于所述硅粉含量的第二变化系数；
[0067]
所述第一变化系数为所述硅粉含量的变化速率与所述第一影响因子之间的比例系数，所述第二变化系数为所述硅粉含量的变化速率与所述第二影响因子的变化速率之间的比例系数。
[0068]
在逐一调控多个影响因子的过程中，可基于多个影响因子对硅粉含量的变化速率的影响程度强弱，确定多个影响因子的调控次序，所确定调控次序中，对硅粉含量的变化速率的影响程度弱的影响因子的次序靠前设置，以适配自动化调控过程中，第一偏差信息所指示基准硅粉含量和还原炉当前的硅粉含量差异较小的情况，在保障调控效果满足预期的情况下，尽可能降低调控操作的执行次数，延长还原炉的硅粉含量匹配基准硅粉含量的时长，提升还原炉的硅粉沉积速率。
[0069]
举例来说，若多个影响因子分别为一号影响因子、二号影响因子、三号影响因子，且一号影响因子对硅粉含量的变化速率的影响程度最强，二号影响因子对硅粉含量的变化速率的影响程度最弱，三号影响因子对硅粉含量的变化速率的影响程度居中，则在逐一调控多个影响因子的过程中，会按二号影响因子、三号影响因子以及一号影响因子的次序进行逐一调控。
[0070]
示例性的，若设定还原炉的影响因子包括氢气的输入量、电流值以及三氯氢硅的输入量三种，则在第一偏差信息指示对还原炉内的硅粉含量进行升高时，也即还原炉所设置传感器当前的电压低于基准硅粉含量所对应电压时，可以按电压差值比例每增加0.1％，对氢气的增幅幅度增加1％(或对氢气的降幅幅度减少1％)、对三氯氢硅的增幅幅度减少5％(或对三氯氢硅的降幅幅度增加5％)、对电流值的增幅降低5％的方式中的至少一种，对还原炉内的硅粉含量进行提升；在第一偏差信息指示对还原炉内的硅粉含量进行降低时，也即还原炉所设置传感器当前的电压高于基准硅粉含量所对应电压时，可以按电压差值比例每增加0.1％，对氢气的增幅幅度减少1％(或对氢气的降幅幅度增加1％)、对三氯氢硅的增幅幅度增加5％(或对三氯氢硅的降幅幅度减少5％)、对电流值的增幅增加5％的方式中的至少一种，对还原炉内的硅粉含量进行降低。
[0071]
其中，电压差值比例可理解为电压差与基准硅粉含量所对应电压之间的比值，电压差为传感器当前的电压与基准硅粉含量所对应电压之间的差值。
[0072]
可选的，所述根据所述第一偏差信息，对所述还原炉的影响因子进行调控，包括：
[0073]
根据所述第一偏差信息，确定第三调控信息和第四调控信息；
[0074]
按照第一速率参数将所述影响因子调整到第一值，所述第一值和所述第一速率参数基基于所述第三调控信息确定；
[0075]
按照第二速率参数将所述影响因子从第一值调整到第二值，所述第二值和所述第二速率参数基于所述第四调控信息确定；
[0076]
其中，所述第一速率参数为所述影响因子在单位时间内的第一变化量，所述第二速率参数为所述影响因子在单位时间内的第二变化量，所述第一速率参数大于所述第二速率参数。
[0077]
如前所述，预计将单个影响因子由初始值调整到第一目标值的过程中(若第一目标值大于初始值，则说明单个影响因子处于增幅阶段；若第一目标值小于初始值，则说明单个影响因子处于降幅阶段)，可以通过第一偏差信息对第一目标值进行修正，将第一目标值修正为第二目标值，以获得更优的调控效果。
[0078]
在将单个影响因子由初始值调整到第二目标值的过程中，可以基于数值较大的第一速率参数，将单个影响因子由初始值快速提升至第一值；再基于数值较小的第二速率参数，将单个影响因子由第一值缓慢提升至第二值(即第二目标值)，以避免在影响因子在线性调控过程(指初始值调整到第二目标值的过程中影响因子的变化速率保持一致)中可能出现的过调整问题，确保实际调控效果与预期调控效果趋于一致。
[0079]
可选的，所述根据所述第一偏差信息，对所述还原炉的影响因子进行调控之后，所述方法还包括：
[0080]
获得所述还原炉的第一沉积速率，所述第一沉积速率为所述还原炉在调控后的硅粉沉积速率；
[0081]
在所述第一沉积速率大于所述基准硅粉含量对应的硅粉沉积速率时，根据所述还原炉在调控后的硅粉含量对所述基准硅粉含量更新。
[0082]
如上，在还原炉一次生产流程完成后，可获得还原炉的实际生产时间和实际产生的硅晶量，基于所获得硅晶量与实际生产时间之间的比值，可获得前述第一沉积速率，在第一沉积速率大于所述基准硅粉含量对应的硅粉沉积速率时，通过更新基准硅粉含量的方式，提升基准硅粉含量的准确性，进而提升后续调控过程中的还原炉调控效果。
[0083]
参见图2，图2是本技术实施例提供的还原炉调控装置200的结构图。如图2所示，还原炉调控装置200包括：
[0084]
第一获取模块201，用于获取第一目标参数，其中，所述第一目标参数用于表征还原炉当前的硅粉含量；
[0085]
比较模块202，用于根据基准硅粉含量和所述第一目标参数之间的差异，确定第一偏差信息；
[0086]
调控模块203，用于根据所述第一偏差信息，对所述还原炉的影响因子进行调控，所述影响因子包括所述还原炉的输入原料的输入量和所述还原炉的电流值中的至少一项。
[0087]
可选的，所述调控模块203包括：
[0088]
第一调控子模块，用于根据所述第一偏差信息，确定第一调控信息；
[0089]
