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常见mos管

电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如未买到相应电流的，可用更多大额定电流的代替。注意，焊接ＭＯＳ管应防止静电。

TO-220

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TO-252

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TO-3

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　　附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管 IRF7805Z的引脚图。

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上图中有小圆点的为１脚

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注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补充）

封装形式	极性	型号	电流(A)	耐压(V)	导通电阻(mΩ)
SO-8	N型	SI4336	22	30	4.2
SO-8	N型	IRF7831	21	30	3.6
SO-8	N型	IRF7832	20	30	4
SO-8	N型	IRF7822	18	30
SO-8	N型	IRF7836	17	30	5.7
SO-8	N型	IRF8113	17	30	5.6
SO-8	N型	SI4404	17	30	8
SO-8	N型	FDS6688	16	30	6
SO-8	N型	IRF7805Z	16	30	6.8
SO-8	N型	IRF7477	14	30	8.5
SO-8	N型	IRF8721	14	30	8.5
SO-8	N型	IRF7805	13	30
SO-8	N型	IRF7805Q	13	30	11
SO-8	N型	IRF7413	12	30	18
SO-8	N型	TPC8003	12	30	6
SO-8	N型	IRF7477	11	30	20
SO-8	N型	IRF7811	11	30	12
SO-8	N型	IRF7466	10	30	15
SO-8	N型	SI4410	10	30	14
SO-8	N型	SI4420	10	30	10
SO-8	N型	A2700	9	30	7.3
SO-8	N型	IRF7807	8.3	30
SO-8	N型	SI4812	7.3	30	28
SO-8	N型	SI9410	6.9	30	50
SO-8	N型	IRF7313	6	30	29
SO-8	P型	SI4405	17	30	7.5
SO-8	P型	STM4439A	14	30	18
SO-8	P型	FDS6679	13	30	9
SO-8	P型	SI4411	13	30	8
SO-8	P型	SI4463	12.3	20	16
SO-8	P型	SI4407	12	30
SO-8	P型	IRF7424	11	30	13.5
SO-8	P型	IRF7416	10	30	20
SO-8	P型	IRF7416Q	10	30	20
SO-8	P型	SI4425	9	30	19
SO-8	P型	IRF7424	8.8	30	22
SO-8	P型	SI4435高压mos管	8	30	20
SO-8	P型	SI4435DY	8	30	20
SO-8	P型	A2716	7	30	11.3
SO-8	P型	IRF7406	5.8	30	45
SO-8	P型	SI9435	5.3	30	50
SO-8	P型	IRF7205	4.6	30	70
TO-252	N型	FDD6688	84	30	5
TO-3	N型	IRF150	40	100	55
TO-220	N型	IRF3703	210	30	2.8
TO-220	N型	IRL3803	140	30	6
TO-220	N型	IRF1405	131	55	5.3
TO-220	N型	IRF3205	110	55	8
TO-220	N型	BUZ111S	80	55	8
TO-220	N型	05N05	75	50	9.5
TO-220	N型	IRF2804	75	40	2
TO-220	N型	60N06	60	60	14
TO-220	N型	50N03L	28	25	21
TO-220	N型	BTS120	19	100	100
TO-220	N型	BTS110	10	100	200
TO-220	N型	06N60	5.5	600	750

MOS管应用电路设计

本文来自: DZ3W.COM 原文网址：www.dz3w/sch/jcdl/0084942.html

MOS管应用电路设计

MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。

现在的MOS驱动，有几个特别的需求，

1，低压应用

当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。

同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合

本文来自: DZ3W.COM 原文网址：www.dz3w/sch/jcdl/0084942.html

2，宽电压应用

输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。

为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。

同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。

3，双电压应用

在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。

这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。

在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS驱动IC，似乎也没有包含gate电压限制的结构。

于是我设计了一个相对通用的电路来满足这三种需求。

电路图如下：

图1 用于NMOS的驱动电路

图2 用于PMOS的驱动电路

这里我只针对NMOS驱动电路做一个简单分析：

Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超过Vh。

Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。

R2和R3提供了PWM电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置。

Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降，这个压降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。

R5和R6是反馈电阻，用于对gate电压进行采样，采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈，从而把gate电压限制在一个有限的数值。这个数值可以通过R5和R6来调节。

最后，R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制，R4提供了对MOS管的gate电流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的时候可以在R4上面并联加速电容。

这个电路提供了如下的特性：

1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。

2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。

3，gate电压的峰值限制

4，输入和输出的电流限制

5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。

6，PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。

在设计便携式设备和无线产品时，提高产品性能、延长电池工作时间是设计人员需要面对的两个问题。DC-DC转换器具有效率高、输出电流大、静态电流小等优点，非常适用于为便携式设备供电。目前DC-DC转换器设计技术发展主要趋势有：（1）高频化技术：随着开关频率的提高，开关变换器的体积也随之减小，功率密度也得到大幅提升，动态响应得到改善。小功率DC-DC转换器的开关频率将上升到兆赫级。（2）低输出电压技术：随着半导体制造技术的不断发展，微处理器和便携式电子设备的工作电压越来越低，这就要求未来的DC-DC变换器能够提供低输出电压以适应微处理器和便携式电子设备的要求。

本文发布于:2024-09-23 09:31:16，感谢您对本站的认可！

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