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BCD工艺中的双向高压MOS管及其制造方法[发明专利]

专利名称：BCD工艺中的双向高压MOS管及其制造方法专利类型：发明专利

发明人：闻永祥，岳志恒，陈洪雷

申请号：CN201110420263.4

申请日：20111215

公开号：CN102437193A

公开日：

20120502

高压mos管专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供了一种BCD工艺中的双向高压MOS管及其制造方法，所述MOS管结构包括：半导体衬底；形成于半导体衬底中具有第一掺杂类型的埋层；形成于埋层上的外延层；形成于外延层中具有第一掺杂类型的第一阱区；分别形成于第一阱区两侧的外延层中具有第二掺杂类型的第二阱区和第三阱区，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；形成于第二阱区和第三阱区中的场氧化层；分别形成于第二阱区和第三阱区中的具有第二掺杂类型的源区和漏区；位于源区和漏区之间的场氧化层和栅介质层上的栅电极。本发明的双向高压MOS管中源区和漏区是对称的，可以互换使用；所述MOS管可以应用于BCD工艺中，将耐压提高到60V以上。

申请人：杭州士兰集成电路有限公司

地址：310018 浙江省杭州市(下沙)经济技术开发区东区10号路308号

国籍：CN

代理机构：上海专利商标事务所有限公司

代理人：陈亮

本文发布于:2024-09-23 07:25:15，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/tex/2/356320.html

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