第二调控子模块，用于根据所述第一调控信息对所述还原炉的第一影响因子进行调控，获得所述还原炉对应的第二偏差信息，其中，所述第二偏差信息根据所述基准参数和第二目标参数之间的差异确定，所述第二目标参数用于表征调控后的所述还原炉的硅粉含量；
[0090]
第三调控子模块，用于根据所述第二偏差信息，确定用于调控所述还原炉的第二影响因子的第二调控信息。
[0091]
可选的，所述硅粉含量的第一变化系数小于所述硅粉含量的第二变化系数；
[0092]
所述第一变化系数为所述硅粉含量的变化速率与所述第一影响因子之间的比例系数，所述第二变化系数为所述硅粉含量的变化速率与所述第二影响因子的变化速率之间的比例系数。
[0093]
可选的，所述调控模块203包括：
[0094]
信息确定子模块，用于根据所述第一偏差信息，确定第三调控信息和第四调控信息；
[0095]
第一调整子模块，用于按照第一速率参数将所述影响因子调整到第一值，所述第一值和所述第一速率参数基基于所述第三调控信息确定；
[0096]
第二调整子模块，用于按照第二速率参数将所述影响因子从第一值调整到第二值，所述第二值和所述第二速率参数基于所述第四调控信息确定；
[0097]
其中，所述第一速率参数为所述影响因子在单位时间内的第一变化量，所述第二速率参数为所述影响因子在单位时间内的第二变化量，所述第一速率参数大于所述第二速率参数。
[0098]
可选的，所述还原炉调控装置200还包括：
[0099]
统计模块，用于获得所述还原炉的第一沉积速率，所述第一沉积速率为所述还原炉在调控后的硅粉沉积速率；
[0100]
更新模块，用于在所述第一沉积速率大于所述基准硅粉含量对应的硅粉沉积速率时，根据所述还原炉在调控后的硅粉含量对所述基准硅粉含量更新。
[0101]
本技术实施例提供的还原炉调控装置200能够实现上述方法实施例中的各个过程，为避免重复，这里不再赘述。
[0102]
请参见图3，图3是本技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图，如图3所示，电子设备：可以包括处理器301、存储器302及存储在存储器302上并可在处理器301上运行的程序3021。
[0103]
程序3021被处理器301执行时可实现图1对应的方法实施例中的任意步骤及达到相同的有益效果，此处不再赘述。
[0104]
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法的全部或者部分步骤是可以通过程序指令相关的硬件来完成，所述的程序可以存储于一可读取介质中。
[0105]
本技术实施例还提供一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时可实现上述图1对应的方法实施例中的任意步骤，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。
[0106]
本技术实施例的计算机可读存储介质，可以采用一个或多个计算机可读的介质的任意组合。计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质。计算机可读存储介质例如可以是电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、可擦式可编程只读存储器(eprom或闪存)、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(cd-rom)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本文件中，计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。
[0107]
计算机可读的信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了计算机可读的程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读的信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读介质，该计算机可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。
[0108]
存储介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于无线、电线、光缆、rf等等，或者上述的任意合适的组合。
[0109]
可以以一种或多种程序设计语言或其组合来编写用于执行本技术操作的计算机程序代码，所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如java、smalltalk、c++，还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“c”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或终端上执行。在涉及远程计算机的情形中，远程计算机可以通过任意种类的网络——包括局域网(lan)或广域网(wan)—连接到用户计算机，或者，可以连接到外部计算机(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。
[0110]
以上所述是本技术实施例的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。

技术特征：

1.一种还原炉调控方法，其特征在于，所述方法包括：获取第一目标参数，其中，所述第一目标参数用于表征还原炉当前的硅粉含量；根据基准硅粉含量和所述第一目标参数之间的差异，确定第一偏差信息；根据所述第一偏差信息，对所述还原炉的影响因子进行调控，所述影响因子包括所述还原炉的输入原料的输入量和所述还原炉的电流值中的至少一项。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一偏差信息，对所述还原炉的影响因子进行调控，包括：根据所述第一偏差信息，确定第一调控信息；根据所述第一调控信息对所述还原炉的第一影响因子进行调控，获得所述还原炉对应的第二偏差信息，其中，所述第二偏差信息根据所述基准参数和第二目标参数之间的差异确定，所述第二目标参数用于表征调控后的所述还原炉的硅粉含量；根据所述第二偏差信息，确定用于调控所述还原炉的第二影响因子的第二调控信息。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述硅粉含量的第一变化系数小于所述硅粉含量的第二变化系数；所述第一变化系数为所述硅粉含量的变化速率与所述第一影响因子之间的比例系数，所述第二变化系数为所述硅粉含量的变化速率与所述第二影响因子的变化速率之间的比例系数。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一偏差信息，对所述还原炉的影响因子进行调控，包括：根据所述第一偏差信息，确定第三调控信息和第四调控信息；按照第一速率参数将所述影响因子调整到第一值，所述第一值和所述第一速率参数基基于所述第三调控信息确定；按照第二速率参数将所述影响因子从第一值调整到第二值，所述第二值和所述第二速率参数基于所述第四调控信息确定；其中，所述第一速率参数为所述影响因子在单位时间内的第一变化量，所述第二速率参数为所述影响因子在单位时间内的第二变化量，所述第一速率参数大于所述第二速率参数。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一偏差信息，对所述还原炉的影响因子进行调控之后，所述方法还包括：获得所述还原炉的第一沉积速率，所述第一沉积速率为所述还原炉在调控后的硅粉沉积速率；在所述第一沉积速率大于所述基准硅粉含量对应的硅粉沉积速率时，根据所述还原炉在调控后的硅粉含量对所述基准硅粉含量更新。6.一种还原炉调控装置，其特征在于，所述装置包括：第一获取模块，用于获取第一目标参数，其中，所述第一目标参数用于表征还原炉当前的硅粉含量；比较模块，用于根据基准硅粉含量和所述第一目标参数之间的差异，确定第一偏差信息；调控模块，用于根据所述第一偏差信息，对所述还原炉的影响因子进行调控，所述影响
因子包括所述还原炉的输入原料的输入量和所述还原炉的电流值中的至少一项。7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述调控模块包括：第一调控子模块，用于根据所述第一偏差信息，确定第一调控信息；第二调控子模块，用于根据所述第一调控信息对所述还原炉的第一影响因子进行调控，获得所述还原炉对应的第二偏差信息，其中，所述第二偏差信息根据所述基准参数和第二目标参数之间的差异确定，所述第二目标参数用于表征调控后的所述还原炉的硅粉含量；第三调控子模块，用于根据所述第二偏差信息，确定用于调控所述还原炉的第二影响因子的第二调控信息。8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述硅粉含量的第一变化系数小于所述硅粉含量的第二变化系数；所述第一变化系数为所述硅粉含量的变化速率与所述第一影响因子之间的比例系数，所述第二变化系数为所述硅粉含量的变化速率与所述第二影响因子的变化速率之间的比例系数。9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至5中任一项所述的还原炉调控方法的步骤。10.一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至5中任一项所述的还原炉调控方法的步骤。

技术总结

本申请提供一种还原炉调控方法、装置及相关设备，其中，所述调控方法包括：获取第一目标参数，其中，所述第一目标参数用于表征还原炉当前的硅粉含量；根据基准硅粉含量和所述第一目标参数之间的差异，确定第一偏差信息；根据所述第一偏差信息，对所述还原炉的影响因子进行调控，所述影响因子包括所述还原炉的输入原料的输入量和所述还原炉的电流值中的至少一项。通过获取还原炉当前的硅粉含量，将该硅粉含量与基准硅粉含量进行差异比较，确定第一偏差信息，并基于该第一偏差信息对还原炉的影响因子进行调控的自动调控方式，以替换人工调控的方式，避免人为因素的干扰，使还原炉当前的硅粉沉积速率趋近预期，提高还原炉当前的硅粉沉积速率。沉积速率。沉积速率。